[發(fā)明專利]L型晶體管、半導體存儲器及其制造方法

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• 申請?zhí)枺?/td>: 201811103364.7
• 申請日: 2018-09-20
• 公開（公告）號: CN110931559A
• 公開（公告）日: 2020-03-27
• 發(fā)明（設計）人: 趙亮
• 申請（專利權）人: 長鑫存儲技術有限公司
• 主分類號: H01L29/78
• 分類號: H01L29/78;H01L29/08;H01L21/336;H01L27/108;H01L21/8242
• 代理公司: 上海思微知識產權代理事務所(普通合伙) 31237
• 代理人: 智云

1.一種L型晶體管，其特征在于，包括：

半導體襯底，所述半導體襯底具有L型鰭片，所述L型鰭片包括沿第二方向延伸的水平鰭片部以及豎直設置在所述水平鰭片部的一端上的豎直鰭片部，且所述豎直鰭片部的底端部和所述水平鰭片部的一端連接，并且所述水平鰭片中形成有第二源/漏區(qū)，所述豎直鰭片部的頂端部中形成有第一源/漏區(qū)；以及，

柵極，設置在所述水平鰭片部上并沿第一方向延伸。

2.如權利要求1所述的L型晶體管，其特征在于，所述半導體襯底還具有沿所述第一方向延伸的第一溝槽，所述第一溝槽位于所述L型鰭片沿所述第一方向延伸的兩側壁外，并且所述第一溝槽的底部延伸至所述水平鰭片部的側壁，并使所述L型鰭片沿所述第一方向延伸的兩側壁暴露在所述第一溝槽中。

3.如權利要求2所述的L型晶體管，其特征在于，所述半導體襯底還具有第二溝槽，所述第二溝槽沿所述第二方向延伸并暴露出所述L型鰭片沿所述第二方向延伸的側壁，所述第一溝槽沿著第一方向的端部延伸至所述第二溝槽，以使所述第一溝槽和所述第二溝槽在所述第二溝槽的側壁上連通。

4.如權利要求3所述的L型晶體管，其特征在于，還包括與所述第二源/漏區(qū)電連接的埋入式導線，所述埋入式導線埋設在所述第二溝槽中并沿著第二方向延伸，所述柵極沿第一方向延伸至所述第二溝槽中并跨設在所述埋入式導線上方。

5.如權利要求4所述的L型晶體管，其特征在于，還包括導電接觸結構，形成在所述第二溝槽中，并設置在所述埋入式導線和所述第二源/漏區(qū)之間，所述導電接觸結構的一側壁與所述第二源/漏區(qū)的側壁表面接觸，所述導電接觸結構的另一側壁與所述埋入式導線的側壁表面接觸，所述導電接觸結構的底表面與所述第二溝槽底部的半導體襯底表面隔離。

6.如權利要求5所述的L型晶體管，其特征在于，還包括第一介質層，所述第一介質層填充于所述第二溝槽中，所述埋入式導線位于所述第一介質層上，且所述埋入式導線通過所述第一介質層與所述半導體襯底絕緣隔離。

7.如權利要求6所述的L型晶體管，其特征在于，所述的L型晶體管還包括第二介質層，所述第二介質層填充在所述第二溝槽中并將所述埋入式導線掩埋在內。

8.如權利要求1所述的L型晶體管，其特征在于，還包括柵介質層和柵極隔離層，所述柵介質層形成在所述柵極與所述L型鰭片之間，所述柵極隔離層覆蓋在所述柵極上并填滿所述第一溝槽和所述第二溝槽以及所述水平鰭片部上方的空間，以將所述柵極掩埋在內。

9.一種L型晶體管的制備方法，其特征在于，包括以下步驟：

提供半導體襯底，并沿第一方向和第二方向分別刻蝕所述半導體襯底，以形成L型鰭片、第一溝槽和第二溝槽，所述L型鰭片包括沿第二方向延伸的水平鰭片部以及豎直設置在所述水平鰭片部的一端上的豎直鰭片部，且所述豎直鰭片部的底端部和所述水平鰭片部的一端連接，所述第二溝槽沿所述第二方向延伸并暴露出所述L型鰭片沿所述第二方向延伸的側壁，所述第一溝槽沿所述第一方向延伸并暴露出所述L型鰭片沿所述第一方向延伸的側壁；

形成埋入式導線于所述第二溝槽中，所述埋入式導線沿著第二方向延伸；以及，

形成柵極于所述水平鰭片部上，所述柵極沿所述第一方向延伸。

10.如權利要求9所述的L型晶體管的制備方法，其特征在于，形成所述L型鰭片、所述第一溝槽和所述第二溝槽的步驟包括：

沿所述第一方向和所述第二方向分別刻蝕所述半導體襯底，以形成深度相同的第一溝槽和第二溝槽；以及，

沿所述第一方向刻蝕所述第一溝槽一側的所述半導體襯底，刻蝕深度小于所述第一溝槽的深度，以形成連通所述第一溝槽的柵極溝槽以及所述L型鰭片，所述L型鰭片的水平鰭片部位于所述柵極溝槽的底部，所述L型鰭片的豎直鰭片部位于所述柵極溝槽的一側。