[發明專利]一種三維立體芯片生產工藝方法及其走線結構

在審

• 申請號: 201811116089.2
• 申請日: 2018-09-25
• 公開（公告）號: CN109192671A
• 公開（公告）日: 2019-01-11
• 發明（設計）人: 姚艷龍;賴定權;沙小強;陳香玉
• 申請（專利權）人: 深圳市麥捷微電子科技股份有限公司
• 主分類號: H01L21/48
• 分類號: H01L21/48;H01L23/538;H01L41/047;H01L41/29
• 代理公司: 深圳市千納專利代理有限公司 44218
• 代理人: 黃良寶

一種三維立體芯片生產工藝方法及其走線結構，涉及到聲表面波器件芯片技術領域。解決現有的聲表面波器件芯片采用平面工藝生產，產品體積大，不利于小型化發展需求的技術不足，首先在基片上制作第一金屬層；然后在第一金屬層上方需要與第二金屬層相交的位置增加一層隔離膠層，并對隔離膠層的邊緣進行梯度化處理；之后在基片上再制作經隔離膠層上橫跨第一金屬層的第二金屬層。實現橫縱兩路信號的連接同時又沒有短路，大大減小了芯片的面積，是芯片目前及未來不可或缺的技術。采用梯度化處理的隔離膠層邊緣，可以有效防止空腔會塌陷，第二金屬層易斷裂，芯片性能上開路即器件功能失效的技術問題，可靠性好。

技術領域

本發明涉及到聲表面波器件芯片技術領域。

背景技術

聲表面波濾波器（SAWF）廣泛的應用在射頻移動通信中，根據研究機構Yole Développement預測，智能型手機使用的射頻SAW 器件，2016年產值為101億美元，到了2022年，預計將會成長至227億美元。如此快速的成長與5G使用新的天線、多載波聚合等技術密不可分，這些新技術將需要額外的濾波功能，并帶動相關組件市場蓬勃發展。

小型化、輕薄化、集成化是移動通信終端永恒的追求。為了適應終端的需求，對其內部的模塊，器件提出了更小的要求。聲表面波器件芯片采用半導體IC工藝技術，其核心工藝包括，鍍膜、光刻等。通常情況下聲表器件的芯片采用平面工藝，但隨著對芯片尺寸小型化的不斷追求下，三維立體的工藝技術得到越來越廣泛的應用。

發明內容

綜上所述，本發明的目的在于解決現有的聲表面波器件芯片采用平面工藝生產，產品體積大，不利于小型化發展需求的技術不足，而提出一種三維立體芯片生產工藝方法及其走線結構。

為解決本發明所提出的技術問題，采用的技術方案為：

一種三維立體芯片生產工藝方法，其特征在于所述方法首先在基片上制作第一金屬層；然后在第一金屬層上方需要與第二金屬層相交的位置增加一層隔離膠層，并對隔離膠層的邊緣進行梯度化處理；之后在基片上再制作經隔離膠層上橫跨第一金屬層的第二金屬層。

所述的隔離膠層與第二金屬層相交的邊緣預先進行齒狀處理。

一種三維立體芯片走線結構，包括有基片，基片上設有第一金屬層；其特征于：所述的基片上還設有與第一金屬層隔離相交的第二金屬層，所述的第一金屬層上與第二金屬層相交處設有隔離膠層，隔離膠層與第二金屬層相交的邊緣為梯度化平緩過度結構。

所述的隔離膠層與第二金屬層相交的邊緣為齒狀結構。

本發明的有益效果為：本發明的生產工藝實現橫縱兩路信號的連接同時又沒有短路，大大減小了芯片的面積，是芯片目前及未來不可或缺的技術。采用梯度化處理的隔離膠層邊緣，可以有效防止空腔會塌陷，第二金屬層易斷裂，芯片性能上開路即器件功能失效的技術問題，可靠性好。

附圖說明

圖1為本發明的俯視結構示意圖；

圖2為本發明的隔離膠層的結構示意圖。

具體實施方式

以下結合附圖和本發明優選的具體實施例對本發明的結構作進一步地說明。

參照圖1和圖2中所示，本發明三維立體芯片生產工藝方法，首先在基片1上制作第一金屬層2；然后在第一金屬層2上方需要與第二金屬層3相交的位置增加一層隔離膠層4，并對隔離膠層4的邊緣進行梯度化處理；之后在基片1上再制作經隔離膠層4上橫跨第一金屬層2的第二金屬層3。隔離膠層4的作用是實現橫向第一金屬層2與縱向第二金屬層3相交而不會出現短路，與傳統制作基片隔離后再制作第二金屬層3相比，本發明大大減小了芯片的體積。