[發(fā)明專利]基片處理方法、基片處理裝置和存儲介質(zhì)

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 201811119294.4
• 申請日: 2018-09-25
• 公開（公告）號: CN109560017A
• 公開（公告）日: 2019-04-02
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 甲斐亞希子;田中公一朗;一之宮博;福田昌弘
• 申請（專利權(quán)）人: 東京毅力科創(chuàng)株式會社
• 主分類號: H01L21/67
• 分類號: H01L21/67;H01L21/02
• 代理公司: 北京尚誠知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11322
• 代理人: 龍淳

1.一種基片處理方法，其向被保持為水平并繞中心軸旋轉(zhuǎn)的基片供給處理液來進行液處理之后，向該基片供給清洗液來除去處理液，所述基片處理方法特征在于：

包括使清洗液噴嘴和氣體噴嘴從所述基片的中央部側(cè)向周緣部側(cè)移動的排出位置移動步驟，其中，所述清洗液噴嘴用于向旋轉(zhuǎn)的基片的旋轉(zhuǎn)方向的下游側(cè)對該基片的表面傾斜地排出所述清洗液，所述氣體噴嘴用于向所述清洗液到達基片的著液位置的靠所述基片的中央部側(cè)的相鄰的位置排出氣體，

在所述排出位置移動步驟中，將所述著液位置的移動路徑在所述基片的中央部與周緣部之間的中間位置分割，將所述中央部與中間位置之間的區(qū)域設(shè)為第一區(qū)域，將所述中間位置與周緣部之間的區(qū)域設(shè)為第二區(qū)域時，使基片的轉(zhuǎn)速變化，以使得所述著液位置在第二區(qū)域移動的期間中的基片的轉(zhuǎn)速小于所述著液位置在第一區(qū)域移動的期間中的基片的最大轉(zhuǎn)速。

2.如權(quán)利要求1所述的基片處理方法，其特征在于：

包括第二區(qū)域轉(zhuǎn)速調(diào)整步驟，其隨著在所述第二區(qū)域中使所述清洗液噴嘴和氣體噴嘴從中間位置側(cè)向周緣部側(cè)移動，連續(xù)或者階梯地減小所述基片的轉(zhuǎn)速。

3.如權(quán)利要求2所述的基片處理方法，其特征在于：

在所述第二區(qū)域轉(zhuǎn)速調(diào)整步驟中，減小所述基片的轉(zhuǎn)速，使得在所述清洗液噴嘴到達基片的周緣的時刻的基片的轉(zhuǎn)速成為1000～2000rpm的范圍內(nèi)的值。

4.如權(quán)利要求1或2所述的基片處理方法，其特征在于：

包括第一區(qū)域轉(zhuǎn)速調(diào)整步驟，其隨著在所述第一區(qū)域中使所述清洗液噴嘴和氣體噴嘴從中央部側(cè)向中間位置側(cè)移動，至達到所述最大的轉(zhuǎn)速為止連續(xù)或者階梯地增大所述基片的轉(zhuǎn)速。

5.如權(quán)利要求1或2所述的基片處理方法，其特征在于：

所述第一區(qū)域中的基片的最大的轉(zhuǎn)速為2000～3000rpm的范圍內(nèi)的值。

6.如權(quán)利要求1或2所述的基片處理方法，其特征在于：

所述中間位置被設(shè)定為從基片的中心在徑向移動基片的半徑的1/5～2/3的范圍內(nèi)的距離的位置。

7.如權(quán)利要求1或2所述的基片處理方法，其特征在于：

所述清洗液噴嘴以從上方看時與基片的旋轉(zhuǎn)方向所成的角度為10°以上、不足40°范圍內(nèi)的角度的方式向基片的周緣部側(cè)排出清洗液。

8.如權(quán)利要求1或2所述的基片處理方法，其特征在于：

所述清洗液噴嘴以從上方看時與基片的旋轉(zhuǎn)方向所成的角度為10°以上、不足25°的范圍內(nèi)的角度的方式向基片的周緣部側(cè)排出清洗液。

9.如權(quán)利要求1或2所述的基片處理方法，其特征在于：

所述清洗液噴嘴以0.5～4.5m/秒的范圍內(nèi)的流速排出流量為200～450ml/分鐘的范圍內(nèi)的清洗液。

10.如權(quán)利要求1或2所述的基片處理方法，其特征在于：

所述清洗液噴嘴在使所述清洗液流過長度為10mm以上的直線流路的位置，向所述基片排出清洗液。

11.如權(quán)利要求1或2所述的基片處理方法，其特征在于：

所述著液位置的中心與所述氣體到達基片的著氣位置的中心的距離設(shè)定為6～10mm的范圍內(nèi)的值。

12.如權(quán)利要求1或2所述的基片處理方法，其特征在于：

所述清洗液為純水，被供給該清洗液的基片的表面具有與純水的接觸角度為70°以上的值的撥水性。