[發明專利]封裝件及其形成方法

有效

• 申請號: 201811131295.0
• 申請日: 2018-09-27
• 公開（公告）號: CN109801849B
• 公開（公告）日: 2021-01-22
• 發明（設計）人: 蔡惠榕;謝昀蓁;彭竣翔;張岱民;雷弋昜;郭宏瑞;余振華
• 申請（專利權）人: 臺灣積體電路制造股份有限公司
• 主分類號: H01L21/50
• 分類號: H01L21/50;H01L21/56;H01L21/48;H01L23/48;H01L23/31
• 代理公司: 北京德恒律治知識產權代理有限公司 11409
• 代理人: 章社杲;李偉

1.一種形成封裝件的方法，包括：

將器件密封在密封材料中；

平坦化所述密封材料和所述器件；以及

在所述密封材料和所述器件上方形成導電部件，其中，形成所述導電部件包括：

沉積第一導電材料以形成第一晶種層；

在所述第一晶種層上方沉積與所述第一導電材料不同的第二導電材料以形成第二晶種層；

在所述第二晶種層上方鍍金屬區；

對所述第二晶種層實施第一蝕刻；

對所述第一晶種層實施第二蝕刻，其中，通過所述第二蝕刻產生底切；以及

在蝕刻所述第一晶種層之后，對所述第二晶種層和所述金屬區實施第三蝕刻，其中，所述第三蝕刻消除所述底切。

2.根據權利要求1所述的方法，其中，所述第一晶種層包括鈦、鉭、氮化鈦或氮化鉭，并且所述第二晶種層和所述金屬區均包括銅。

3.根據權利要求1所述的方法，其中，所述第三蝕刻包括濕蝕刻。

4.根據權利要求1所述的方法，其中，所述第三蝕刻包括各向同性蝕刻。

5.根據權利要求1所述的方法，其中，處于相同層級的所述導電部件和相鄰導電部件具有間距，并且其中，對所述第二晶種層和所述金屬區實施所述第三蝕刻包括在所述間距小于4μm時，對所述第二晶種層和所述金屬區實施所述第三蝕刻。

6.根據權利要求1所述的方法，其中，鍍所述金屬區包括：

第一鍍工藝，以形成金屬線；以及

第二鍍工藝，用于在所述金屬線上方形成通孔并且所述通孔連接至所述金屬線，其中，所述通孔比所述金屬線更窄，并且在所述第三蝕刻期間，蝕刻所述金屬線和所述通孔。

7.根據權利要求1所述的方法，其中，所述第一蝕刻和所述第二蝕刻是單獨的蝕刻步驟。

8.一種形成封裝件的方法，包括：

形成粘合層；

在所述粘合層上方形成多個含銅部件；

選擇性地蝕刻所述粘合層，從而去除所述粘合層的不位于所述多個含銅部件下方的部分和所述粘合層的位于所述多個含銅部件下方的橫向底切部分，以形成底切；以及

選擇性地蝕刻所述多個含銅部件以減少所述底切。

9.根據權利要求8所述的方法，其中，蝕刻所述粘合層包括使用第一化學溶液實施的蝕刻步驟，并且使用與所述第一化學溶液不同的第二化學溶液對所述多個含銅部件實施蝕刻。

10.根據權利要求9所述的方法，其中，在選擇性地蝕刻所述多個含銅部件之后，所述多個含銅部件和下面的粘合層的剩余部分形成通孔。

11.根據權利要求8所述的方法，其中，使用選自由H₃PO₄、H₂O₂和H₂O的混合物，H₂SO₄、H₂O₂和H₂O的混合物，(NH₄)₂S₂O₈和H₂O的混合物，HCl溶液，HCl和CuCl₂的混合物，FeCl₃溶液以及它們的組合構成的組中的化學品來實施所述多個含銅部件的選擇性蝕刻。

12.根據權利要求11所述的方法，其中，通過對所述多個含銅部件進行蝕刻來消除所述底切。

13.根據權利要求8所述的方法，其中，所述粘合層由與含銅部件的材料不同的材料形成。