[發明專利]微粗糙電解銅箔及銅箔基板

有效

• 申請號: 201811132277.4
• 申請日: 2018-09-27
• 公開（公告）號: CN110952117B
• 公開（公告）日: 2021-03-12
• 發明（設計）人: 宋云興;高羣祐
• 申請（專利權）人: 金居開發股份有限公司
• 主分類號: C25D3/38
• 分類號: C25D3/38;C25D5/18;C25D7/06;H05K3/38
• 代理公司: 隆天知識產權代理有限公司 72003
• 代理人: 向勇

本發明公開一種微粗糙電解銅箔及銅箔基板。微粗糙電解銅箔包括一微粗糙表面。微粗糙表面具有多個凸鋒、多個V型凹槽以及多個微結晶簇。兩個相鄰的所述凸鋒界定出一個V型凹槽。V型凹槽的平均深度小于1微米。微結晶簇位于所述凸鋒頂部。微結晶簇的平均高度小于1.5微米。微粗糙電解銅箔的微粗糙表面的Rlr值低于1.06。微粗糙表面與基材之間有良好的接合力，且在高頻下的介入損失有良好的表現，能夠有效地抑制訊號損耗。

技術領域

本發明涉及一種銅箔，特別是涉及一種電解銅箔及具有此銅箔的銅箔基板。

背景技術

隨著資訊和電子產業的發展，高頻高速的訊號傳輸已成為現代電路設計與制造的一環。電子產品為了能符合高頻高速的訊號傳輸需求，所采用的銅箔基板在高頻下需要有良好的介入損失(insertion loss)表現，以防止高頻訊號在傳遞時產生過度的損耗。銅箔基板的介入損失與其表面粗糙度有高度關聯。當表面粗糙度降低時，介入損失有較佳的表現，反之則否。但是降低粗糙度的同時，也會導致銅箔與基材間的剝離強度下滑，影響到后端產品的良率。因此，如何將剝離強度維持在業界水準，并提供良好的介入損失表現，已成為本領域所欲解決的課題。

發明內容

本發明所要解決的技術問題在于，針對現有技術的不足提供一種微粗糙電解銅箔。

為了解決上述的技術問題，本發明所采用的其中一技術方案是，提供一種微粗糙電解銅箔。所述微粗糙電解銅箔包括一微粗糙表面。所述微粗糙表面具有多個凸鋒、多個V型凹槽以及多個微結晶簇，兩個相鄰的所述凸鋒界定出一個V型凹槽，所述V型凹槽的平均深度小于1微米，所述微結晶簇位于所述凸鋒頂部，所述微結晶簇的平均高度小于1.5微米。所述微粗糙電解銅箔的微粗糙表面的Rlr值低于1.06。

優選地，每一個所述微結晶簇由多個微結晶堆迭構成，所述微結晶的平均直徑小于0.5微米，每一個所述微結晶簇的平均高度小于1.3微米。

優選地，每一個所述微結晶簇沿其自身高度方向的所述微結晶平均堆迭數量是15個以下；所述微結晶簇的平均最大寬度小于5微米；部分的所述微結晶簇形成有分岔結構。

優選地，每一個所述微結晶簇由多個微結晶堆迭構成，所述微結晶的平均直徑小于0.5微米，每一個所述微結晶簇的平均高度小于1.3微米。

優選地，所述微粗糙電解銅箔的微粗糙表面的Rlr值低于1.055。

為了解決上述的技術問題，本發明所采用的其中一技術方案是，提供一種銅箔基板，其包括一基材以及一微粗糙電解銅箔。所述微粗糙電解銅箔包括一貼附在所述基材的微粗糙表面。所述微粗糙表面形成有多個凸鋒、多個V型凹槽以及多個微結晶簇。兩個相鄰的所述凸鋒界定出一個V型凹槽。所述V型凹槽的平均深度小于1微米。所述微結晶簇位于所述凸鋒頂部。所述微結晶簇的平均高度小于1.5微米。所述銅箔基板于20GHz的介入損失介于0至-0.635db/in。所述微粗糙電解銅箔與所述基材間的剝離強度大于3lb/in。

優選地，所述銅箔基板于30GHz的介入損失介于0至-0.935db/in。

優選地，所述銅箔基板于8GHz的介入損失介于0至-0.31db/in，所述銅箔基板于12.89GHz的介入損失介于0至-0.43db/in，所述銅箔基板于16GHz的介入損失介于0至-0.53db/in；所述微粗糙電解銅箔與所述基材之間的剝離強度大于3.5lb/in。

優選地，所述銅箔基板于12.89GHz的介入損失介于0至-0.42db/in，所述銅箔基板于16GHz的介入損失介于0至-0.52db/in，所述銅箔基板于20GHz的介入損失介于0至-0.63db/in，所述銅箔基板于30GHz的介入損失介于0至-0.92db/in；所述微粗糙電解銅箔與所述基材之間的剝離強度大于3.9lb/in。