[發明專利]聚酰亞胺膜、覆金屬層疊板及電路基板

有效

• 申請號: 201811133042.7
• 申請日: 2018-09-27
• 公開（公告）號: CN109575283B
• 公開（公告）日: 2022-08-09
• 發明（設計）人: 橘髙直樹;菊池伊織;西山哲平;平石克文;安藤敏男;櫻井慎一郎
• 申請（專利權）人: 日鐵化學材料株式會社
• 主分類號: C08G73/10
• 分類號: C08G73/10;H05K1/02;H05K1/03
• 代理公司: 北京同立鈞成知識產權代理有限公司 11205
• 代理人: 彭雪瑞;臧建明

1.一種聚酰亞胺膜，包括單層或多層的聚酰亞胺層，所述聚酰亞胺膜的特征在于，所述聚酰亞胺層為多層，且包括熱膨脹系數最低的單層的第1聚酰亞胺層及層疊于所述第1聚酰亞胺層的單側的單層或多層的第2聚酰亞胺層，

所述第1聚酰亞胺層的熱膨脹系數CTE1及第2聚酰亞胺層的熱膨脹系數CTE2滿足下述數式(1)：

1ppm/K＜(CTE2-CTE1)≤10ppm/K···(1)

其中，CTE1為所述第1聚酰亞胺層的縱向方向及橫向方向的熱膨脹系數的平均值，CTE2為所述第2聚酰亞胺層的縱向方向及橫向方向的熱膨脹系數的平均值，

所述第1聚酰亞胺層包括包含四羧酸殘基及二胺殘基的聚酰亞胺，且相對于所述聚酰亞胺所含的所有二胺殘基，含有20摩爾％以上的由下述通式(1)所表示的二胺化合物所衍生的二胺殘基，

所述通式(1)中，R₁、R₂獨立地表示可經鹵素原子或苯基取代的碳數1～3的烷基、或碳數1～3的烷氧基、或碳數2～3的烯基，

且所述聚酰亞胺膜滿足下述條件a～條件e：

條件a：厚度處于3μm以上且50μm以下的范圍內；

條件b：熱膨脹系數為10ppm/K以下；條件c：以在23℃、濕度50％下調濕20小時后的50mm見方的聚酰亞胺膜的中央部的凸面接觸于平坦的面上的方式靜置，并將四角的上浮量的平均值設為平均翹曲量時，平均翹曲量為10mm以下；

條件d：長度方向的熱膨脹系數與寬度方向的熱膨脹系數的差為±3ppm/K以下；

條件e：面內雙折射率為2×10^-3以下。

2.根據權利要求1所述的聚酰亞胺膜，其中，所述第2聚酰亞胺層為單層。

3.根據權利要求1所述的聚酰亞胺膜，其中，所述第2聚酰亞胺層的至少一層包括包含四羧酸殘基及二胺殘基的聚酰亞胺，且相對于所述聚酰亞胺所含的所有二胺殘基，含有20摩爾％以上的由所述通式(1)所表示的二胺化合物所衍生的二胺殘基。

4.一種覆金屬層疊板，包括：絕緣層；及位于所述絕緣層的至少一個面上的金屬層，其中，所述絕緣層包括根據權利要求1至3中任一項所述的聚酰亞胺膜。

5.一種電路基板，其是對根據權利要求4所述的覆金屬層疊板中的金屬層進行電路加工而成。