[發明專利]絕緣體上硅的晶體管制作方法

在審

• 申請號: 201811088748.6
• 申請日: 2018-09-18
• 公開（公告）號: CN110911283A
• 公開（公告）日: 2020-03-24
• 發明（設計）人: 趙立新
• 申請（專利權）人: 格科微電子（上海）有限公司
• 主分類號: H01L21/336
• 分類號: H01L21/336
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

1.一種絕緣體上硅的晶體管制作方法，其特征在于，包括如下步驟：

提供第一晶圓、第二晶圓；

于所述第一晶圓的第一面形成溝槽結構，在所述溝槽結構中填充介電材料；

將所述第一晶圓的第一面與第二晶圓進行晶圓級鍵合；

從所述第一晶圓的第二面開始減薄，以所述填充介電材料做為阻擋層，提高減薄的均勻度。

2.根據權利要求1所述的絕緣體上硅的晶體管制作方法，其特征在于，所述填充介電材料為二氧化硅，氮化硅或低介電常數材料，或者所述介電材料的組合。

3.根據權利要求1所述的絕緣體上硅的晶體管制作方法，其特征在于，

所述第一晶圓的溝槽結構形成全部或部分鰭形場效應晶體管的全部或部分有源區域。

4.根據權利要求1所述的絕緣體上硅的晶體管制作方法，其特征在于，在第一晶圓減薄后的第二面通過刻蝕形成鰭形場效應晶體管的溝道區域。

5.根據權利要求3所述的絕緣體上硅的晶體管制作方法，其特征在于，所述鰭形場效應晶體管的源極、漏極區域為上部區域面積大，底部區域面積小的結構；以減少源極、漏極的寄生電容。

6.根據權利要求3所述的絕緣體上硅的晶體管制作方法，其特征在于，在有源區接觸孔刻蝕工藝中，對硅的刻蝕深度超過絕緣體上硅厚度的50%，增加接觸孔與鰭形場效應晶體管有源區的接觸面積，以降低接觸電阻。

7.根據權利要求6所述的絕緣體上硅的晶體管制作方法，其特征在于，在所述接觸孔刻蝕完后，在接觸孔側壁形成應變硅結構，提高晶體管的傳輸性能。

8.根據權利要求6所述的絕緣體上硅的晶體管制作方法，其特征在于，

部分的有源區接觸孔由溝槽結構底部進行走線，降低鰭形場效應晶體管多晶硅柵極與有源區接觸孔的寄生電容。

9.根據權利要求6所述的絕緣體上硅的晶體管制作方法，其特征在于，

有源區接觸孔與鰭形場效應晶體管多晶硅柵極的圖形采用一層光罩定義，減少工藝步驟。

10.根據權利要求1所述的絕緣體上硅的晶體管制作方法，其特征在于，所述晶圓級鍵合前，于第二晶圓中形成PN結和/或晶體管結構，以實現整體電路的抗靜電放電保護；再通過穿孔技術與第一晶圓的電路進行導通，從而提高整體電路的抗靜電放電保護能力。

11.根據權利要求1所述的絕緣體上硅的晶體管制作方法，其特征在于，所述晶圓級鍵合前，可于第二晶圓中形成PN結，電阻，電容，和/或晶體管結構；再通過穿孔技術與第一晶圓的電路進行導通，實現部分電路功能。

12.根據權利要求10或11所述的絕緣體上硅的晶體管制作方法，其特征在于，所述第二晶圓中晶體管的有源區通過埋層接觸與多晶硅連通，所述多晶硅由過孔結構連接至遠離晶體管的一面上的金屬走線，實現第二晶圓中晶體管的電路連接。

13.根據權利要求10或11所述的絕緣體上硅的晶體管制作方法，其特征在于，第二晶圓通過穿孔與第一晶圓電性連接；所述穿孔區域具有一定預留空間，適于容許第一晶圓、第二晶圓晶圓級鍵合的對準誤差。