[發(fā)明專利]基片處理方法、基片處理裝置和存儲介質(zhì)

在審

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• 申請日: 2018-09-25
• 公開（公告）號: CN109560017A
• 公開（公告）日: 2019-04-02
• 發(fā)明（設計）人: 甲斐亞希子;田中公一朗;一之宮博;福田昌弘
• 申請（專利權(quán)）人: 東京毅力科創(chuàng)株式會社
• 主分類號: H01L21/67
• 分類號: H01L21/67;H01L21/02
• 代理公司: 北京尚誠知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11322
• 代理人: 龍淳

本發(fā)明提供一種能夠可靠地向基片的表面供給清洗液并且抑制清洗液飛散地除去處理液的基片處理方法等。在對旋轉(zhuǎn)的基片(W)進行了液處理之后，當供給清洗液以除去處理液時，在排出位置移動步驟中，使清洗液噴嘴(421)和氣體噴嘴(411)從基片的中央部側(cè)向周緣部側(cè)移動，上述清洗液噴嘴(421)用于向基片(W)的旋轉(zhuǎn)方向的下游側(cè)對基片(W)的表面傾斜地排出清洗液，上述氣體噴嘴(411)用于向清洗液的著液位置(R)的靠基片(W)的中央部側(cè)的相鄰的位置排出氣體。此時，使基片(W)的轉(zhuǎn)速變化，以使得著液位置(R)在周緣部側(cè)的第二區(qū)域移動的期間中的轉(zhuǎn)速小于著液位置(R)在中央部側(cè)的第一區(qū)域移動的期間中的最大轉(zhuǎn)速。

技術(shù)領域

本發(fā)明涉及一種向旋轉(zhuǎn)的基片供給清洗液之后除去基片上的處理液的技術(shù)。

背景技術(shù)

在半導體裝置的制造步驟中，存在這樣的處理，即一邊使作為基片的半導體晶片(下面稱為“晶片”)旋轉(zhuǎn)一邊向晶片供給處理液來進行液處理，之后將供給的液體換成清洗液，以除去殘留于晶片的表面的處理液(基片處理方法)。

另外，此時，還已知一種一邊并行供給清洗液和沖掃該清洗液的氣體，一邊使清洗液和氣體的供給位置從晶片的中央部側(cè)向周緣部側(cè)移動，由此沖掃清洗液以使晶片干燥的技術(shù)(例如專利文獻1)。

在進行這樣的處理的情況下，例如當需要使用純水作為清洗液時，在晶片的表面具有撥水性的情形下等，也可能會存在難以向基片的表面均勻地供給清洗液的條件。

另外，由于旋轉(zhuǎn)的基片的周緣部側(cè)的線速度較大，因此會發(fā)生含有處理液的成分的清洗液向外側(cè)飛散，與配置于基片的周圍的罩等沖突而產(chǎn)生濺液的情況。該濺液是發(fā)生殘渣缺陷的主要原因。尤其隨著在晶片的表面形成的圖案向微小化發(fā)展，也逐漸要求抑制以前不會成為問題的濺液產(chǎn)生。

此處，在專利文獻2中記載了如下技術(shù)：當利用嵌段共聚物(BCP：BlockCoPolymers)的自組裝(DSA：Directed Self Assembly)使形成于晶片W上的圖案顯影時，并行供給作為顯影液的IPA(Isopropyl Alcohol)和用于除去該IPA的氮氣，使上述IPA和氮氣的供給位置從晶片的中央部側(cè)向周緣部側(cè)移動。另外，在專利文獻2中還記載了一種通過沿著向晶片的旋轉(zhuǎn)方向的下游側(cè)傾斜的下方和晶片W的切線方向排出IPA，來抑制產(chǎn)生IPA濺液的技術(shù)。

然而，在專利文獻2記載了如上所述的抑制濺液的清洗方法，但是在清洗液難以在晶片的表面上擴散的情況下，即由于清洗液的種類、基片表面的性質(zhì)而產(chǎn)生高撥水性的情況下，要求兼顧使液體在晶片表面均勻地擴散和抑制濺液的方法。

現(xiàn)有技術(shù)文獻

專利文獻

專利文獻1：日本特開2012－19002號公報(0134～0135段，圖12)

(a)～(d)

專利文獻2：日本特開2016－72557號公報(0039～0042段，圖8)

發(fā)明內(nèi)容

發(fā)明想要解決的技術(shù)問題

本發(fā)明是基于這樣的情況而完成的，其目的在于提供能夠可靠地向基片的表面供給清洗液，并且抑制清洗液飛散來除去處理液的基片處理方法、基片處理裝置和存儲介質(zhì)。

用于解決技術(shù)問題的技術(shù)方案

本發(fā)明的基片處理方法向被保持為水平并繞中心軸旋轉(zhuǎn)的基片供給處理液來進行液處理之后，向該基片供給清洗液來除去處理液，上述基片處理方法特征在于：

包括使清洗液噴嘴和氣體噴嘴從上述基片的中央部側(cè)向周緣部側(cè)移動的排出位置移動步驟，其中，上述清洗液噴嘴用于向旋轉(zhuǎn)的基片的旋轉(zhuǎn)方向的下游側(cè)對該基片的表面傾斜地排出上述清洗液，上述氣體噴嘴用于向上述清洗液到達基片的著液位置的靠上述基片的中央部側(cè)的相鄰的位置排出氣體，