[發明專利]一種太陽能電池片擴散工藝

在審

• 申請號: 201811095301.1
• 申請日: 2018-09-19
• 公開（公告）號: CN109308995A
• 公開（公告）日: 2019-02-05
• 發明（設計）人: 李濤
• 申請（專利權）人: 蘇州惠捷迦裝備科技有限公司
• 主分類號: H01L21/223
• 分類號: H01L21/223;H01L31/18
• 代理公司: 蘇州廣正知識產權代理有限公司 32234
• 代理人: 劉盼盼

本發明公開了一種太陽能電池片擴散工藝,其特征在于，包括步驟：將硅片進行清洗、制絨處理，再放入擴散爐；將擴散爐溫度加熱至設定的第一溫度，穩定后通入氧氣，進行第一次氧化反應；溫度加熱至設定的第二溫度，穩定后通入氧氣、三氯氧磷，進行第一次擴散反應；溫度加熱至設定的第三溫度，穩定后進行第二次擴散反應；溫度加熱至設定的第四溫度，穩定后進行第二次氧化反應；溫度進行冷卻至第五溫度，穩定后通入氧氣、三氯氧磷，保持設定的第五時間；停止通入三氯氧磷，繼續通入氧氣，將擴散爐降溫退火，退火后取出硅片即可。本發明在擴散工藝中，雜質P的擴散深度較淺，使硅表面形成重摻雜N+區域，增大電池片短路電流，提高電池轉換效率。

技術領域

本發明屬于太陽能電池片領域，尤其涉及一種太陽能電池片擴散工藝。

背景技術

太陽能電池是一種可以將光能直接轉換為電能的器件，由于其應用具有清潔、環保、無污染的優點，因此備受關注，正逐步成為有希望取代傳統能源的最佳新能源。

在眾多種類的太陽能電池中，多晶硅太陽能電池價格較低且轉換效率較高，在光伏市場中占據了絕對的主導地位。隨著光伏行業競爭加劇，各太陽能電池生產廠家都在想盡辦法提升電池的轉換效率。其中，提升方塊電阻是其中一個重要方向，這是由于高方阻可獲得較低的表面雜質濃度，有效地降低表面的雜質復合中心濃度，提高表面少子的存活率，增強少子對短波的響應，如此便能有效地增加電池的短路電流Isc和開路電壓Voc，從而達到提高電池效率的目的。但是，單純提升方塊電阻也是不可取的，因為方阻升高會導致串聯升高，填充因子下降，反而使電池轉換效率下降。

發明內容

本發明主要解決的技術問題是提供一種太陽能電池片擴散工藝，本發明在擴散工藝中，雜質P的擴散深度較淺，使硅表面形成重摻雜的N+區域，與電極形成好的歐姆接觸，增大電池片的短路電流，提高電池轉換效率。

為解決上述技術問題，本發明采用的一個技術方案是：

一種太陽能電池片擴散工藝，包括如下步驟：

（1）將硅片進行清洗、制絨處理；

（2）將硅片放入擴散爐；

（3）將擴散爐溫度加熱至設定的第一溫度，待加熱的溫度值穩定在第一溫度的范圍值后通入氧氣，并保持設定的第一時間，對硅片表面進行第一次氧化反應；

（4）將擴散爐溫度加熱至設定的第二溫度，待加熱的溫度值穩定在第二溫度的范圍值后通入氧氣、三氯氧磷，并保持設定的第二時間，在硅片表面進行第一次擴散反應；

（5）將擴散爐溫度加熱至設定的第三溫度，待加熱的溫度值穩定在第三溫度的范圍值后保持設定的第三時間，在硅片表面進行第二次擴散反應；

（6）將擴散爐溫度加熱至設定的第四溫度，待加熱的溫度值穩定在第四溫度的范圍值后保持設定的第四時間，在硅片表面進行第二次氧化反應；

（7）將擴散爐溫度進行冷卻至第五溫度，待冷卻的溫度值穩定在第五溫度的范圍值后通入氧氣、三氯氧磷，并保持設定的第五時間；

（8）停止通入三氯氧磷，繼續通入氧氣，然后將擴散爐降溫退火，退火后取出硅片即可。

在本發明一個較佳實施例中，所述的步驟（3）中的第一溫度到800℃-820℃，第一時間為13min-15min，氧氣通入流量為100-500sccm。

在本發明一個較佳實施例中，所述的步驟（4）中的第二溫度到830℃-840℃，第二時間為10min-12min，氧氣通入流量為90-400sccm，三氯氧磷流量為1000-1500sccm。

在本發明一個較佳實施例中，所述的步驟（5）中的第三溫度為850℃-860℃，第三時間為7min-9min，氧氣通入流量為80-300sccm，三氯氧磷流量為1000-1500sccm。