[發(fā)明專利]一種太陽(yáng)能電池片擴(kuò)散工藝在審
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201811095301.1 | 申請(qǐng)日: | 2018-09-19 |
| 公開(公告)號(hào): | CN109308995A | 公開(公告)日: | 2019-02-05 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 李濤 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 蘇州惠捷迦裝備科技有限公司 |
| 主分類號(hào): | H01L21/223 | 分類號(hào): | H01L21/223;H01L31/18 |
| 代理公司: | 蘇州廣正知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 32234 | 代理人: | 劉盼盼 |
| 地址: | 215631 江蘇省蘇州市*** | 國(guó)省代碼: | 江蘇;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 加熱 氧氣 擴(kuò)散工藝 三氯氧磷 擴(kuò)散爐 退火 太陽(yáng)能電池片 擴(kuò)散反應(yīng) 氧化反應(yīng) 硅片 電池轉(zhuǎn)換效率 短路電流 制絨處理 電池片 硅表面 重?fù)诫s 放入 冷卻 清洗 取出 擴(kuò)散 | ||
1.一種太陽(yáng)能電池片擴(kuò)散工藝,其特征在于,包括如下步驟:
(1)將硅片進(jìn)行清洗、制絨處理;
(2)將硅片放入擴(kuò)散爐;
(3)將擴(kuò)散爐溫度加熱至設(shè)定的第一溫度,待加熱的溫度值穩(wěn)定在第一溫度的范圍值后通入氧氣,并保持設(shè)定的第一時(shí)間,對(duì)硅片表面進(jìn)行第一次氧化反應(yīng);
(4)將擴(kuò)散爐溫度加熱至設(shè)定的第二溫度,待加熱的溫度值穩(wěn)定在第二溫度的范圍值后通入氧氣、三氯氧磷,并保持設(shè)定的第二時(shí)間,在硅片表面進(jìn)行第一次擴(kuò)散反應(yīng);
(5)將擴(kuò)散爐溫度加熱至設(shè)定的第三溫度,待加熱的溫度值穩(wěn)定在第三溫度的范圍值后保持設(shè)定的第三時(shí)間,在硅片表面進(jìn)行第二次擴(kuò)散反應(yīng);
(6)將擴(kuò)散爐溫度加熱至設(shè)定的第四溫度,待加熱的溫度值穩(wěn)定在第四溫度的范圍值后保持設(shè)定的第四時(shí)間,在硅片表面進(jìn)行第二次氧化反應(yīng);
(7)將擴(kuò)散爐溫度進(jìn)行冷卻至第五溫度,待冷卻的溫度值穩(wěn)定在第五溫度的范圍值后通入氧氣、三氯氧磷,并保持設(shè)定的第五時(shí)間;
(8)停止通入三氯氧磷,繼續(xù)通入氧氣,然后將擴(kuò)散爐降溫退火,退火后取出硅片即可。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種太陽(yáng)能電池片擴(kuò)散工藝,其特征在于:所述的步驟(3)中的第一溫度到800℃-820℃,第一時(shí)間為13min-15min,氧氣通入流量為100-500sccm。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種太陽(yáng)能電池片擴(kuò)散工藝,其特征在于:所述的步驟(4)中的第二溫度到830℃-840℃,第二時(shí)間為10min-12min,氧氣通入流量為90-400sccm,三氯氧磷流量為1000-1500sccm。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種太陽(yáng)能電池片擴(kuò)散工藝,其特征在于:所述的步驟(5)中的第三溫度為850℃-860℃,第三時(shí)間為7min-9min,,氧氣通入流量為80-300sccm,三氯氧磷流量為1000-1500sccm。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種太陽(yáng)能電池片擴(kuò)散工藝,其特征在于:所述的步驟(6)中的第四溫度為870-880℃,第四時(shí)間為4min-6min,,氧氣通入流量為70-300sccm,三氯氧磷流量為1000-1500sccm。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種太陽(yáng)能電池片擴(kuò)散工藝,其特征在于:所述的步驟(7)中的第五溫度為800-840℃,第五時(shí)間為4min-6min,,氧氣通入流量為70-300sccm,三氯氧磷流量為1000-1500sccm。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種太陽(yáng)能電池片擴(kuò)散工藝,其特征在于:所述的步驟(8)中氧氣通入流量為400-800sccm,退火時(shí)間為30-50min。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種太陽(yáng)能電池片擴(kuò)散工藝,其特征在于,所述太陽(yáng)能電池片為多晶硅片。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個(gè)器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過(guò)程中的測(cè)試或測(cè)量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過(guò)程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過(guò)程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個(gè)固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造
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