[發(fā)明專利]一種三維立體芯片生產(chǎn)工藝方法及其走線結(jié)構(gòu)在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 201811116089.2 | 申請日: | 2018-09-25 |
| 公開(公告)號: | CN109192671A | 公開(公告)日: | 2019-01-11 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 姚艷龍;賴定權(quán);沙小強(qiáng);陳香玉 | 申請(專利權(quán))人: | 深圳市麥捷微電子科技股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/48 | 分類號: | H01L21/48;H01L23/538;H01L41/047;H01L41/29 |
| 代理公司: | 深圳市千納專利代理有限公司 44218 | 代理人: | 黃良寶 |
| 地址: | 518000 廣東省深圳*** | 國省代碼: | 廣東;44 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 隔離膠層 第二金屬層 第一金屬層 芯片 聲表面波器件 三維立體 芯片生產(chǎn) 走線結(jié)構(gòu) 梯度化 芯片技術(shù)領(lǐng)域 兩路信號 平面工藝 器件功能 短路 減小 空腔 制作 塌陷 開路 相交 斷裂 橫跨 生產(chǎn) | ||
1.一種三維立體芯片生產(chǎn)工藝方法,其特征在于所述方法首先在基片上制作第一金屬層;然后在第一金屬層上方需要與第二金屬層相交的位置增加一層隔離膠層,并對隔離膠層的邊緣進(jìn)行梯度化處理;之后在基片上再制作經(jīng)隔離膠層上橫跨第一金屬層的第二金屬層。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種三維立體芯片生產(chǎn)工藝方法,其特征在于:所述的隔離膠層與第二金屬層相交的邊緣預(yù)先進(jìn)行齒狀處理。
3.一種三維立體芯片走線結(jié)構(gòu),包括有基片,基片上設(shè)有第一金屬層;其特征于:所述的基片上還設(shè)有與第一金屬層隔離相交的第二金屬層,所述的第一金屬層上與第二金屬層相交處設(shè)有隔離膠層,隔離膠層與第二金屬層相交的邊緣為梯度化平緩過度結(jié)構(gòu)。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的三維立體芯片走線結(jié)構(gòu),其特征于:所述的隔離膠層與第二金屬層相交的邊緣為齒狀結(jié)構(gòu)。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





