[發明專利]有機發光二極管顯示設備在審
| 申請號: | 201811114072.3 | 申請日: | 2018-09-25 |
| 公開(公告)號: | CN109585497A | 公開(公告)日: | 2019-04-05 |
| 發明(設計)人: | 許峻瑛 | 申請(專利權)人: | 樂金顯示有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/32 | 分類號: | H01L27/32 |
| 代理公司: | 永新專利商標代理有限公司 72002 | 代理人: | 陳松濤;夏青 |
| 地址: | 韓國*** | 國省代碼: | 韓國;KR |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 有機發光二極管顯示設備 堤部 像素 有機發光二極管 第一電極 相鄰像素 像素分配 暴露 | ||
公開了一種有機發光二極管顯示設備。所述有機發光二極管顯示設備包括:像素,所述像素包括有機發光二極管;以及堤部,所述堤部劃分相鄰的像素并且具有暴露為每個所述像素分配的所述有機發光二極管的第一電極的至少一部分。所述堤部包括設置在至少一個區域中的相鄰像素之間的至少一個凹槽。
技術領域
本公開涉及一種有機發光二極管顯示設備。
背景技術
已經開發了能夠降低重量和體積的各種顯示設備,重量和體積是陰極射線管的缺點。顯示設備可以被實現為液晶顯示器(LCD)、場發射顯示器(FED)、等離子體顯示面板(PDP)、電致發光顯示器、有機發光二極管顯示設備等等。
在這些顯示設備中,有機發光二極管顯示設備是激發有機化合物以發光的自發射型顯示設備。因為不需要在LCD中使用的背光,所以有機發光二極管顯示設備具有輕、薄且簡化工藝的優點。另外,有機發光二極管顯示設備被廣泛使用,因為其具有諸如低溫生產、響應速度小于1ms的高響應速度、低的功耗、寬視角以及高對比度的特性。
有機發光二極管顯示設備包括用于將電能轉換為光能的有機發光二極管(OLED)。有機發光二極管包括陽極、陰極、以及布置在陽極和陰極之間的有機發光層。在有機發光二極管顯示設備中,分別從陽極和陰極注入的空穴和電子在有機發光層中組合,以形成電子空穴對。在從激發態落入基態的同時,所形成的電子空穴對發光并且顯示圖像。
有機發光層可以包括紅色(R)、綠色(G)和藍色(B)有機發光層并且它們可以分別被形成在對應的紅色(R)、綠色(G)和藍色(B)像素中。針對紅色(R)、綠色(G)和藍色(B)像素的這種構圖,通常使用精細金屬掩模(FMM)。然而,盡管工藝技術具有突破性進展,在使用FMM掩模以實現高分辨率顯示設備方面仍然存在限制。實際上,當使用FMM掩模以實現1000PPI(像素每英寸)或更高的分辨率時,難以確保高于一定水平的工藝良率。
另外,為了實施大面積高分辨率顯示設備,需要與之對應的大面積FMM掩模。然而,隨著掩模的面積增大,產生一種由于掩模的重量導致掩模的中心下垂的現象,并且導致了諸如在某些地方形成有機發光層失敗的各種缺陷。
發明內容
本公開提供了一種通過使得泄漏電流最小化而具有改善的顯示質量的有機發光二極管顯示設備。
在一方面中,提供了一種有機發光二極管顯示設備,包括:像素,所述像素包括有機發光二極管;以及堤部,所述堤部劃分相鄰的像素并且具有開口,所述開口暴露出為每個所述像素分配的所述有機發光二極管的第一電極的至少一部分。所述堤部包括在至少一個區域中的所述相鄰的像素之間設置的至少一個凹槽。
所述凹槽可以具有完全穿透所述堤部的整個厚度的孔形狀,或者具有從所述堤部的上表面向內部分凹陷的凹陷形狀。
設置多個所述凹槽,所述多個凹槽可以沿著一個方向被布置在所述一個方向上的相鄰像素之間。
所述凹槽可以包括:第一凹槽,所述第一凹槽被布置在第一區域中的相鄰像素之間;以及第二凹槽,所述第二凹槽被布置在第二區域中的相鄰像素之間。所述第一凹槽和所述第二凹槽可以彼此分離開。
所述第一凹槽可以被布置在第一方向上的相鄰像素之間。所述第二凹槽可以被布置在與所述第一方向相交的第二方向上的相鄰像素之間。
所述第一區域和所述第二區域可以是在與所述第一方向相交的第二方向上的相鄰像素之間沿著第一方向劃分的區域。
所述有機發光二極管可以包括:覆蓋所述像素的有機發光層;以及覆蓋所述有機發光層的第二電極。所述有機發光層和所述第二電極可以包括由所述凹槽物理分離的至少一個區域。
所述有機發光層和所述第二電極的由所述凹槽物理分離的部分可以保留在所述凹槽中。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





