[發(fā)明專利]改善毛刺的方法及柔性基板的預處理方法

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• 申請日: 2018-09-18
• 公開（公告）號: CN109188748A
• 公開（公告）日: 2019-01-11
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 柳發(fā)霖;方翠怡;董思娜;譚曉彬;李林
• 申請（專利權(quán)）人: 信利半導體有限公司
• 主分類號: G02F1/1333
• 分類號: G02F1/1333
• 代理公司: 廣州華進聯(lián)合專利商標代理有限公司 44224
• 代理人: 潘霞

本發(fā)明涉及一種改善毛刺的方法，用于改善柔性基板預切割后于切割口處產(chǎn)生的毛刺，其特征在于，包括以下步驟：取一平板，將所述平板壓覆于所述柔性基板上對應(yīng)所述毛刺的位置，施與預設(shè)壓力，將所述毛刺壓低或壓平。經(jīng)過驗證發(fā)現(xiàn)，在預切割后，柔性基板的其中一側(cè)面于切割口處會形成毛刺，該毛刺可以通過采用平板施壓的方式來壓低毛刺的高度，甚至壓平毛刺，使柔性基板可以滿足后續(xù)工序的板面平整的要求，在很大程度上提高柔性基板的良品率，以及后續(xù)工序的良率，進而提高了生產(chǎn)效益。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及柔性基板的制備技術(shù)領(lǐng)域，特別是涉及改善毛刺的方法及柔性基板的預處理方法。

背景技術(shù)

柔性基板如彩色濾光片基板在制作過程中，為了方便后期的綁定可以在TFT基板(Thin Film Transistor，薄膜晶體管基板)上順利的進行，需要事先在CF基板(ColorFilter，彩色濾光片基板)上進行預切割，暴露出TFT基板上的bonding位(打線位)。在預切割后經(jīng)過ODF制程(One Drop Filling，液晶滴下制程)，隨后在切割裂片之后去掉CF基板上多余的部分。

但是，因為預切割時，CF基板結(jié)構(gòu)的限制，在經(jīng)過預切割后會導致在切縫兩邊形成大量很高的毛刺，影響ODF等制程的順利進行，使產(chǎn)品良品率下降。

發(fā)明內(nèi)容

基于此，有必要針對上述問題，提供一種改善毛刺的方法，在不損傷CF基板情況下，有效改善毛刺。

一種改善毛刺的方法，用于改善柔性基板預切割后于切割口處產(chǎn)生的毛刺，包括以下步驟：

取一平板，將所述平板壓覆于所述柔性基板上對應(yīng)所述毛刺的位置，施與預設(shè)壓力，將所述毛刺壓低或壓平。

上述改善毛刺的方法，經(jīng)過驗證發(fā)現(xiàn)，在預切割后，柔性基板的其中一側(cè)面于切割口處會形成毛刺，該毛刺可以通過采用平板施壓的方式來壓低毛刺的高度，甚至壓平毛刺，使柔性基板可以滿足后續(xù)工序的板面平整的要求，在很大程度上提高柔性基板的良品率，以及后續(xù)工序的良率，進而提高了生產(chǎn)效益。

在其中一個實施例中，改善毛刺的方法還包括以下步驟：將所述平板壓覆于所述柔性基板上之前，采用清潔劑清洗切割口。

在其中一個實施例中，清潔劑為酒精。

在其中一個實施例中，平板的表面粗糙度Ra≤0.4μm。

在其中一個實施例中，平板為玻璃板或陶瓷板。

在其中一個實施例中，預設(shè)壓力為0.11MPa～0.3MPa。

在其中一個實施例中，平板壓低或壓平所述毛刺在濕度為50％～70％，溫度為22±3℃的環(huán)境下進行。

在其中一個實施例中，柔性基板包括絕緣層，所述毛刺位于所述絕緣層的切割口處。

在其中一個實施例中，絕緣層采用有機高分子材料制成。

本發(fā)明還提供一種柔性基板的預處理方法，包括以下步驟：

柔性基板進行預切割，其中，切割口處產(chǎn)生毛刺；

取一平板，將所述平板壓覆于所述柔性基板上對應(yīng)所述毛刺的位置；及

施與預設(shè)壓力，將所述毛刺壓低或壓平，所述預設(shè)壓力為0.11MPa～0.3MPa。

附圖說明

圖1為本發(fā)明改善毛刺的方法的第一個實施例改善毛刺前的柔性基板的示意圖；

圖2為圖1的柔性基板改善毛刺后的示意圖；

圖3為本發(fā)明改善毛刺的方法的第二個實施例改善毛刺前的柔性基板的示意圖；

圖4為圖3的柔性基板改善毛刺后的示意圖。