[發(fā)明專利]半導(dǎo)體裝置

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 201811087115.3
• 申請日: 2018-09-18
• 公開（公告）號: CN109585417A
• 公開（公告）日: 2019-04-05
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 劉中偉;黃冠達
• 申請（專利權(quán)）人: 臺灣積體電路制造股份有限公司
• 主分類號: H01L23/528
• 分類號: H01L23/528;H01L21/768
• 代理公司: 隆天知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 72003
• 代理人: 黃艷

本發(fā)明實施例關(guān)于半導(dǎo)體裝置與其形成方法，更特別關(guān)于半導(dǎo)體裝置中的層間介電層。在一例中，層間介電層位于基板上，并包含介電物。介電物的介電常數(shù)小于約3.3，且介電物的硬度為至少約3GPa。半導(dǎo)體裝置亦包含內(nèi)連線形成于層間介電層中。

技術(shù)領(lǐng)域

本公開實施例關(guān)于半導(dǎo)體裝置與其形成方法，更特別關(guān)于半導(dǎo)體裝置中的層間介電層。

背景技術(shù)

半導(dǎo)體制程技術(shù)可采用介電材料作為電路(如集成電路)與電路構(gòu)件之間的絕緣層。舉例來說，介電材料可用于半導(dǎo)體裝置的多層內(nèi)連線結(jié)構(gòu)其內(nèi)連線層之間。這些介電材料可稱作“層間介電層”，亦可稱作“金屬間介電層”。隨著半導(dǎo)體裝置構(gòu)件的尺寸縮小，使相鄰的結(jié)構(gòu)之間彼此隔離變得更關(guān)鍵也更困難。因此層間介電層的設(shè)計為克服挑戰(zhàn)的關(guān)鍵。

發(fā)明內(nèi)容

本公開一實施例提供的半導(dǎo)體裝置，包括基板；第一層間介電層，位于基板上，其中第一層間介電層包括第一介電物，第一介電物的介電常數(shù)小于約3.3，且第一介電物的硬度為至少約3GPa；以及內(nèi)連線，形成于第一層間介電層中。

附圖說明

圖1是一些實施例中，例示性半導(dǎo)體裝置的剖視圖。

圖2A至圖2F是一些實施例中，制作部分的例示性半導(dǎo)體裝置的剖視圖。

圖3是一些實施例中，與腔室中射頻放電功率與流速之間的比例以及壓力相關(guān)的電弧。

圖4是一些實施例中，用于形成層間介電層的例示性設(shè)備。

圖5是一些實施例中，用于形成半導(dǎo)體裝置的例示性方法的流程圖。

其中，附圖標(biāo)記說明如下：

100、200 半導(dǎo)體裝置

102 基板

104 介電層

106 接點

108 第一蝕刻停止層、

110 第一層間介電層

112 通孔

114 線路

116 第二蝕刻停止層

118 第二層間介電層

202 硬遮罩層

204 光刻膠

206 圖案化光刻膠

208 圖案化硬遮罩層

210 孔洞

212 溝槽

214 阻障層

216 導(dǎo)電材料

400 設(shè)備

401 腔室

403 氣體輸入?yún)^(qū)

405 控制器

407 平臺

409 排氣端

411 噴灑頭

413 射頻源

415 氣體管路

417 機構(gòu)

419、421 連接器

500 方法

502，504，506，508，510 步驟

具體實施方式