[發明專利]具有提升光罩對比度的晶粒貼附位置定位裝置

有效

• 申請號: 201811098373.1
• 申請日: 2018-09-20
• 公開（公告）號: CN110933927B
• 公開（公告）日: 2021-05-14
• 發明（設計）人: 盧彥豪
• 申請（專利權）人: 梭特科技股份有限公司
• 主分類號: H05K13/04
• 分類號: H05K13/04
• 代理公司: 上海智信專利代理有限公司 31002
• 代理人: 王潔

1.一種具有提升光罩對比度的晶粒貼附位置定位裝置，包含：

光罩構件，所述的光罩構件的表面鏤刻有預定圖形，所述的預定圖形的對電磁波的穿透度異于所述的光罩構件的未被鏤刻的表面的對電磁波的穿透度，所述的預定圖形與所述的未被鏤刻的表面形成絕對精度記號；

晶粒貼附體，設置于所述的光罩構件的表面，所述的晶粒貼附體具有晶粒貼附面及相反于所述晶粒貼附面的背面，其中所述的背面朝向所述的光罩構件，且所述的晶粒貼附體為可被電磁波穿透；

影像擷取構件，朝向所述的晶粒貼附體的所述的晶粒貼附面設置，所述的影像擷取構件擷取包含有所述的晶粒貼附體及所述的絕對精度記號的晶粒貼附位置定位用影像；

電磁波發射構件，以電磁波穿透所述的光罩構件的方式，朝所述的影像擷取構件發射電磁波；

貼附構件；以及

定位調整構件，信號連接所述的貼附構件及所述的影像擷取構件，所述的定位調整構件依據所述的晶粒貼附位置定位用影像精密調整以使所述的貼附構件對應匹配所述的晶粒貼附面的預設晶粒貼附位置。

2.根據權利要求1所述的晶粒貼附位置定位裝置，其特征在于，所述的預定圖形為被鏤刻至鏤空，所述的電磁波發射構件及所述的影像擷取構件分別設置于所述的光罩構件的相反二側，所述的電磁波發射構件所發出的電磁波穿透鏤空的所述的預定圖形而朝向所述的影像擷取構件。

3.根據權利要求2所述的晶粒貼附位置定位裝置，其特征在于，所述的光罩構件包括透光層及形成于所述的透光層之上的鍍膜層，所述的鍍膜層以所述的預定圖形被鏤刻而露出部分所述的透光層，所述的鍍膜層的表面及所述的透光層露出的表面形成所述的絕對精度記號。

4.根據權利要求1所述的晶粒貼附位置定位裝置，其特征在于，所述的晶粒貼附體為直接貼覆于所述的光罩構件的膠膜。

5.根據權利要求1所述的晶粒貼附位置定位裝置，其特征在于，所述的晶粒貼附體還包括硬質基層及膠膜層，所述的硬質基層設置于所述的光罩構件的表面，所述的膠膜層覆于所述的硬質基層。