[發明專利]半導體裝置及其制造方法在審
| 申請號： | 201811128368.0 | 申請日： | 2018-09-27 |
| 公開（公告）號： | CN109728072A | 公開（公告）日： | 2019-05-07 |
| 發明（設計）人： | 云惟勝;林佑儒;余紹銘 | 申請（專利權）人： | 臺灣積體電路制造股份有限公司 |
| 主分類號： | H01L29/06 | 分類號： | H01L29/06;H01L21/336;H01L29/78 |
| 代理公司： | 北京律盟知識產權代理有限責任公司 11287 | 代理人： | 蔣林清 |
| 地址： | 中國臺灣新竹市*** | 國省代碼： | 中國臺灣;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 基底區段 絕緣結構 側壁 晶種 半導體裝置 突出部 襯底 移除 暴露 半導體 制造 間隔件 圖案化 堆疊 覆蓋 接納 | ||
【權利要求書】：
1.一種用于制造半導體裝置的方法，其包括：
接納半導體襯底；
圖案化所述半導體襯底以形成彼此間隔的多個突出部，其中所述突出部包括基底區段，及堆疊在所述基底區段上的晶種區段；
形成多個第一絕緣結構，從而覆蓋所述基底區段的側壁且暴露所述晶種區段的側壁；
形成多個間隔件，從而覆蓋所述晶種區段的所述側壁；
部分移除所述第一絕緣結構以部分暴露所述基底區段的所述側壁；
移除從所述第一絕緣結構暴露的所述基底區段；及
在所述晶種區段下方形成多個第二絕緣結構。
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