[發明專利]半導體裝置及其制造方法

有效

• 申請號: 201811096907.7
• 申請日: 2018-09-19
• 公開（公告）號: CN109244139B
• 公開（公告）日: 2021-03-05
• 發明（設計）人: 朱慧瓏
• 申請（專利權）人: 中國科學院微電子研究所
• 主分類號: H01L29/78
• 分類號: H01L29/78;H01L21/762;H01L21/336
• 代理公司: 中科專利商標代理有限責任公司 11021
• 代理人: 李永葉

1.一種制造半導體裝置的方法，包括：

提供基底襯底、第一半導體層和第二半導體層依次疊置的疊層結構；所述第一半導體層的材料和所述第二半導體層的材料不同；

在所述疊層結構上形成鰭狀結構，其中鰭狀結構的底部低于第二半導體層的底面；

在所述鰭狀結構兩側繞所述鰭狀結構形成第一隔離部；

在第一隔離部上形成與所述鰭狀結構相交的偽柵結構，并在偽柵結構的相對兩側分別形成與所述鰭狀結構相交的第一柵結構和第二柵結構；

在第一柵結構、第二柵結構和偽柵結構的側壁上分別形成第一柵側墻、第二柵側墻和虛設側墻；

去除偽柵結構，以使第一半導體層在虛設側墻內側露出；

選擇性刻蝕第一半導體層；

向虛設側墻內側第二半導體層下方由于第一半導體層的選擇性刻蝕而形成的空間中填充電介質材料，形成第二隔離部的一部分；形成第二隔離部的一部分還包括：向第一柵側墻內側第二半導體層下方由于第一半導體層的選擇性刻蝕而形成的空間中填充電介質材料，形成第三隔離部；以及向第二柵側墻內側第二半導體層下方由于第一半導體層的選擇性刻蝕而形成的空間中填充電介質材料，形成第四隔離部；

基于虛設側墻，對所述鰭狀結構進行選擇性刻蝕；以及

向虛設側墻內側填充電介質材料，以形成第二隔離部的另一部分。

2.根據權利要求1所述的方法，其中，

第一柵結構、第二柵結構和偽柵結構是犧牲柵結構，

在去除偽柵結構時，該方法還包括去除第一柵結構和第二柵結構，

選擇性刻蝕第一半導體層包括：對由于偽柵結構、第一柵結構和第二結構的去除露出的第一半導體層進行選擇性刻蝕，

在形成第二隔離部的一部分、第三隔離部和第四隔離部之后，該方法包括在虛設側墻以及第一柵側墻和第二柵側墻內側的空間中形成替代柵結構，且去除虛設側墻內側的替代柵結構，以露出所述鰭狀結構，以便對所述鰭狀結構進行選擇性刻蝕。

3.根據權利要求1或2所述的方法，還包括：

在第一柵側墻和/或第二柵側墻的相對兩側，形成至少部分地嵌入于鰭狀結構中的另外的半導體層。

4.根據權利要求3所述的方法，其中，在選擇性刻蝕第一半導體層時，所述選擇性刻蝕在橫向上停止于所述另外的半導體層。

5.根據權利要求4所述的方法，其中，所述另外的半導體層是疊層結構。

6.根據權利要求1所述的方法，還包括：在對鰭狀結構進行選擇性刻蝕而在虛設側墻內得到的溝槽的側壁上形成絕緣側墻。

7.根據權利要求6所述的方法，其中，在對鰭狀結構進行選擇性刻蝕之后且在形成絕緣側墻之前，該方法還包括：去除第二隔離部的所述一部分。

8.根據權利要求1所述的方法，其中，使第一半導體層在虛設側墻內側露出包括：

選擇性刻蝕第一隔離部，使第一半導體層的側壁至少部分地露出。