[發明專利]有機發光二極管顯示設備在審
| 申請號: | 201811114072.3 | 申請日: | 2018-09-25 |
| 公開(公告)號: | CN109585497A | 公開(公告)日: | 2019-04-05 |
| 發明(設計)人: | 許峻瑛 | 申請(專利權)人: | 樂金顯示有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/32 | 分類號: | H01L27/32 |
| 代理公司: | 永新專利商標代理有限公司 72002 | 代理人: | 陳松濤;夏青 |
| 地址: | 韓國*** | 國省代碼: | 韓國;KR |
| 權利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 有機發光二極管顯示設備 堤部 像素 有機發光二極管 第一電極 相鄰像素 像素分配 暴露 | ||
1.一種有機發光二極管顯示設備,包括:
像素,所述像素包括有機發光二極管;以及
堤部,所述堤部劃分相鄰的像素,并且具有開口,所述開口暴露出為每個所述像素分配的所述有機發光二極管的第一電極的至少一部分,
其中,所述堤部包括在至少一個區域中的所述相鄰的像素之間設置的至少一個凹槽。
2.根據權利要求1所述的有機發光二極管顯示設備,其中,所述凹槽具有完全穿透所述堤部的整個厚度的孔形狀,或者具有從所述堤部的上表面向內部分凹陷的凹陷形狀。
3.根據權利要求1所述的有機發光二極管顯示設備,其中,設置多個所述凹槽,并且
其中,所述多個凹槽沿著一個方向被布置在所述一個方向上的相鄰像素之間。
4.根據權利要求1所述的有機發光二極管顯示設備,其中,所述凹槽包括:
第一凹槽,所述第一凹槽被布置在第一區域中的相鄰像素之間;以及
第二凹槽,所述第二凹槽被布置在第二區域中的相鄰像素之間,
其中,所述第一凹槽和所述第二凹槽彼此分離開。
5.根據權利要求4所述的有機發光二極管顯示設備,其中,所述第一凹槽被布置在第一方向上的相鄰像素之間,并且
其中,所述第二凹槽被布置在與所述第一方向相交的第二方向上的相鄰像素之間。
6.根據權利要求4所述的有機發光二極管顯示設備,其中,所述第一區域和所述第二區域是在與所述第一方向相交的第二方向上相鄰的像素之間沿著第一方向劃分的區域。
7.根據權利要求1所述的有機發光二極管顯示設備,其中,所述有機發光二極管包括:
覆蓋所述像素的有機發光層;以及
覆蓋所述有機發光層的第二電極,
其中,所述有機發光層和所述第二電極包括由所述凹槽物理分離的至少一個區域。
8.根據權利要求7所述的有機發光二極管顯示設備,其中,所述有機發光層和所述第二電極的由所述凹槽物理分離的部分保留在所述凹槽中。
9.根據權利要求7所述的有機發光二極管顯示設備,其中,所述凹槽的形狀通過底表面和從所述底表面的兩端延伸的兩側來限定,并且
其中,所述底表面和所述側之間的角度為銳角。
10.根據權利要求7所述的有機發光二極管顯示設備,其中,所述第二電極包括未被所述凹槽物理分離并且繼續保持連續性的連接區。
11.根據權利要求1所述的有機發光二極管顯示設備,其中,所述像素包括;
發射第一顏色光的第一像素;以及
與所述第一像素相鄰并且發射所述第一顏色光的第二像素,
其中,所述凹槽未布置在所述第一像素和所述第二像素之間。
12.根據權利要求1所述的有機發光二極管顯示設備,其中,所述像素包括:
第一像素;
第二像素,所述第二行素在第一方向上與所述第一像素相鄰,并且與所述第一像素分隔開第一距離;以及
第三像素,所述第三像素在與所述第一方向相交的第二方向上與所述第一像素相鄰,并且與所述第一像素分隔開短于所述第一距離的第二距離,
其中,布置在所述第一像素和所述第二像素之間的凹槽的數量小于布置在所述第一像素和所述第三像素之間的凹槽的數量。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息,商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于樂金顯示有限公司,未經樂金顯示有限公司許可,擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作,請聯系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/201811114072.3/1.html,轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
- 上一篇:有機發光二極管顯示設備
- 下一篇:無源矩陣有機發光二極管顯示器
- 同類專利
- 專利分類
H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





