[發明專利]半導體器件形成方法

有效

• 申請號: 201811109931.X
• 申請日: 2018-09-21
• 公開（公告）號: CN110943032B
• 公開（公告）日: 2022-03-29
• 發明（設計）人: 楊麗輝
• 申請（專利權）人: 長鑫存儲技術有限公司
• 主分類號: H01L21/762
• 分類號: H01L21/762;H01L27/108
• 代理公司: 北京律智知識產權代理有限公司 11438
• 代理人: 袁禮君;闞梓瑄

1.一種半導體器件形成方法，其特征在于，包括：

在襯底上形成具有位元線接觸圖形的底部抗反射涂層BARC；

沉積第二膜層；

沉積第一膜層，所述第一膜層形成側壁間溝槽；

刻蝕所述第一膜層以及所述側壁間溝槽下方的第二膜層與襯底，形成所述襯底內的隔離溝槽，所述隔離溝槽與所述側壁間溝槽的寬度相等；

沉積第一隔離材料，形成淺溝槽隔離結構；

刻蝕剩余的第二膜層以及所述第二膜層下方的襯底，形成所述襯底內的字元線溝槽，所述字元線溝槽的寬度與所述第二膜層的厚度相等；

在所述襯底與所述字元線溝槽的界面處形成柵氧化層，并在所述字元線溝槽內填充導電材料，形成埋入式字元線；

在所述字元線溝槽內繼續填充第二隔離材料，并移除超出所述BARC上表面的第二隔離材料；

刻蝕所述BARC，形成位元線接觸孔。

2.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述在所述字元線溝槽內填充導電材料，形成埋入式字元線包括：

在所述柵氧化層上生長字元線接觸層；

在所述字元線溝槽內填充字元線材料；

移除超出所述襯底上表面的字元線接觸層與字元線材料，形成所述埋入式字元線。

3.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，在襯底上形成具有位元線接觸圖形的BARC包括：

在所述襯底上依次形成墊氧化層與墊氮化層；

在所述墊氮化層上形成具有位元線接觸圖形的BARC；

所述刻蝕所述第一膜層以及所述側壁間溝槽下方的襯底，形成所述襯底內的隔離溝槽包括：

刻蝕所述第一膜層以及所述側壁間溝槽下方的墊氧化層、墊氮化層與襯底，形成所述襯底內的隔離溝槽；

所述刻蝕所述BARC，形成位元線接觸孔包括：

刻蝕所述BARC以及所述BARC下方的墊氧化層與墊氮化層，形成所述位元線接觸孔。

4.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述沉積第一隔離材料，形成淺溝槽隔離結構包括：

沉積第一隔離材料，并移除超出所述BARC上表面的第一隔離材料，形成所述淺溝槽隔離結構。

5.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述BARC的材料包括氮氧化硅，所述第一膜層的材料包括多晶硅或二氧化硅，所述第一隔離材料包括二氧化硅。

6.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述第二膜層的材料包括氮化硅或無定形碳，所述第二隔離材料包括氮化硅。

7.根據權利要求2所述的方法，其特征在于，所述字元線接觸層的材料包括氮化鈦，所述字元線材料包括鎢。

8.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述沉積第二膜層與所述沉積第一膜層包括：

利用低壓化學氣相沉積LPCVD或原子層沉積ALD工藝依次沉積所述第二膜層與所述第一膜層。

9.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述BARC的厚度大于所述第一膜層與所述第二膜層的厚度之和。