[發(fā)明專利]應用于ADC的高增益高線性度動態(tài)放大器

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 201811119106.8
• 申請日: 2018-09-25
• 公開（公告）號: CN109474249A
• 公開（公告）日: 2019-03-15
• 發(fā)明（設計）人: 吳建輝;高波;劉暢;傅娟;李紅
• 申請（專利權）人: 東南大學
• 主分類號: H03F3/45
• 分類號: H03F3/45
• 代理公司: 南京經緯專利商標代理有限公司 32200
• 代理人: 熊玉瑋

1.應用于ADC的高增益高線性度動態(tài)放大器，其特征在于，包括： 共源結構的輸入跨導級，其柵極接差分輸入信號，

共柵級，其源極與輸入跨導級的漏極連接，

交叉耦合共柵級，其源極與共柵級的漏極連接，

共模檢測電路，其輸入端與交叉耦合共柵級的漏極連接，其輸出端與共柵級的共柵連接點連接，及，

將交叉耦合共柵級源極電壓、共柵級漏極電壓復位為電源電壓的復位電路。

2.根據權利要求1所述的應用于ADC的高增益高線性度動態(tài)放大器，其特征在于，所述共源結構的輸入跨導級包括：

第一NMOS管，其柵極接正極性差分輸入信號，及，

第二NMOS管，其柵極接負極性差分輸入信號，其源極與第一NMOS管的源極共接，其漏極與第一NMOS管的漏極構成輸入跨導級的漏極。

3.根據權利要求2所述的應用于ADC的高增益高線性度動態(tài)放大器，其特征在于，所述共柵級包括：

第四NMOS管，其源極接第一NMOS管的漏極，及，

第五NMOS管，其柵極與第四NMOS管的柵極共接，其源極接第二NMOS管的漏極，其漏極與第四NMOS管的漏極構成共柵級的漏極。

4.根據權利要求3所述的應用于ADC的高增益高線性度動態(tài)放大器，其特征在于，所述交叉耦合共柵級包括：

第六NMOS管，其源極接第四NMOS管的漏極，

第七NMOS管，其柵極接第六NMOS管的漏極，其源極接第五NMOS管的漏極，其漏極接第六NMOS管的柵極，其漏極與第六NMOS管的漏極構成交叉耦合共柵級的漏極，

第三電容，其上極板接第六NMOS管的源極，其下極板接地，及，

第四電容，其上極板接第七NMOS管的源極，其下極板接地。

5.根據權利要求4所述的應用于ADC的高增益高線性度動態(tài)放大器，其特征在于，所述共模檢測電路包括：

第一電容，其上極板接第六NMOS管的漏極，

第二電容，其上極板接第七NMOS管的漏極，其下極板與第一電容的下極板連接，

第一反相器，其輸入端接與第一電容下極板和第二電容下極板的并接點連接，及，

第二反相器，其輸入端接第一反相器的輸出端，其輸出端與第四NMOS管柵極和第五NMOS管柵極的共接點連接。

6.根據權利要求5所述的應用于ADC的高增益高線性度動態(tài)放大器，其特征在于，所述共模檢測電路還包括：通過受控于共模檢測電路輸出信號的第一開關連接至第六NMOS管漏極的第五電容，及，通過受控于共模檢測電路輸出信號的第二開關連接至第七NMOS管漏極的第六電容。

7.根據權利要求6所述的應用于ADC的高增益高線性度動態(tài)放大器，其特征在于，所述復位電路包括：

第一PMOS管，其柵極接時鐘信號，其源極接電源電壓，其漏極接第六NMOS管的漏極，

第二PMOS管，其柵極接時鐘信號，其源極接電源電壓，其漏極接第七NMOS管的漏極，

第三PMOS管，其柵極接時鐘信號，其源極接電源電壓，其漏極接第四NMOS管的漏極，

第四PMOS管，其柵極接時鐘信號，其源極接電源電壓，其漏極接第五NMOS管的漏極，及，

第三NMOS管，其柵極的輸入信號為時鐘信號和共模檢測電路輸出信號的與運算結果，其漏極與第一NMOS管源極及第二NMOS管源極的并接點相連，其源極接地。