[發(fā)明專利]環(huán)氧樹脂封裝陶瓷基板翹曲度輔修工藝方法及輔修夾具在審
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201811119764.7 | 申請(qǐng)日： | 2018-09-26 |
| 公開（公告）號(hào)： | CN109148680A | 公開（公告）日： | 2019-01-04 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 鄭文瑋;姚艷龍;賴定權(quán);沙小強(qiáng) | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人： | 深圳市麥捷微電子科技股份有限公司 |
| 主分類號(hào)： | H01L41/23 | 分類號(hào)： | H01L41/23;H01L41/25;H01L41/312 |
| 代理公司： | 深圳市千納專利代理有限公司 44218 | 代理人： | 黃良寶 |
| 地址： | 518000 廣東省深圳*** | 國(guó)省代碼： | 廣東;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 夾具 翹曲度 封裝體 上蓋板 支撐板 中空 環(huán)氧樹脂封裝 定位凹槽 陶瓷基板 工藝技術(shù)領(lǐng)域 低傳熱系數(shù) 芯片級(jí)封裝 中高溫固化 高溫固化 簡(jiǎn)單物理 銅質(zhì)材料 傳統(tǒng)的 黃銅板 散熱 蓋合 校正 吻合 上層 | ||
1.一種環(huán)氧樹脂封裝陶瓷基板翹曲度輔修工藝方法，將植球、切割后的具有獨(dú)立電氣性能的壓電芯片，通過熱壓超聲工藝倒裝焊接在鍍金的陶瓷基板上，完成電路連接，在植球的支撐下形成中空間隙，在壓電芯片上方貼合環(huán)氧樹脂膜，經(jīng)層壓工藝層壓之后，壓電芯片與陶瓷基板之間形成中空封裝體；其特征在于：將所述的中空封裝體置于輔修夾具中高溫固化；輔修夾具由支撐板和置于支撐板上層的上蓋板構(gòu)成，上蓋板為黃銅板，支撐板上設(shè)有與所述的中空封裝體吻合的定位凹槽，將所述的中空封裝體置于定位凹槽中蓋合上蓋板進(jìn)行翹曲度的校正狀態(tài)下高溫固化。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的環(huán)氧樹脂封裝陶瓷基板翹曲度輔修工藝方法，其特征在于：所述的依照中空封裝體尺寸和輔修夾具尺寸，每塊支撐板上同時(shí)對(duì)一個(gè)或多個(gè)封裝體同時(shí)進(jìn)行翹曲度的校正狀態(tài)下高溫固化。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的環(huán)氧樹脂封裝陶瓷基板翹曲度輔修工藝方法，其特征在于：可以采用兩層以上輔修夾具同時(shí)進(jìn)行翹曲度的校正狀態(tài)下高溫固化。
4.一種環(huán)氧樹脂封裝陶瓷基板翹曲度輔修的輔修夾具，其特征在于：所述輔修夾具包括有支撐板和上蓋板，上蓋板置于支撐板上層，上蓋板為黃銅板，支撐板上設(shè)有與中空封裝體吻合的定位凹槽，支撐板與上蓋板之間設(shè)有卡銷。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的一種環(huán)氧樹脂封裝陶瓷基板翹曲度輔修的輔修夾具，其特征在于：所述支撐板可以為兩層以上層疊結(jié)構(gòu)。
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