[發明專利]半導體存儲器裝置及其操作方法

有效

• 申請號: 201811100533.1
• 申請日: 2018-09-20
• 公開（公告）號: CN110111832B
• 公開（公告）日: 2023-09-15
• 發明（設計）人: 洪龍煥;金炳烈
• 申請（專利權）人: 愛思開海力士有限公司
• 主分類號: G11C29/14
• 分類號: G11C29/14;G11C29/18;G11C29/26;G11C29/44
• 代理公司: 北京三友知識產權代理有限公司 11127
• 代理人: 劉久亮

1.一種半導體存儲器裝置，該半導體存儲器裝置包括：

存儲器單元陣列，該存儲器單元陣列包括多個存儲塊；

讀/寫電路，該讀/寫電路被配置為對所述存儲器單元陣列的所選頁執行讀/寫操作；

地址解碼器，該地址解碼器被配置為存儲關于所述多個存儲塊中的每一個的壞塊標記數據，并且響應于地址信號而輸出所述壞塊標記數據；以及

控制邏輯，該控制邏輯被配置為控制所述讀/寫電路測試所述多個存儲塊中是否發生了缺陷，并且控制所述地址解碼器存儲表示所述多個存儲塊中是否發生了缺陷的測試結果作為所述壞塊標記數據，

其中，所述地址解碼器包括多個壞塊鎖存器，

所述壞塊鎖存器中的每個壞塊鎖存器對應于所述多個存儲塊中的相應存儲塊，

所述多個壞塊鎖存器中的壞塊鎖存器存儲指示與所述壞塊鎖存器相對應的存儲塊是正常塊還是壞塊的位數據，并且

所述地址解碼器輸出所述多個壞塊鎖存器的位數據作為所述壞塊標記數據。

2.根據權利要求1所述的半導體存儲器裝置，其中，所述存儲器單元陣列包括各自包括至少一個存儲塊的修復區域和主區域。

3.根據權利要求2所述的半導體存儲器裝置，其中，所述控制邏輯通過收集所述壞塊標記數據來生成壞塊信息，并且基于所述壞塊信息來生成修復映射信息。

4.根據權利要求3所述的半導體存儲器裝置，其中，所述存儲器單元陣列包括額外區域，所述額外區域包括至少一個存儲塊，

其中，所述控制邏輯控制所述讀/寫電路將所述壞塊信息和所述修復映射信息中的至少一個編程在所述額外區域的存儲塊中。

5.根據權利要求4所述的半導體存儲器裝置，其中，所述控制邏輯控制所述讀/寫電路將所述壞塊信息和所述修復映射信息中的至少一個備份到所述主區域的存儲塊中。

6.一種操作包括多個存儲塊和多個壞塊鎖存器的半導體存儲器裝置的方法，所述壞塊鎖存器中的每個壞塊鎖存器對應于所述多個存儲塊中的相應存儲塊，該方法包括以下步驟：

對所述多個存儲塊中的每一個執行壞塊標記；

基于所述壞塊標記的結果來生成壞塊信息；

基于所述壞塊信息來生成修復映射信息；以及

將所述壞塊信息和所述修復映射信息中的至少一個編程在所述多個存儲塊中的至少一個中，

其中，執行所述壞塊標記的步驟包括以下步驟：

檢測所述多個存儲塊當中的所選存儲塊中是否發生了缺陷；以及

基于通過檢測所述所選存儲塊中是否發生了缺陷而獲得的結果，更新所述多個壞塊鎖存器當中的與所述所選存儲塊對應的壞塊鎖存器的數據，并且

其中，所述壞塊鎖存器的所述數據指示對應的存儲塊是正常塊還是壞塊。

7.根據權利要求6所述的方法，其中，所述壞塊鎖存器被包括在所述半導體存儲器裝置的地址解碼器中。

8.根據權利要求6所述的方法，其中，在生成所述壞塊信息的步驟中，通過收集存儲在所述壞塊鎖存器中的數據來生成所述壞塊信息。

9.根據權利要求6所述的方法，其中，所述多個存儲塊被區分以屬于修復區域、額外區域和主區域中的任一個，

其中，在生成所述修復映射信息的步驟中，通過將屬于所述額外區域和所述主區域的多個存儲塊當中的具有缺陷的至少一個存儲塊映射到屬于所述修復區域的存儲塊來生成所述修復映射信息。

10.根據權利要求9所述的方法，其中，生成所述修復映射信息的步驟包括以下步驟：

生成關于屬于所述額外區域的存儲塊的修復映射信息；以及

生成關于屬于所述主區域的存儲塊的修復映射信息。