[發明專利]一種硅基光柵化源極太赫茲探測器在審

申請號：	201811094805.1	申請日：	2018-09-19
公開（公告）號：	CN109449222A	公開（公告）日：	2019-03-08
發明（設計）人：	馬建國;劉亞軒;傅海鵬	申請（專利權）人：	天津大學
主分類號：	H01L31/0232	分類號：	H01L31/0232;H01L31/119
代理公司：	天津市北洋有限責任專利代理事務所 12201	代理人：	杜文茹
地址：	300072***	國省代碼：	天津;12
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摘要：
搜索關鍵詞：	絕緣層漏極源極太赫茲信號襯底層溝道層太赫茲探測器光柵結構光柵化晶體管硅基嵌入等間隔排布交流電信號晶體管源極直流電信號依次設置耦合效率耦合上端面頻段底端檢波條源探測輸出轉化
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【權利要求書】：

1.一種硅基光柵化源極太赫茲探測器，包括有MOS管，所述MOS管包括有由下至上依次設置的襯底層(1)、溝道層(2)和絕緣層(3)，其特征在于，所述的襯底層(1)一端的上端面設置有嵌入在所述溝道層(2)和絕緣層(3)內的漏極(4)，所述的絕緣層(3)上與所述漏極(4)相鄰的設置有柵極(6)，所述柵極(6)遠離漏極(4)的一側設置有等間隔排布的光柵結構的源極，所述光柵結構的源極中的每一條源極(5)均嵌入在所述溝道層(2)和絕緣層(3)內，且底端與所述襯底層(1)相連接。

2.根據權利要求1所述的一種硅基光柵化源極太赫茲探測器，其特征在于，所述光柵結構的源極包括有3條以上的源極(5)。

3.根據權利要求1所述的一種硅基光柵化源極太赫茲探測器，其特征在于，所述MOS管的漏極(4)連接低噪聲放大器(7)的正向輸入端，源極(5)接地，柵極(6)連接輸入電壓。

4.根據權利要求1所述的一種硅基光柵化源極太赫茲探測器，其特征在于，所述的MOS管根據摻雜區域和雜質不同，構成NMOS管或PMOS管。

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