[發明專利]薄膜形成方法及薄膜形成裝置

在審

• 申請號: 201811099484.4
• 申請日: 2018-09-20
• 公開（公告）號: CN109536932A
• 公開（公告）日: 2019-03-29
• 發明（設計）人: 柿村崇;北村嘉孝;高田令;A·諾伊曼;C·布林克默勒
• 申請（專利權）人: 株式會社斯庫林集團;贏創德固賽有限公司
• 主分類號: C23C18/14
• 分類號: C23C18/14;C23C18/12
• 代理公司: 隆天知識產權代理有限公司 72003
• 代理人: 向勇

本發明提供一種形成具有良好的電特性的包含氧化銦的薄膜的薄膜形成方法及薄膜形成裝置。在清洗后的基板的表面上涂布包含氧化銦前驅體的涂布液，從而在基板上形成涂布膜。一邊對該基板進行冷卻，一邊在大氣環境中向涂布膜照射紫外線，從而使氧化銦前驅體光學活化。另外，對紫外線照射處理后的基板進行加熱，從而使氧化銦前驅體熱活化。對基板進行冷卻，不對涂布膜進行加熱而向該涂布膜照射紫外線，從而能夠形成具有良好的電特性的包含氧化銦的薄膜。

技術領域

本發明涉及一種形成用于半導體用途的包含氧化銦的薄膜的薄膜形成方法及薄膜形成裝置。

背景技術

典型地，采用濺射技術來形成氧化銦等的金屬氧化物的薄膜。在濺射技術中，在真空腔室內使氬等的離子碰撞靶，使撞出的粒子堆積于基板的表面來形成薄膜。但是，對于濺射技術而言，存在除了需要產生高真空的裝置以外，還在形成金屬氧化膜時因缺氧而薄膜的特性降低的缺點。另外，濺射技術也存在難以調整薄膜的組成比的問題。

因此，正在研究使用液相法制造金屬氧化物的薄膜。例如，在專利文獻1、2中，提出了將含有氧化銦前驅體的組合物涂布在基板上并向該組合物照射規定波長范圍的紫外線后，將組合物熱轉化為含氧化銦層的技術。

專利文獻1：國際公開第2011/073005號；

專利文獻2：國際公開第2012/062575號。

然而，發現了如下問題：像專利文獻1、2公開的那樣，僅通過向含有氧化銦前驅體的組合物只照射紫外線之后進行熱轉化，存在形成的含氧化銦層不會具有充分良好的電特性。

發明內容

本發明是鑒于上述問題而完成的，其目的在于，提供一種形成具有良好的電特性的包含氧化銦的薄膜的薄膜形成方法及薄膜形成裝置。

為了解決上述問題，第一方面的發明是薄膜形成方法，用于形成包含氧化銦的薄膜，其特征在于，所述薄膜形成方法包括：涂布工序，將含有氧化銦前驅體的涂布液涂布在基板上，從而在所述基板上形成涂布膜；光活化工序，一邊對所述基板進行冷卻，一邊向所述涂布膜照射紫外線，從而使所述氧化銦前驅體光學活化；以及熱活化工序，在所述光活化工序之后，對所述基板進行加熱，從而使所述氧化銦前驅體熱活化。

另外，第二方面的發明在第一方面的發明的薄膜形成方法的基礎上，其特征在于，在所述光活化工序中，一邊將所述基板維持為10℃以上且50℃以下，一邊向所述涂布膜照射紫外線。

另外，第三方面的發明在第一方面或第二方面的發明的薄膜形成方法的基礎上，其特征在于，在所述光活化工序中，向所述涂布膜照射波長為200nm以下的紫外線。

另外，第四方面的發明是薄膜形成裝置，形成包含氧化銦的薄膜的薄膜，其特征在于，所述薄膜形成裝置具有：涂布處理部，將含有氧化銦前驅體的涂布液涂布在基板上，從而在所述基板上形成涂布膜；光照射處理部，向所述涂布膜照射紫外線，從而使所述氧化銦前驅體光學活化；以及熱處理部，對通過所述光照射處理部使所述氧化銦前驅體光學活化的所述基板進行加熱，從而使所述氧化銦前驅體熱活化，所述光照射處理部具有對所述基板進行冷卻的冷卻部，一邊對所述基板進行冷卻，一邊向所述涂布膜照射紫外線。

另外，第五方面的發明是在第四方面的發明的薄膜形成裝置的基礎上，其特征在于，所述冷卻部將所述基板維持為10℃以上且50℃以下。

另外，第六方面的發明是在第四方面或第五方面的發明的薄膜形成裝置的基礎上，其特征在于，所述光照射處理部向所述涂布膜照射波長為200nm以下的紫外線。

根據第一方面至第三方面的發明，將含有氧化銦前驅體的涂布液涂布在基板上，一邊對基板進行冷卻一邊向涂布膜照射紫外線，從而使氧化銦前驅體光學活化后，對基板進行加熱，從而使氧化銦前驅體熱活化，因而能夠形成具有良好的電特性的含有氧化銦的薄膜。