[發明專利]L型晶體管、半導體存儲器及其制造方法

在審

• 申請號: 201811103364.7
• 申請日: 2018-09-20
• 公開（公告）號: CN110931559A
• 公開（公告）日: 2020-03-27
• 發明（設計）人: 趙亮
• 申請（專利權）人: 長鑫存儲技術有限公司
• 主分類號: H01L29/78
• 分類號: H01L29/78;H01L29/08;H01L21/336;H01L27/108;H01L21/8242
• 代理公司: 上海思微知識產權代理事務所(普通合伙) 31237
• 代理人: 智云

本發明提供一種L型晶體管、半導體存儲器及其制備方法，所述L型晶體管具有沿第二方向延伸的L型鰭片，第一源/漏區形成在所述L型鰭片的豎直鰭片部中，第二源/漏區形成在所述L型鰭片的水平直鰭片部中，柵極設置在所述水平直鰭片部上并沿所述第一方向延伸，由此使得所述第一源/漏區與第二源/漏區之間形成一個垂直L型溝道，可以增加有效溝道長度，克服短溝道效應，有利于實現更小的特征尺寸。

技術領域

本發明涉及集成電路制造技術領域，尤其涉及一種L型晶體管、半導體存儲器及其制造方法。

背景技術

在半導體器件尤其是存儲器領域，增大器件集成度的方法包括減小器件特征尺寸和改善單元結構。但是隨著特征尺寸的減小，小尺寸晶體管會產生嚴重的短溝道效應，故可以通過改善器件單元結構，例如設計立體的晶體管結構，可以使得在相同特征尺寸條件下單個器件單元所占面積大大減小，從而增大器件集成度。

因此需要設計一種新的立式晶體管結構、半導體存儲器及其制造方法，使得在相同特征尺寸條件下單個器件單元所占面積大大減小，從而增大器件集成度。

發明內容

本發明的目的在于提供一種L型晶體管、半導體存儲器及其制造方法，使得在相同特征尺寸條件下單個器件單元所占面積大大減小，從而增大器件集成度。

為了實現上述目的，本發明提供一種L型晶體管，包括：

半導體襯底，所述半導體襯底具有L型鰭片，所述L型鰭片包括沿第二方向延伸的水平鰭片部以及豎直設置在所述水平鰭片部的一端上的豎直鰭片部，且所述豎直鰭片部的底端部和所述水平鰭片部的一端連接，并且所述水平鰭片中形成有第二源/漏區，所述豎直鰭片部的頂端部中形成有第一源/漏區；以及，

柵極，設置在所述水平鰭片部上并沿第一方向延伸。

可選地，所述半導體襯底還具有沿所述第一方向延伸的第一溝槽，所述第一溝槽位于所述L型鰭片沿所述第一方向延伸的兩側壁外，并且所述第一溝槽的底部延伸至所述水平鰭片部的側壁，并使所述L型鰭片沿所述第一方向延伸的兩側壁暴露在所述第一溝槽中。

可選地，所述半導體襯底還具有第二溝槽，所述第二溝槽沿所述第二方向延伸并暴露出所述L型鰭片沿所述第二方向延伸的側壁，所述第一溝槽沿著第一方向的端部延伸至所述第二溝槽，以使所述第一溝槽和所述第二溝槽在所述第二溝槽的側壁上連通。

可選地，所述的L型晶體管，還包括與所述第二源/漏區電連接的埋入式導線，所述埋入式導線埋設在所述第二溝槽中并沿著第二方向延伸，所述柵極沿第一方向延伸至所述第二溝槽中并跨設在所述埋入式導線上方。

可選地，所述的L型晶體管還包括導電接觸結構，形成在所述第二溝槽中，并設置在所述埋入式導線和所述第二源/漏區之間，所述導電接觸結構的一側壁與所述第二源/漏區的側壁表面接觸，所述導電接觸結構的另一側壁與所述埋入式導線的側壁表面接觸，所述導電接觸結構的底表面與所述第二溝槽底部的半導體襯底表面隔離。

可選地，所述的L型晶體管還包括第一介質層，所述第一介質層填充于所述第二溝槽中，所述埋入式導線位于所述第二溝槽中的所述第一介質層上，且所述埋入式導線通過所述第一介質層與所述半導體襯底絕緣隔離。

可選地，所述的L型晶體管還包括第二介質層，所述第二介質層填充在所述第二溝槽中并將所述埋入式導線掩埋在內。

可選地，所述的L型晶體管還包括柵介質層和柵極隔離層，所述柵介質層形成在所述柵極與所述L型鰭片之間，所述柵極隔離層覆蓋在所述柵極上并填滿所述第一溝槽和所述第二溝槽以及所述水平鰭片部上方的空間，以將所述柵極掩埋在內。

本發明還提供一種L型晶體管的制備方法，包括以下步驟：