[發明專利]半導體存儲器電容連接線結構及制備方法

在審

• 申請號: 201811100903.1
• 申請日: 2018-09-20
• 公開（公告）號: CN110931485A
• 公開（公告）日: 2020-03-27
• 發明（設計）人: 不公告發明人
• 申請（專利權）人: 長鑫存儲技術有限公司
• 主分類號: H01L27/105
• 分類號: H01L27/105;H01L21/8239
• 代理公司: 上海光華專利事務所(普通合伙) 31219
• 代理人: 余明偉

1.一種半導體存儲器電容連接線結構的制備方法，其特征在于，包括如下步驟：

1)提供半導體襯底，所述半導體襯底的表面包含若干個間隔排布的有源區，在所述半導體襯底上形成有若干連接所述有源區的位線；

2)在所述半導體襯底上形成層間介質層，所述層間介質層填滿所述位線之間的間隙及所述位線外側區域；

3)在所述層間介質層內形成第一電容連接孔，所述第一電容連接孔分布于所述位線之間的部分所述有源區上，并暴露出部分所述有源區；

4)在所述第一電容連接孔內形成犧牲介質層，所述犧牲介質層至少填滿所述第一電容連接孔；

5)在所述層間介質層內形成第二電容連接孔，所述第二電容連接孔分布于所述位線之間的部分所述有源區上，并暴露出部分所述有源區，且通過所述層間介質層與所述第一電容連接孔分隔；及

6)去除所述犧牲介質層，并在所述第一電容連接孔和所述第二電容連接孔中形成導電層，所述導電層填滿所述第一電容連接孔和所述第二電容連接孔，分別形成第一電容連接線結構和第二電容連接線結構。

2.根據權利要求1所述的半導體存儲器電容連接線結構的制備方法，其特征在于，在步驟6)中，在所述第一電容連接孔和所述第二電容連接孔中形成導電層之前，還包括在所述第一電容連接孔和所述第二電容連接孔的側壁表面形成隔離介質層的步驟。

3.根據權利要求2所述的半導體存儲器電容連接線結構的制備方法，其特征在于，在步驟6)中所形成的所述隔離介質層至少包含第一隔離介質層和第二隔離介質層，所述第一隔離介質層形成于所述第一電容連接孔和所述第二電容連接孔的側壁表面，所述第二隔離介質層形成于所述第一隔離介質層的表面。

4.根據權利要求1所述的半導體存儲器電容連接線結構的制備方法，其特征在于，在步驟3)中，形成所述第一電容連接孔的方法包括在所述層間介質層及所述位線的上方形成圖形化的刻蝕阻擋層，以所述刻蝕阻擋層作為刻蝕掩膜，通過干法刻蝕形成所述第一電容連接孔。

5.根據權利要求1所述的半導體存儲器電容連接線結構的制備方法，其特征在于，在步驟5)中，形成所述第二電容連接孔的方法包括在所述層間介質層、所述位線及所述犧牲介質層的上方形成圖形化的刻蝕阻擋層，以所述刻蝕阻擋層作為刻蝕掩膜，通過干法刻蝕形成所述第二電容連接孔。

6.根據權利要求5所述的半導體存儲器電容連接線結構的制備方法，其特征在于，在步驟4)中形成的所述犧牲介質層，除了填滿所述第一電容連接孔，還分布于所述層間介質層的表面；在步驟5)中，通過干法刻蝕形成所述第二電容連接孔時，圖形化的所述刻蝕阻擋層形成于所述犧牲介質層的表面，所述干法刻蝕還去除暴露出的部分所述犧牲介質層。

7.根據權利要求1所述的半導體存儲器電容連接線結構的制備方法，其特征在于，在步驟6)中所形成的所述導電層至少包含第一導電層和第二導電層，所述第一導電層位于所述有源區的上方，所述第二導電層位于所述第一導電層的上方。

8.根據權利要求1所述的半導體存儲器電容連接線結構的制備方法，其特征在于，在步驟1)中，在所述半導體襯底上形成所述位線前，還包括于所述半導體襯底內依次形成淺溝槽隔離結構及埋入式字線的步驟，所述若干有源區由所述淺溝槽隔離結構隔離。