[發明專利]一種銅鉬合金膜的化學蝕刻用組合物

在審

• 申請號: 201811116861.0
• 申請日: 2018-09-25
• 公開（公告）號: CN109112545A
• 公開（公告）日: 2019-01-01
• 發明（設計）人: 趙大成;康威;陳思宇;鄭春懷;鄢艷華;張文濤
• 申請（專利權）人: 惠州市宙邦化工有限公司
• 主分類號: C23F1/44
• 分類號: C23F1/44
• 代理公司: 深圳市千納專利代理有限公司 44218
• 代理人: 蔡義文

本發明公開了一種銅鉬合金膜的化學蝕刻用組合物，以蝕刻用組合物的總重量為100%計，包含下述組分：過氧化氫5%～15%，有機酸0.5%～5%，過氧化氫穩定劑0.1%～5%，金屬螯合劑2.0%～7.0%，蝕刻添加劑0.001%～0.5%，表面活性劑0.03%～0.1%，磷酸酯類物質0.005%～0.05，pH調節劑3.0%～7.0%，余量為去離子水。本發明化學蝕刻用組合物具有高效高精度蝕刻、使用壽命長、蝕刻過程中不會產生蝕刻殘渣且反應條件溫和，工作操作方便等優點。

技術領域

本發明涉及蝕刻技術領域，具體為一種銅鉬合金膜的化學蝕刻用組合物。

背景技術

蝕刻是將材料使用化學反應或物理撞擊作用而移除的技術。蝕刻技術分為濕蝕刻和干蝕刻，其中，濕蝕刻是采用化學試劑，經由化學反應達到蝕刻的目的。

近年來，人們對液晶顯示器的需求量不斷增加的同時，對產品的質量和畫面精度也提出了更高的要求，而蝕刻的效果能直接導致電路板制造工藝的好壞，影響高密度細導線圖像的精度和質量。以往的液晶顯示裝置的金屬配線中使用了鋁或鋁合金，但是隨著液晶顯示器的大型化以及高分辨率化，與薄膜晶體管連接的柵極線和數據線會變長，這些配線的電阻也會增加，因此產生信號延遲等問題。所以，研究轉向與電阻更低的材料即銅或以銅為主成分的布線組合，而鉬具有與玻璃等基板的密合性高、難以產生向硅半導體膜的擴散，且兼具阻擋性。因此，將包含銅、以銅為主成分的銅鉬合金的層疊膜通過濺射法等成膜工藝在玻璃等基板上成膜，然后經過將抗蝕劑等作為掩膜進行蝕刻的蝕刻工序而成為電極圖案，從而制備得到導電性好、導熱性好的配線。

以往的雙氧水系銅鉬合金用蝕刻液，為了提高蝕刻銅鉬合金的速度，常常加入氟化物和無機酸。這些蝕刻液不足之處在于加入的氟化物對環境極為不友好，腐蝕能力強，在試劑蝕刻過程中，往往難以控制蝕刻角度和蝕刻時間，對操作人員和客戶端設備的危險性也較高，而無機酸主要為硫酸、磷酸，對環境污染較嚴重，另外目前市場上使用的蝕刻液銅溶解量一般在4000ppm～5000ppm之間，使用壽命較短。隨著越來越多的生產者開始使用銅及其合金膜，對一種能夠提高加工精度的蝕刻液的需求大大增加。因此，研發一種不含氟化物和無機酸，對環境友好，使用壽命長，且對基底腐蝕小的銅鉬合金膜蝕刻液，為本技術領域迫切需要解決的技術問題。

發明內容

針對上述技術缺陷，本發明提供一種使用壽命長，蝕刻無殘渣，蝕刻效率高且精度高，對基底腐蝕小且對環境友好的銅鉬合金膜蝕刻液。

本發明提供一種銅鉬合金膜的化學蝕刻用組合物，以蝕刻用組合物的總重量為100%計，包含下述組分：

過氧化氫 5%～15%

有機酸 0.5%～5%

過氧化氫穩定劑 0.1%～5%

金屬螯合劑 2.0%～7.0%

蝕刻添加劑 0.001%～0.5%

表面活性劑 0.03%～0.1%

磷酸酯類物質 0.005%～0.05%

pH調節劑 3.0%～7.0%

余量為去離子水。