[發(fā)明專利]薄膜形成方法及薄膜形成裝置在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 201811099484.4 | 申請日: | 2018-09-20 |
| 公開(公告)號: | CN109536932A | 公開(公告)日: | 2019-03-29 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 柿村崇;北村嘉孝;高田令;A·諾伊曼;C·布林克默勒 | 申請(專利權(quán))人: | 株式會社斯庫林集團;贏創(chuàng)德固賽有限公司 |
| 主分類號: | C23C18/14 | 分類號: | C23C18/14;C23C18/12 |
| 代理公司: | 隆天知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 72003 | 代理人: | 向勇 |
| 地址: | 日本*** | 國省代碼: | 日本;JP |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 氧化銦 涂布膜 基板 薄膜形成裝置 薄膜形成 電特性 前驅(qū)體 紫外線 薄膜 加熱 冷卻 照射 紫外線照射 大氣環(huán)境 光學活化 前驅(qū)體熱 對基板 涂布液 活化 清洗 | ||
1.一種薄膜形成方法,用于形成包含氧化銦的薄膜,其特征在于,所述薄膜形成方法包括:
涂布工序,將含有氧化銦前驅(qū)體的涂布液涂布在基板上,從而在所述基板上形成涂布膜;
光活化工序,一邊對所述基板進行冷卻,一邊向所述涂布膜照射紫外線,從而使所述氧化銦前驅(qū)體光學活化;以及
熱活化工序,在所述光活化工序之后,對所述基板進行加熱,從而使所述氧化銦前驅(qū)體熱活化。
2.如權(quán)利要求1所述的薄膜形成方法,其特征在于,
在所述光活化工序中,一邊將所述基板維持為10℃以上且50℃以下,一邊向所述涂布膜照射紫外線。
3.如權(quán)利要求1或2所述的薄膜形成方法,其特征在于,
在所述光活化工序中,向所述涂布膜照射波長為200nm以下的紫外線。
4.一種薄膜形成裝置,用于形成包含氧化銦的薄膜,其特征在于,所述薄膜形成裝置包括:
涂布處理部,將含有氧化銦前驅(qū)體的涂布液涂布在基板上,從而在所述基板上形成涂布膜;
光照射處理部,向所述涂布膜照射紫外線,從而使所述氧化銦前驅(qū)體光學活化;以及
熱處理部,對通過所述光照射處理部使所述氧化銦前驅(qū)體光學活化的所述基板進行加熱,從而使所述氧化銦前驅(qū)體熱活化,
所述光照射處理部具有對所述基板進行冷卻的冷卻部,一邊對所述基板進行冷卻,一邊向所述涂布膜照射紫外線。
5.如權(quán)利要求4所述的薄膜形成裝置,其特征在于,
所述冷卻部將所述基板維持為10℃以上且50℃以下。
6.如權(quán)利要求4或5所述的薄膜形成裝置,其特征在于,
所述光照射處理部向所述涂布膜照射波長為200nm以下的紫外線。
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C23C 對金屬材料的鍍覆;用金屬材料對材料的鍍覆;表面擴散法,化學轉(zhuǎn)化或置換法的金屬材料表面處理;真空蒸發(fā)法、濺射法、離子注入法或化學氣相沉積法的一般鍍覆
C23C18-00 通過液態(tài)化合物分解抑或覆層形成化合物溶液分解、且覆層中不留存表面材料反應產(chǎn)物的化學鍍覆
C23C18-02 .熱分解法
C23C18-14 .輻射分解法,例如光分解、粒子輻射
C23C18-16 .還原法或置換法,例如無電流鍍
C23C18-54 .接觸鍍,即無電流化學鍍
C23C18-18 ..待鍍材料的預處理





