[發(fā)明專利]掩模坯及其制造方法、半色調(diào)掩模及其制造方法在審
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201811099364.4 | 申請(qǐng)日: | 2018-09-20 |
| 公開(kāi)(公告)號(hào): | CN109782526A | 公開(kāi)(公告)日: | 2019-05-21 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 諸沢成浩 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 愛(ài)發(fā)科成膜株式會(huì)社 |
| 主分類號(hào): | G03F1/32 | 分類號(hào): | G03F1/32 |
| 代理公司: | 北京德琦知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11018 | 代理人: | 刁興利;王珍仙 |
| 地址: | 日本*** | 國(guó)省代碼: | 日本;JP |
| 權(quán)利要求書(shū): | 查看更多 | 說(shuō)明書(shū): | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 掩模 半色調(diào)掩模 耐化學(xué)品 透射率 制造 耐化學(xué)品性 變動(dòng)幅度 半透射 波段 氮率 | ||
1.一種掩模坯,具有成為半色調(diào)掩模的層,所述掩模坯具有:
耐化學(xué)品層,提高了耐化學(xué)品性;和
均勻透射率層,從i線到g線的波段中半透射率的變動(dòng)幅度被控制在規(guī)定范圍內(nèi),
所述耐化學(xué)品層及所述均勻透射率層中的含氮率不同。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的掩模坯,
所述耐化學(xué)品層位于比所述均勻透射率層更靠外側(cè)。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的掩模坯,
所述耐化學(xué)品層的氮濃度比所述均勻透射率層的氮濃度高。
4.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的掩模坯,
在所述耐化學(xué)品層和所述均勻透射率層中,所述半透射率的變動(dòng)幅度相對(duì)于所述耐化學(xué)品層的膜厚具有向下凸出的輪廓。
5.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的掩模坯,
在所述耐化學(xué)品層和所述均勻透射率層中,在405nm的透射率為28~29%。
6.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的掩模坯,
所述耐化學(xué)品層和所述均勻透射率層由硅化物構(gòu)成。
7.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的掩模坯,
所述耐化學(xué)品層的氮濃度為36atm%以上。
8.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的掩模坯,
所述均勻透射率層的氮濃度為35atm%以下。
9.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的掩模坯,
所述耐化學(xué)品層的膜厚為20nm以下。
10.一種半色調(diào)掩模,其使用權(quán)利要求1至9中的任一項(xiàng)所述的掩模坯來(lái)制造而成。
11.一種掩模坯的制造方法,
其為權(quán)利要求1至9中的任一項(xiàng)所述的掩模坯的制造方法,
在所述耐化學(xué)品層和所述均勻透射率層的成膜時(shí),使氮?dú)夥謮罕舜瞬煌?/p>
12.一種半色調(diào)掩模的制造方法,
其為權(quán)利要求10所述的半色調(diào)掩模的制造方法,
在所述耐化學(xué)品層和所述均勻透射率層的成膜時(shí),使氮?dú)夥謮罕舜瞬煌?/p>
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G03F 圖紋面的照相制版工藝,例如,印刷工藝、半導(dǎo)體器件的加工工藝;其所用材料;其所用原版;其所用專用設(shè)備
G03F1-00 用于圖紋面的照相制版的原版,例如掩膜,光掩膜;其所用空白掩膜或其所用薄膜;其專門(mén)適用于此的容器;其制備
G03F1-20 .用于通過(guò)帶電粒子束(CPB)輻照成像的掩膜或空白掩膜,例如通過(guò)電子束;其制備
G03F1-22 .用于通過(guò)100nm或更短波長(zhǎng)輻照成像的掩膜或空白掩膜,例如 X射線掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM];PSM空白;其制備
G03F1-36 .具有臨近校正特征的掩膜;其制備,例如光學(xué)臨近校正(OPC)設(shè)計(jì)工藝
G03F1-38 .具有輔助特征的掩膜,例如用于校準(zhǔn)或測(cè)試的特殊涂層或標(biāo)記;其制備
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