[發明專利]微粗糙電解銅箔及銅箔基板

有效

• 申請號: 201811132277.4
• 申請日: 2018-09-27
• 公開（公告）號: CN110952117B
• 公開（公告）日: 2021-03-12
• 發明（設計）人: 宋云興;高羣祐
• 申請（專利權）人: 金居開發股份有限公司
• 主分類號: C25D3/38
• 分類號: C25D3/38;C25D5/18;C25D7/06;H05K3/38
• 代理公司: 隆天知識產權代理有限公司 72003
• 代理人: 向勇

1.一種微粗糙電解銅箔，其特征在于，所述微粗糙電解銅箔包括一微粗糙表面，所述微粗糙表面具有多個凸鋒、多個V型凹槽以及多個微結晶簇，兩個相鄰的所述凸鋒界定出一個V型凹槽，所述V型凹槽的平均深度小于1微米，所述微結晶簇位于所述凸鋒頂部，所述微結晶簇的平均高度小于1.5微米；

其中，所述微粗糙電解銅箔的微粗糙表面的Rlr值低于1.06。

2.根據權利要求1所述的微粗糙電解銅箔，其特征在于，每一個所述微結晶簇由多個微結晶堆迭構成，所述微結晶的平均直徑小于0.5微米，每一個所述微結晶簇的平均高度小于1.3微米。

3.根據權利要求2所述的微粗糙電解銅箔，其特征在于，每一個所述微結晶簇沿其自身高度方向的所述微結晶平均堆迭數量是15個以下；所述微結晶簇的平均最大寬度小于5微米；部分的所述微結晶簇形成有分岔結構。

4.根據權利要求1至3中任一項所述的微粗糙電解銅箔，其特征在于，所述微粗糙電解銅箔的微粗糙表面的Rlr值低于1.055。

5.一種銅箔基板，其特征在于，所述銅箔基板包括：

一基材；以及

一微粗糙電解銅箔，其包括一貼附在所述基材的微粗糙表面，所述微粗糙表面形成有多個凸鋒、多個V型凹槽以及多個微結晶簇，兩個相鄰的所述凸鋒界定出一個V型凹槽，所述V型凹槽的平均深度小于1微米，所述微結晶簇位于所述凸鋒頂部，所述微結晶簇的平均高度小于1.5微米；

其中，所述銅箔基板于20GHz的介入損失介于0至-0.635db/in；

其中，所述微粗糙電解銅箔與所述基材間的剝離強度大于3lb/in。

6.根據權利要求5所述的銅箔基板，其特征在于，所述銅箔基板于30GHz的介入損失介于0至-0.935db/in。

7.根據權利要求6所述的銅箔基板，其特征在于，所述銅箔基板于8GHz的介入損失介于0至-0.31db/in，所述銅箔基板于12.89GHz的介入損失介于0至-0.43db/in，所述銅箔基板于16GHz的介入損失介于0至-0.53db/in；所述微粗糙電解銅箔與所述基材之間的剝離強度大于3.5lb/in。

8.根據權利要求7所述的銅箔基板，其特征在于，所述銅箔基板于12.89GHz的介入損失介于0至-0.42db/in，所述銅箔基板于16GHz的介入損失介于0至-0.52db/in，所述銅箔基板于20GHz的介入損失介于0至-0.63db/in，所述銅箔基板于30GHz的介入損失介于0至-0.92db/in；所述微粗糙電解銅箔與所述基材之間的剝離強度大于3.9lb/in。

9.根據權利要求5所述的銅箔基板，其特征在于，所述微結晶簇的平均最大寬度小于5微米；部分的所述微結晶簇形成有分岔結構；每一個所述微結晶簇的平均高度小于1微米；每一個所述微結晶簇由多個微結晶堆迭構成，所述微結晶的平均直徑小于0.5微米；所述微粗糙電解銅箔的微粗糙表面的Rlr值低于1.06。

10.根據權利要求5所述的銅箔基板，其特征在于，所述基材在1GHz頻率下的Dk值小于3.8，以及在1GHz頻率下的Df值小于0.002。