[發(fā)明專利]封裝件及其形成方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201811131295.0
• 申請(qǐng)日: 2018-09-27
• 公開（公告）號(hào): CN109801849B
• 公開（公告）日: 2021-01-22
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 蔡惠榕;謝昀蓁;彭竣翔;張岱民;雷弋昜;郭宏瑞;余振華
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 臺(tái)灣積體電路制造股份有限公司
• 主分類號(hào): H01L21/50
• 分類號(hào): H01L21/50;H01L21/56;H01L21/48;H01L23/48;H01L23/31
• 代理公司: 北京德恒律治知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11409
• 代理人: 章社杲;李偉

一種方法包括將器件密封在密封材料中，平坦化密封材料和器件，以及在密封材料和器件上方形成導(dǎo)電部件。導(dǎo)電部件的形成包括沉積第一導(dǎo)電材料以形成第一晶種層，在第一晶種層上方沉積與第一導(dǎo)電材料不同的第二導(dǎo)電材料以形成第二晶種層，在第二晶種層上方鍍金屬區(qū)，對(duì)第二晶種層實(shí)施第一蝕刻，并且對(duì)第一晶種層實(shí)施第二蝕刻，并且在蝕刻第一晶種層之后，對(duì)第二晶種層和金屬區(qū)實(shí)施第三蝕刻。本發(fā)明的實(shí)施例還涉及封裝件及其形成方法。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明的實(shí)施例涉及封裝件及其形成方法。

背景技術(shù)

隨著半導(dǎo)體技術(shù)的發(fā)展，半導(dǎo)體芯片/管芯變得越來越小。同時(shí)，需要將更多功能集成在半導(dǎo)體管芯中。因此，半導(dǎo)體管芯需要將越來越多的I/O焊盤封裝到較小的區(qū)域內(nèi)，并且因此I/O焊盤的密度隨著時(shí)間迅速提升。結(jié)果，半導(dǎo)體管芯的封裝變得更加困難，這會(huì)對(duì)封裝產(chǎn)量產(chǎn)生不利影響。

傳統(tǒng)的封裝技術(shù)可以劃分為兩類。在第一類中，晶圓上的管芯在它們被分割之前進(jìn)行封裝。這種封裝技術(shù)具有諸如較大的生產(chǎn)量和較低的成本的一些有利特征。此外，需要較少的底部填充物或模塑料。然而，這種封裝技術(shù)還具有缺陷。由于管芯的尺寸正變得越來越小，并且相應(yīng)的封裝件僅可以是扇入型封裝件，其中，每個(gè)管芯的I/O焊盤限制于位于相應(yīng)管芯的表面正上方的區(qū)域。由于管芯的面積有限，由于I/O焊盤的間距的限制，I/O焊盤的數(shù)量受到限制。如果焊盤的間距減小，則可能發(fā)生焊料橋接。此外，在固定的焊球尺寸的需求下，焊球必須具有特定的尺寸，這進(jìn)而限制了可以封裝在管芯表面上的焊球的數(shù)量。

在另一類封裝中，管芯在被封裝之前從晶圓上分割下來。該封裝技術(shù)的有利特征是形成扇出型封裝件的可能性，這意味著管芯上的I/O焊盤可以分布至比管芯更大的區(qū)域，并且因此可以增大封裝在管芯的表面上的I/O焊盤的數(shù)量。該封裝技術(shù)的另一有利特征是封裝“已知良好管芯”，以及丟棄缺陷管芯，并且因此不會(huì)在缺陷管芯上浪費(fèi)成本和精力。

在扇出封裝件中，將器件管芯密封在模塑料中，然后平坦化模塑料以暴露器件管芯。在器件管芯上方形成介電層。在介電層中形成再分布線以連接至器件管芯。扇出封裝件還可以包括穿過模塑料的貫通孔。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明的實(shí)施例提供了一種形成封裝件的方法，包括：將器件密封在密封材料中；平坦化所述密封材料和所述器件；以及在所述密封材料和所述器件上方形成導(dǎo)電部件，其中，形成所述導(dǎo)電部件包括：沉積第一導(dǎo)電材料以形成第一晶種層；在所述第一晶種層上方沉積與所述第一導(dǎo)電材料不同的第二導(dǎo)電材料以形成第二晶種層；在所述第二晶種層上方鍍金屬區(qū)；對(duì)所述第二晶種層實(shí)施第一蝕刻；對(duì)所述第一晶種層實(shí)施第二蝕刻；以及在蝕刻所述第一晶種層之后，對(duì)所述第二晶種層和所述金屬區(qū)實(shí)施第三蝕刻。

本發(fā)明的另一實(shí)施例提供了一種形成封裝件的方法，包括：形成粘合層；在所述粘合層上方形成多個(gè)含銅部件；選擇性地蝕刻所述粘合層，從而去除所述粘合層的不位于所述多個(gè)含銅部件下方的部分和所述粘合層的位于所述多個(gè)含銅部件下方的橫向底切部分，以形成底切；以及選擇性地蝕刻所述多個(gè)含銅部件以減少所述底切。

本發(fā)明的又一實(shí)施例提供了一種封裝件，包括：器件管芯；密封劑，將所述器件管芯密封在所述密封劑中；第一多個(gè)再分布線(RDL)，位于所述器件管芯上方并且電連接至所述器件管芯，其中，所述第一多個(gè)再分布線具有第一間距，并且所述第一多個(gè)再分布線沒有底切；以及第二多個(gè)再分布線，位于所述器件管芯上方并且電連接至所述器件管芯，其中，所述第二多個(gè)再分布線具有大于所述第一間距的第二間距，并且所述第二多個(gè)再分布線具有底切。

附圖說明

當(dāng)結(jié)合附圖進(jìn)行閱讀時(shí)，從以下詳細(xì)描述可最佳地理解本發(fā)明的各個(gè)方面。應(yīng)該注意，根據(jù)工業(yè)中的標(biāo)準(zhǔn)實(shí)踐，各個(gè)部件未按比例繪制。實(shí)際上，為了清楚的討論，各種部件的尺寸可以被任意增大或減小。

圖1至圖26示出根據(jù)一些實(shí)施例的形成封裝件的中間階段的截面圖。

圖27示出根據(jù)一些實(shí)施例的不具有貫通孔的封裝件的截面圖。