[發明專利]具有提升光罩對比度的晶粒貼附位置定位裝置

有效

• 申請號: 201811098373.1
• 申請日: 2018-09-20
• 公開（公告）號: CN110933927B
• 公開（公告）日: 2021-05-14
• 發明（設計）人: 盧彥豪
• 申請（專利權）人: 梭特科技股份有限公司
• 主分類號: H05K13/04
• 分類號: H05K13/04
• 代理公司: 上海智信專利代理有限公司 31002
• 代理人: 王潔

本發明提供一種具有提升光罩對比度的晶粒貼附位置定位裝置，包含光罩構件、晶粒貼附體、影像擷取構件、電磁波發射構件、貼附構件及定位調整構件，光罩構件的表面鏤刻有預定圖形，預定圖形的對電磁波的穿透度或反射度異于光罩構件的未被鏤刻的表面而形成絕對精度記號，影像擷取構件擷取包含有晶粒貼附體及絕對精度記號的晶粒貼附位置定位用影像，電磁波發射構件以電磁波穿透光罩構件或經由光罩構件反射電磁波的方式，朝影像擷取構件發射電磁波，依據晶粒貼附位置定位用影像精密調整以使貼附構件對應匹配晶粒貼附面的預設晶粒貼附位置。

技術領域

本發明涉及一種晶粒貼附位置定位裝置，特別是涉及一種具有提升光罩對比度的晶粒貼附位置定位裝置。

背景技術

在半導體晶圓級封裝的制程中，必須將晶圓切割成復數晶粒，再從中挑出良品，重新貼附到膠膜、玻璃或晶圓上以進行后續的加工。貼附的過程為利用機械手臂及可移動的載臺等精密設備以準確地控制晶粒的貼附位置。

然而，傳統的晶粒貼附位置定位方式是以已貼附的晶粒作為參考點，因此相鄰兩顆晶粒之間具有相對精度，但整體的晶粒貼附位置可能沒有絕對精度。若初期晶粒的貼附位置有些微誤差(例如偏離X軸、偏離Y軸或角度不正)，這些誤差可能在貼附完若干晶粒后累積到可觀的程度，嚴重影響后續加工制程，并導致成本上升及良率低落。

發明內容

因此，為解決上述問題，本發明的目的即在提供一種具有提升光罩對比度的晶粒貼附位置定位裝置。

本發明為解決現有技術的問題所采用的技術手段提供一種具有提升光罩對比度的晶粒貼附位置定位裝置，包含：光罩構件，該光罩構件的表面鏤刻有預定圖形輪廓的絕對精度記號，該預定圖形的對電磁波的穿透度或反射度異于該光罩構件的未被鏤刻的表面的對電磁波的穿透度或反射度，該預定圖形與該未被鏤刻的表面形成絕對精度記號；晶粒貼附體，設置于該光罩構件的表面，該晶粒貼附體具有晶粒貼附面及相反于該晶粒貼附面的背面，其中該背面朝向該光罩構件，且該晶粒貼附體為可被電磁波穿透；影像擷取構件，朝向該晶粒貼附體的該晶粒貼附面設置，該影像擷取構件擷取包含有該晶粒貼附體及該絕對精度記號的晶粒貼附位置定位用影像；電磁波發射構件，以電磁波穿透該光罩構件或經由該光罩構件反射電磁波的方式，朝該影像擷取構件發射電磁波；貼附構件；以及定位調整構件，信號連接該貼附構件及該影像擷取構件，該定位調整構件依據該晶粒貼附位置定位用影像精密調整以使該貼附構件對應匹配該晶粒貼附面的預設晶粒貼附位置。

在本發明的一實施例中提供一種晶粒貼附位置定位裝置，該預定圖形為被鏤刻至鏤空，該電磁波發射構件及該影像擷取構件分別設置于該光罩構件的相反二側，該電磁波發射構件所發出的電磁波穿透鏤空的該預定圖形而朝向該影像擷取構件。

在本發明的一實施例中提供一種晶粒貼附位置定位裝置，其中該光罩構件包括透光層及形成于該透光層之上的鍍膜層，該鍍膜層以該預定圖形被鏤刻而露出部分該透光層，該鍍膜層的表面及該透光層露出的表面形成該絕對精度記號。

在本發明的一實施例中提供一種晶粒貼附位置定位裝置，該電磁波發射構件為朝向該晶粒貼附面設置，該光罩構件的該未被鏤刻的表面對該電磁波發射構件所發射的電磁波為高反射度，該預定圖形為對該電磁波為低反射度。

在本發明的一實施例中提供一種晶粒貼附位置定位裝置，該光罩構件為：電磁波吸收體的表面鍍有電磁波反射材質，并以在該電磁波反射材質鏤刻該預定圖形以顯露該電磁波吸收體而形成該絕對精度記號。

在本發明的一實施例中提供一種晶粒貼附位置定位裝置，該光罩構件包括電磁波反射體及電磁波吸收片，該電磁波反射體夾置于該晶粒貼附體及該電磁波吸收片之間，并在該電磁波反射體鏤刻該預定圖形以顯露該電磁波吸收片而形成該絕對精度記號。

在本發明的一實施例中提供一種晶粒貼附位置定位裝置，該電磁波發射構件為朝向該晶粒貼附面設置，該光罩構件的該未受鏤刻的表面對該電磁波發射構件所發射的電磁波為低反射度，該預定圖形為對該電磁波為高反射度。