[發明專利]半導體器件的制造方法和引線框架

有效

• 申請號: 201811090559.2
• 申請日: 2018-09-19
• 公開（公告）號: CN109698132B
• 公開（公告）日: 2023-10-20
• 發明（設計）人: 橋詰昭二;西村慎一
• 申請（專利權）人: 瑞薩電子株式會社
• 主分類號: H01L21/48
• 分類號: H01L21/48;H01L23/495
• 代理公司: 中國貿促會專利商標事務所有限公司 11038
• 代理人: 歐陽帆

1.一種制造半導體器件的方法，包括以下步驟：

(a)提供引線框架，在平面圖中所述引線框架具有多個器件形成區域以及圍繞器件形成區域布置的框架部；

(b)在步驟(a)之后，分別在所述器件形成區域上方放置多個半導體芯片；

(c)在步驟(b)之后，將所述引線框架放置在模具中，所述模具具有多個腔體、虛設腔體以及耦接到所述腔體和所述虛設腔體的流道，所述引線框架被放置成使得所述腔體分別與所述器件形成區域相匹配；

(d)在步驟(c)之后，形成包封體，所述包封體通過使包封樹脂通過所述流道流入所述腔體中而單獨包封所述引線框架的部分和整個半導體芯片；以及

(e)在步驟(d)之后，從所述模具中取出所述引線框架；

其中，在步驟(c)之后，上半模和下半模夾在一起的所述模具具有允許所述腔體與所述流道連通的多個第一澆口，以及允許所述虛設腔體與所述流道連通的多個第二澆口，以及

其中，在步驟(d)中，從包封樹脂開始流入所述模具的時間到所述包封體在所述模具中形成的時間，所述第一澆口中的每個第一澆口的注孔在尺寸上大于所述第二澆口的注孔。

2.如權利要求1所述的制造半導體器件的方法，

其中，在所述上半模和所述下半模夾在一起的狀態下，所述虛設腔體位于所述引線框架的所述框架部之上。

3.如權利要求1所述的制造半導體器件的方法，

其中，所述第二澆口的注孔是在所述引線框架的所述框架部中形成的孔的部分。

4.如權利要求1所述的制造半導體器件的方法，

其中，在所述上半模和所述下半模夾在一起的狀態下，所述虛設腔體位于所述引線框架的正面和背面之上。

5.如權利要求4所述的制造半導體器件的方法，

其中，在步驟(d)中，位于所述引線框架的所述框架部的正面側的虛設腔體和位于所述引線框架的所述框架部的背面側的虛設腔體填充有包封樹脂。

6.如權利要求5所述的制造半導體器件的方法，

其中，在步驟(e)中和步驟(e)之后，第一樹脂位于所述引線框架的所述框架部的正面側，并且第二樹脂位于所述引線框架的所述框架部的背面側。

7.如權利要求6所述的制造半導體器件的方法，

其中，所述第一樹脂和所述第二樹脂通過在所述引線框架的所述框架部中形成的樹脂保持孔彼此耦接。

8.如權利要求1所述的制造半導體器件的方法，

其中，在所述上半模和所述下半模夾在一起的狀態下，所述虛設腔體位于跨在所述引線框架的所述框架部中形成的虛設腔體澆口孔以及所述樹脂保持孔。

9.如權利要求1所述的制造半導體器件的方法，

其中，在所述上半模和所述下半模夾在一起的狀態下，所述第一澆口的注孔在面積上大于所述第二澆口的注孔。

10.如權利要求1所述的制造半導體器件的方法，

其中，所述第二澆口的注孔的高度等于所述引線框架的厚度。

11.如權利要求1所述的制造半導體器件的方法，

其中，位于所述框架部的正面側并且在所述流道中形成的樹脂比位于所述框架部的背面側并且在所述虛設腔體中形成的樹脂厚。