[發(fā)明專利]半導(dǎo)體存儲(chǔ)器裝置及其操作方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201811100533.1
• 申請(qǐng)日: 2018-09-20
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN110111832B
• 公開(kāi)（公告）日: 2023-09-15
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 洪龍煥;金炳烈
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 愛(ài)思開(kāi)海力士有限公司
• 主分類號(hào): G11C29/14
• 分類號(hào): G11C29/14;G11C29/18;G11C29/26;G11C29/44
• 代理公司: 北京三友知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11127
• 代理人: 劉久亮

半導(dǎo)體存儲(chǔ)器裝置及其操作方法。一種半導(dǎo)體存儲(chǔ)器裝置包括存儲(chǔ)器單元陣列、讀/寫(xiě)電路和控制邏輯。存儲(chǔ)器單元陣列包括多個(gè)存儲(chǔ)塊。讀/寫(xiě)電路對(duì)存儲(chǔ)器單元陣列的所選頁(yè)執(zhí)行讀/寫(xiě)操作。地址解碼器存儲(chǔ)關(guān)于所述多個(gè)存儲(chǔ)塊中的每一個(gè)的壞塊標(biāo)記數(shù)據(jù)，并響應(yīng)于地址信號(hào)而輸出壞塊標(biāo)記數(shù)據(jù)。控制邏輯控制讀/寫(xiě)電路測(cè)試所述多個(gè)存儲(chǔ)塊中是否發(fā)生了缺陷，并且控制地址解碼器存儲(chǔ)表示所述多個(gè)存儲(chǔ)塊中是否發(fā)生了缺陷的測(cè)試結(jié)果作為壞塊標(biāo)記數(shù)據(jù)。

技術(shù)領(lǐng)域

本公開(kāi)總體上涉及電子裝置，更具體地講，涉及一種半導(dǎo)體存儲(chǔ)器裝置及其操作方法。

背景技術(shù)

存儲(chǔ)器裝置可按照串與半導(dǎo)體基板水平布置的二維結(jié)構(gòu)形成，或者按照串與半導(dǎo)體基板垂直布置的三維結(jié)構(gòu)形成。三維半導(dǎo)體器件是為了克服二維半導(dǎo)體器件中的集成度限制而設(shè)計(jì)的存儲(chǔ)器裝置，并且可包括垂直地層疊在半導(dǎo)體基板上的多個(gè)存儲(chǔ)器單元。

發(fā)明內(nèi)容

實(shí)施方式提供了一種能夠降低測(cè)試成本和測(cè)試時(shí)間的半導(dǎo)體存儲(chǔ)器裝置。

實(shí)施方式還提供了一種能夠降低測(cè)試成本和測(cè)試時(shí)間的半導(dǎo)體存儲(chǔ)器裝置的操作方法。

根據(jù)本公開(kāi)的一方面，提供了一種半導(dǎo)體存儲(chǔ)器裝置，該半導(dǎo)體存儲(chǔ)器裝置包括：存儲(chǔ)器單元陣列，其被配置為包括多個(gè)存儲(chǔ)塊；讀/寫(xiě)電路，其被配置為對(duì)存儲(chǔ)器單元陣列的所選頁(yè)執(zhí)行讀/寫(xiě)操作；地址解碼器，其被配置為存儲(chǔ)關(guān)于多個(gè)存儲(chǔ)塊中的每一個(gè)的壞塊標(biāo)記數(shù)據(jù)，并且響應(yīng)于地址信號(hào)而輸出壞塊標(biāo)記數(shù)據(jù)；以及控制邏輯，其被配置為控制讀/寫(xiě)電路測(cè)試多個(gè)存儲(chǔ)塊中是否發(fā)生了缺陷，并且控制地址解碼器存儲(chǔ)表示多個(gè)存儲(chǔ)塊中是否發(fā)生了缺陷的測(cè)試結(jié)果作為壞塊標(biāo)記數(shù)據(jù)。

存儲(chǔ)器單元陣列可包括修復(fù)區(qū)域和主區(qū)域，其各自包括至少一個(gè)存儲(chǔ)塊。

控制邏輯可通過(guò)收集壞塊標(biāo)記數(shù)據(jù)來(lái)生成壞塊信息，并且基于壞塊信息生成修復(fù)映射信息。

存儲(chǔ)器單元陣列可包括額外區(qū)域，該額外區(qū)域包括至少一個(gè)存儲(chǔ)塊。控制邏輯可控制讀/寫(xiě)電路將壞塊信息和修復(fù)映射信息中的至少一個(gè)編程在額外區(qū)域的存儲(chǔ)塊中。

控制邏輯可控制讀/寫(xiě)電路將壞塊信息和修復(fù)映射信息中的至少一個(gè)備份到主區(qū)域的存儲(chǔ)塊中。

根據(jù)本公開(kāi)的一方面，提供了一種操作包括多個(gè)存儲(chǔ)塊的半導(dǎo)體存儲(chǔ)器裝置的方法，該方法包括以下步驟：對(duì)多個(gè)存儲(chǔ)塊中的每一個(gè)執(zhí)行壞塊標(biāo)記；基于壞塊標(biāo)記的結(jié)果生成壞塊信息；基于壞塊信息生成修復(fù)映射信息；以及將壞塊信息和修復(fù)映射信息中的至少一個(gè)編程在多個(gè)存儲(chǔ)塊中的至少一個(gè)中。

執(zhí)行壞塊標(biāo)記的步驟可包括以下步驟：檢測(cè)多個(gè)存儲(chǔ)塊當(dāng)中的所選存儲(chǔ)塊中是否發(fā)生了缺陷；以及基于通過(guò)檢測(cè)所選存儲(chǔ)塊中是否發(fā)生了缺陷而獲得的結(jié)果，更新與所選存儲(chǔ)塊對(duì)應(yīng)的壞塊鎖存器的數(shù)據(jù)。

壞塊鎖存器可被包括在半導(dǎo)體存儲(chǔ)器裝置的地址解碼器中。

在生成壞塊信息時(shí)，可通過(guò)收集存儲(chǔ)在壞塊鎖存器中的數(shù)據(jù)來(lái)生成壞塊信息。

多個(gè)存儲(chǔ)塊可被區(qū)分以屬于修復(fù)區(qū)域、額外區(qū)域和主區(qū)域中的任一個(gè)。在生成修復(fù)映射信息時(shí)，可通過(guò)將屬于額外區(qū)域和主區(qū)域的存儲(chǔ)塊當(dāng)中的具有缺陷的至少一個(gè)存儲(chǔ)塊映射到屬于修復(fù)區(qū)域的存儲(chǔ)塊來(lái)生成修復(fù)映射信息。

生成修復(fù)映射信息的步驟可包括以下步驟：生成關(guān)于屬于額外區(qū)域的存儲(chǔ)塊的修復(fù)映射信息；以及生成關(guān)于屬于主區(qū)域的存儲(chǔ)塊的修復(fù)映射信息。

根據(jù)本公開(kāi)的一方面，提供了一種操作包括多個(gè)存儲(chǔ)塊的半導(dǎo)體存儲(chǔ)器裝置的方法，該方法包括以下步驟：將備份的先前壞塊標(biāo)記結(jié)果加載到多個(gè)存儲(chǔ)塊當(dāng)中的至少一個(gè)存儲(chǔ)塊中；對(duì)多個(gè)存儲(chǔ)塊中的每一個(gè)執(zhí)行壞塊標(biāo)記；基于壞塊標(biāo)記的結(jié)果生成壞塊信息；基于壞塊信息生成修復(fù)映射信息；將壞塊信息和修復(fù)映射信息中的至少一個(gè)備份到多個(gè)存儲(chǔ)塊中的至少一個(gè)中；以及將壞塊信息和修復(fù)映射信息中的至少一個(gè)編程在多個(gè)存儲(chǔ)塊中的至少一個(gè)中。