[發明專利]一種逐液滴離心霧化法專用轉盤結構

在審

• 申請號: 201811116502.5
• 申請日: 2018-09-25
• 公開（公告）號: CN109175392A
• 公開（公告）日: 2019-01-11
• 發明（設計）人: 董偉;孟瑤;朱勝;王曉明;趙陽;許富民;白兆豐;王延洋;韓陽;李國斌;石晶;韓國峰;王思捷;常青;任志強;滕濤
• 申請（專利權）人: 大連理工大學;中國人民解放軍陸軍裝甲兵學院
• 主分類號: B22F9/10
• 分類號: B22F9/10
• 代理公司: 大連東方專利代理有限責任公司 21212
• 代理人: 李馨

本發明提供一種逐液滴離心霧化法專用轉盤結構，其特征在于，包括：基體，基體由上部的承接部和下部的支撐部構成的縱截面呈類“T型”的主體結構，承接部上表面設有與其圓心同軸的具有一定半徑的圓形凹槽；霧化平面，為圓盤結構，圓盤與圓形凹槽相匹配且與圓形凹槽過盈配合，霧化平面采用與霧化熔體潤濕角＜90°的材料制成；通氣孔，貫通設置在承接部及支撐部內，通氣孔的上端面與霧化平面的下端面接觸，通氣孔的下端與外界連通。本發明主要采用分體式轉盤結構，使用與霧化熔體有較好潤濕性的材料作為轉盤的霧化平面，使用導熱性較差的材質作為轉盤的基體，從而起到在霧化制粉過程中能較好的承接金屬液滴，利于液滴的鋪展霧化充分。

技術領域

本發明屬于超細球形微粒子制備技術領域，具體而言，尤其涉及一種逐液滴離心霧化法專用轉盤結構。

背景技術

傳統離心霧化的接收裝置主要使用一體式轉盤結構，且轉盤通常采用與霧化合金具有較差潤濕性的材料，此時熔融合金與轉盤表面之間的粘附性較小，這就導致轉盤傳導熔融液膜的動能十分有限，且當熔體溫度及轉速過高時，熔體易發生側滑，嚴重影響霧化效率。

針對傳統離心霧化中由于轉盤結構的不適帶來的霧化效果不佳，有必要重新設計一種轉盤結構以解決上述問題。

發明內容

根據上述提出的轉盤結構帶來的霧化效果不佳的技術問題，而提供一種逐液滴離心霧化法專用轉盤結構。本發明主要采用分體式轉盤結構，霧化平面與基體分別選取不同材料的結構形式，使用與霧化熔體有較好潤濕性的材料作為轉盤的霧化平面，使用導熱性較差的材質作為轉盤的基體，在霧化平面下端面與轉盤支撐部之間增設通氣孔，從而起到在霧化制粉過程中能較好的承接金屬液滴，利于液滴的鋪展霧化充分。

本發明采用的技術手段如下：

一種逐液滴離心霧化法專用轉盤結構，其特征在于，包括：

基體，所述基體由上部的承接部和下部的支撐部構成的縱截面呈類“T型”的主體結構，所述承接部上表面設有與其圓心同軸的具有一定半徑的圓形凹槽；其中，所述基體采用導熱性小于20W/m/k的材料制成；

霧化平面，為圓盤結構，所述圓盤與所述圓形凹槽相匹配且與所述圓形凹槽過盈配合，所述霧化平面采用與霧化熔體潤濕角＜90°的材料制成；

通氣孔，貫通設置在所述承接部及所述支撐部內，所述通氣孔的上端面與所述霧化平面的下端面接觸，所述通氣孔的下端與外界連通。

優選地，基體的高度為10-20mm，支撐部的高度不宜太高，小于承接部的高度為宜。

進一步地，所述霧化平面的上端面凸出于所述承接部上端面，凸出范圍為0.1-0.5mm。凸出高度只要滿足利于離散的金屬液滴不接觸基體，直接飛到腔室內即可。

進一步地，所述承接部的直徑范圍在10-100mm，所述圓形凹槽的直徑范圍在5-90mm。

進一步地，所述轉盤的轉速為10000rpm-50000rpm。

進一步地，所述基體采用二氧化鋯陶瓷、二氧化硅玻璃或不銹鋼制成，不局限于上述幾種材質，只要滿足導熱性小于20W/m/k的材料均可。

進一步地，所述通氣孔的上端面小于等于所述霧化平面的下端面，通氣孔設置的目的是為了在抽真空時可以將轉盤內間隙的氣體抽的更干凈，轉盤高速旋轉時更加安全，因此通氣孔的上端面與霧化平面的下端面的接觸面積越大抽真空時霧化平面的穩定性越好。

較現有技術相比，本發明具有以下優點：

1、本發明采用導熱性較差即導熱性小于20W/m/k的材料作為基體，可有效減少由轉盤傳遞到高速電機上的熱量，防止其影響高速電機正常工作；