[發(fā)明專利]半導體裝置在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 201811087115.3 | 申請日： | 2018-09-18 |
| 公開（公告）號： | CN109585417A | 公開（公告）日： | 2019-04-05 |
| 發(fā)明（設計）人： | 劉中偉;黃冠達 | 申請（專利權）人： | 臺灣積體電路制造股份有限公司 |
| 主分類號： | H01L23/528 | 分類號： | H01L23/528;H01L21/768 |
| 代理公司： | 隆天知識產權代理有限公司 72003 | 代理人： | 黃艷 |
| 地址： | 中國臺*** | 國省代碼： | 中國臺灣;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 半導體裝置 層間介電層 介電 介電常數(shù) 內連線 基板 | ||
【權利要求書】：
1.一種半導體裝置，包括：
一基板；
一第一層間介電層，位于該基板上，其中，該第一層間介電層包括一第一介電物，該第一介電物的介電常數(shù)小于約3.3，且該第一介電物的硬度為至少約3GPa；以及
一內連線，形成于該第一層間介電層中。
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