[發(fā)明專利]基于銅柱導(dǎo)通技術(shù)的攝像模組封裝基板及其制造方法在審
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201811105850.2 | 申請(qǐng)日: | 2018-09-21 |
| 公開(kāi)(公告)號(hào): | CN109378295A | 公開(kāi)(公告)日: | 2019-02-22 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 張成立;王強(qiáng) | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 寧波華遠(yuǎn)電子科技有限公司 |
| 主分類號(hào): | H01L21/768 | 分類號(hào): | H01L21/768 |
| 代理公司: | 北京眾合誠(chéng)成知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11246 | 代理人: | 文芳 |
| 地址: | 315400 浙江省寧波市余*** | 國(guó)省代碼: | 浙江;33 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 金屬層 光阻膜 銅柱 封裝基板 攝像模組 導(dǎo)通 去除 制造 層間導(dǎo)通孔 介質(zhì)層表面 層間導(dǎo)通 可檢測(cè)度 電鍍銅 介質(zhì)層 有效地 基板 減小 開(kāi)窗 銅層 顯影 制備 制作 重復(fù) 覆蓋 | ||
本發(fā)明涉及一種基于銅柱導(dǎo)通技術(shù)的攝像模組封裝基板及其制造方法,其制造方法為:在基板上制作介質(zhì)層;在介質(zhì)層表面制作金屬層;在金屬層上覆蓋一銅層;在金屬層上貼光阻膜;光阻膜顯影開(kāi)窗;電鍍銅柱;去除光阻膜;去除金屬層;重復(fù)以上驟,制備上一層線路,利用銅柱實(shí)現(xiàn)層間導(dǎo)通。該方法有效地減小產(chǎn)品尺寸、層數(shù)和產(chǎn)品厚度,使層間導(dǎo)通孔做得更小,其可靠性也加強(qiáng),不良可檢測(cè)度更高。
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及電子信息技術(shù)領(lǐng)域,具體涉及一種攝像模組封裝基板及其制造方法。
背景技術(shù)
由于信號(hào)傳輸?shù)母蓴_、產(chǎn)品體積大小以及零部件安裝匹配問(wèn)題,導(dǎo)致攝像模組的應(yīng)用品質(zhì)高低不等,因此,結(jié)合現(xiàn)有攝像模組封裝基板的缺陷,研發(fā)一種高端攝像模組的封裝基板。為進(jìn)一步對(duì)攝像模組封裝基板外型的細(xì)節(jié)尺寸進(jìn)行優(yōu)化,完成具有高傳輸效率、高性能的布線方案,需滿足一定技術(shù)要求。
線路形成方法中,減成法制造過(guò)程復(fù)雜、工序多,制作的柔性電極精度低、誤差大、線寬和線距受到嚴(yán)重限制,難以應(yīng)用于高密度電路板;全加成法即采用含光敏催化劑的絕緣基板,在按線路圖形曝光后,通過(guò)選擇性化學(xué)沉銅得到導(dǎo)體圖形的工藝,這種工藝適合制作精細(xì)線路;半加成法,采用絕緣基板,進(jìn)行化學(xué)沉銅得到薄銅箔,然后圖形電鍍加厚導(dǎo)體,多余薄銅箔被快速蝕刻除去得到導(dǎo)體圖形的工藝。這種方法由于化學(xué)沉銅得到的銅層很薄,易于蝕刻,因此適合做精細(xì)線路。綜上所述,加成法線路制作工藝可以實(shí)現(xiàn)精細(xì)線路制作。
線路形成后,主要通過(guò)導(dǎo)電過(guò)孔的制作來(lái)實(shí)現(xiàn)上下導(dǎo)線層面的連接。傳統(tǒng)的導(dǎo)電過(guò)孔的制作方法有機(jī)械成孔,但使用機(jī)械成孔技術(shù)時(shí),一般孔徑較大,同時(shí)使用通孔實(shí)現(xiàn)層間互連時(shí),即便只是為了實(shí)現(xiàn)某兩層之間的連接,也需要在其它層的相應(yīng)位置鉆出通孔,所以制約了布線密度的提高;而激光鉆孔方式則是鉆出所需要的通孔,再通過(guò)沉銅、電鍍工藝形成空心的導(dǎo)電過(guò)孔激光鉆孔方式進(jìn)行開(kāi)孔,再進(jìn)行鍍銅,通過(guò)激光鉆孔形成的孔徑大,難以做到高密度的設(shè)計(jì)與制造。
因此,基于加成工藝線路的基礎(chǔ)上,研發(fā)一種銅柱導(dǎo)通技術(shù),以代替?zhèn)鹘y(tǒng)的盲孔或通孔導(dǎo)通,不僅可以使層間導(dǎo)通孔做得更小,與普通激光鉆孔/填孔工藝比較,其可靠性也加強(qiáng),不良可檢測(cè)度更高,避免了眾多失效模式發(fā)生。本發(fā)明立足于此,提供了可靠的解決方案。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的在于針對(duì)上述現(xiàn)有技術(shù)中存在的缺陷,提供一種銅柱導(dǎo)通技術(shù),并且采用加成法線路制作的方法,以達(dá)到有效地減小產(chǎn)品尺寸、層數(shù)和產(chǎn)品厚度,使層間導(dǎo)通孔做得更小,其可靠性也加強(qiáng),不良可檢測(cè)度更高,避免了眾多失效模式發(fā)生的目的。
本發(fā)明為了達(dá)到上述的目的,所采用的技術(shù)方案是提供一種基于銅柱導(dǎo)通技術(shù)和加成工藝線路的方法,具體的制作步驟是:
步驟1:在基板上制作介質(zhì)層
采用樹(shù)脂涂敷或貼膜或?qū)訅航橘|(zhì)層的方法;
步驟2:在介質(zhì)層表面制作金屬層
通過(guò)化學(xué)沉積或?yàn)R射的方式制作加成法制作線路的金屬層;
步驟3:在金屬層上覆蓋一銅層
步驟4:在金屬層上貼光阻膜
在覆蓋銅層的金屬層貼上可進(jìn)行曝光顯影的光阻膜;
步驟5:光阻膜顯影開(kāi)窗
利用曝光顯影設(shè)備將基板進(jìn)行圖形曝光、顯影與去除部分圖形光阻膜,以露出基板后續(xù)需要進(jìn)行銅柱電鍍的區(qū)域圖形;
步驟6:電鍍銅柱
在步驟5中基板去除部分光阻膜的區(qū)域內(nèi)電鍍上金屬線路層作為連接銅柱;
步驟7:去除光阻膜
去除金屬層表面的光阻膜;
步驟8:去除金屬層
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個(gè)器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過(guò)程中的測(cè)試或測(cè)量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過(guò)程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過(guò)程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個(gè)固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





