[發(fā)明專利]一種倒裝焊芯片的HTCC系統(tǒng)級封裝結(jié)構(gòu)及封裝方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201811102793.2 | 申請日: | 2018-09-20 |
| 公開(公告)號: | CN109411370B | 公開(公告)日: | 2020-09-18 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 張小龍;龔科;周國昌;李文琛;王鼎 | 申請(專利權(quán))人: | 西安空間無線電技術(shù)研究所 |
| 主分類號: | H01L21/56 | 分類號: | H01L21/56;H01L23/31;H01L23/367;H01L23/498;H01L25/065 |
| 代理公司: | 中國航天科技專利中心 11009 | 代理人: | 張麗娜 |
| 地址: | 710100*** | 國省代碼: | 陜西;61 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 倒裝 芯片 htcc 系統(tǒng) 封裝 結(jié)構(gòu) 方法 | ||
1.一種倒裝焊芯片的HTCC系統(tǒng)級封裝結(jié)構(gòu),其特征在于:該封裝結(jié)構(gòu)包括HTCC基板(1)、上腔體圍框(2)、上腔體蓋板(3)、下腔體圍框(4)、下腔體蓋板(5)、CGA引腳陣列(6)和散熱片(7);
散熱片(7)和上腔體蓋板(3)并排放置在HTCC基板(1)的上方,在HTCC基板(1)和上腔體蓋板(3)之間安裝上腔體圍框(2),CGA引腳陣列(6)的中心帶有空腔,下腔體蓋板(5)位于CGA引腳陣列(6)的中心空腔內(nèi),CGA引腳陣列(6)和下腔體蓋板(5)位于HTCC基板(1)的下表面,在HTCC基板(1)和下腔體蓋板(5)之間安裝下腔體圍框(4);
HTCC基板(1)和散熱片(7)之間為倒裝焊芯片的安裝區(qū)域,倒裝焊芯片安裝區(qū)域平面度不大于30μm;
HTCC基板(1)的長和寬分別為35-60mm,厚度為2-4mm;
上腔體圍框(2)的高度為1.5-3mm,下腔體圍框(4)的高度為1.5-2mm;上腔體圍框(2)和下腔體圍框(4)的壁厚均為1-2mm,上腔體圍框(2)和下腔體圍框(4)的材料均為可伐合金;
上腔體蓋板(3)和下腔體蓋板(5)的材料均為可伐合金,上腔體蓋板(3)和下腔體蓋板(5)的厚度均為0.1-0.5mm;
CGA引腳陣列(6)的材料為Sn20Pb80,CGA引腳陣列(6)中焊柱的直徑為0.45-0.60mm,焊柱的高度為2-3mm;
CGA引腳陣列(6)中焊柱的排布方式為:Pitch為1.0mm,焊柱的總數(shù)量為860個;
散熱片(7)的材料為AlSiC,厚度為0.5-2.0mm;
該倒裝焊芯片的HTCC系統(tǒng)級封裝結(jié)構(gòu)的制備方法,步驟包括:
(1)制備HTCC基板(1)、上腔體圍框(2)、下腔體圍框(4)、上腔體蓋板(3)、下腔體蓋板(5)、CGA引腳陣列(6)和散熱片(7);
(2)在HTCC基板(1)的下表面的中心區(qū)域焊接下腔體圍框(4),在HTCC基板(1)位于下腔體圍框(4)內(nèi)部的區(qū)域安裝芯片或表貼元件,然后在下腔體圍框(4)的下面安裝下腔體蓋板(5),下腔體圍框(4)的四周安裝CGA引腳陣列(6);
(3)將HTCC基板(1)的上表面分為左右兩部分,在HTCC基板(1)的上表面的做部分并排安裝兩個倒裝焊芯片,然后在HTCC基板(1)的上表面右部分焊接上腔體圍框(2),在HTCC基板(1)位于上腔體圍框(2)內(nèi)部的區(qū)域安裝芯片或表貼元件,最后在上腔體圍框(2)上面安裝上腔體蓋板(3),得到倒裝焊芯片的HTCC系統(tǒng)級封裝結(jié)構(gòu);
所述的步驟(1)中,HTCC基板(1)的長和寬分別為35-60mm,厚度為2-4mm,倒裝焊芯片安裝區(qū)域平面度不大于30μm;上腔體圍框(2)的高度為1.5-3mm,下腔體圍框(4)的高度為1.5-2mm;上腔體圍框(2)和下腔體圍框(4)的壁厚均為1-2mm,上腔體圍框(2)和下腔體圍框(4)的材料均為可伐合金;上腔體蓋板(3)和下腔體蓋板(5)的材料均為可伐合金,上腔體蓋板(3)和下腔體蓋板(5)的厚度均為0.1-0.5mm;CGA引腳陣列(6)的材料為Sn20Pb80,CGA引腳陣列(6)中焊柱的直徑為0.45-0.60mm,焊柱的高度為2-3mm;CGA引腳陣列(6)中焊柱的排布方式為:Pitch為1.0mm,焊柱的總數(shù)量為860個;散熱片(7)的材料為AlSiC,厚度為0.5-2.0mm。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





