[發明專利]一種氯硅烷及高聚物泄露清理系統

在審

• 申請號: 201811094079.3
• 申請日: 2018-09-19
• 公開（公告）號: CN110917556A
• 公開（公告）日: 2020-03-27
• 發明（設計）人: 康榮鑫;陳丹
• 申請（專利權）人: 南京合創工程設計有限公司
• 主分類號: A62D3/30
• 分類號: A62D3/30;A62D101/22
• 代理公司: 江蘇舜點律師事務所 32319
• 代理人: 苗武松

本發明提供了一種氯硅烷及高聚物泄露清理系統，一種氯硅烷及高聚物泄露清理系統，該系統包括洗滌塔和乙二胺四乙酸鈉配液罐，所述洗滌塔用于將通過泄漏物料進料管線進入洗滌塔中的氯硅烷及高聚物進行處理，所述泄漏物料進料管線上設有進料閥門，所述洗滌塔內設有第一塔板和第一再沸器，所述洗滌塔底部設有第一排廢管線，所述第一排廢管線上設有第一排廢閥門，本發明克服了現有技術的不足，設計合理，結構緊湊，可以將泄露的氯硅烷及高聚物完全清理，減少了對正常生產和生產安全的危害，同時可以減少物料浪費，無需高頻率排放，減少了物料損耗，避免了泄漏物粘附在設備管道內壁，造成設備和管道的堵塞。

技術領域

本發明涉及多晶硅生產技術領域，具體涉及一種氯硅烷及高聚物泄露清理系統。

背景技術

在多晶硅的生產過程中，若氯硅烷及高聚物發生泄露，會嚴重腐蝕各種設備和管道，同時高聚物泄露遇到空氣會燃燒起火，對正常生產和生產安全造成了極大危害。

現有的對氯硅烷及高聚物泄露的清理方法主要是將其排入堿液池中，進行中和水解反應，但是這種方法也存在著弊端，需要高頻率的排放廢液，物料損耗較大，由于高聚氯硅烷具有一定粘性，會粘附在設備管道內壁，容易造成設備和排廢管線的堵塞。

發明內容

(一)解決的技術問題

針對現有技術的不足，本發明提供了一種氯硅烷及高聚物泄露清理系統，克服了現有技術的不足，設計合理，結構緊湊，可以將泄露的氯硅烷及高聚物完全清理，減少了對正常生產和生產安全的危害，同時可以減少物料浪費和物料損耗，避免了泄漏物粘附在設備管道內壁造成的堵塞。

(二)技術方案

為實現以上目的，本發明通過以下技術方案予以實現：

一種氯硅烷及高聚物泄露清理系統，該系統包括洗滌塔和乙二胺四乙酸鈉配液罐；所述洗滌塔用于將通過泄漏物料進料管線進入洗滌塔中的氯硅烷及高聚物進行處理，所述泄漏物料進料管線上設有進料閥門，所述洗滌塔內設有第一塔板和第一再沸器，洗滌塔上設有第一溫度計，所述洗滌塔底部設有第一排廢管線，所述第一排廢管線上設有第一排廢閥門；所述乙二胺四乙酸鈉配液罐用于配置清理氯硅烷及高聚物的乙二胺四乙酸鈉液體，所述乙二胺四乙酸鈉配液罐頂部設有乙二胺四乙酸鈉進料管線，所述乙二胺四乙酸鈉進料管線上設有乙二胺四乙酸鈉進料閥門，所述乙二胺四乙酸鈉配液罐的兩側分別設有第一進液管線和進水管線，所述進水管線上設有進水閥門，所述第一進液管線上設有第一進液閥門，所述第一進液管線與洗滌塔上方相連，所述第一進液閥門與洗滌塔之間設有洗滌塔液位指示器。

該系統還包括蒸餾塔；所述蒸餾塔用于將洗滌塔處理過的氯硅烷及高聚物進行二次清理，所述蒸餾塔內設有第二塔板和第二再沸器，蒸餾塔上設有第二溫度計，所述蒸餾塔的底部設有第二排廢管線，所述第二排廢管線上設有第二排廢閥門，所述蒸餾塔與洗滌塔之間連接有第一氣相出口管線，所述蒸餾塔與乙二胺四乙酸鈉配液罐之間連接有第二進液管線，所述第二進液管線上設有第二進液閥門，所述第二進液閥門與蒸餾塔之間設有蒸餾塔液位指示器。

該系統還包括氣體過濾器、冷凝罐和回流泵；所述氣體過濾器與蒸餾塔之間連接有第二氣相出口管線，所述氣體過濾器的一端設有排氣管線，所述氣體過濾器與冷凝罐之間連接有過濾管線，所述冷凝罐與回流泵之間連接有冷凝出口管線，所述回流泵與洗滌塔之間連接有回流出口管線。

所述冷凝罐內設有冷凝器。

所述第一進液閥門與洗滌塔液位指示器之間聯鎖控制。

所述第二進液閥門與蒸餾塔液位指示器之間聯鎖控制。

所述第一再沸器使用釜式再沸器。

所述第二再沸器使用臥式再沸器。

(三)有益效果

本發明提供了一種氯硅烷及高聚物泄露清理系統。具備以下有益效果：