[發明專利]深硅刻蝕方法、深硅槽結構及半導體器件

有效

• 申請號: 201811087025.4
• 申請日: 2018-09-18
• 公開（公告）號: CN110534425B
• 公開（公告）日: 2022-09-16
• 發明（設計）人: 林源為
• 申請（專利權）人: 北京北方華創微電子裝備有限公司
• 主分類號: H01L21/3065
• 分類號: H01L21/3065
• 代理公司: 北京思創畢升專利事務所 11218
• 代理人: 孫向民;廉莉莉

1.一種深硅刻蝕方法，其特征在于，包括：

步驟1、向反應腔室內輸入沉積氣體，啟輝進行沉積，沉積時間為t_起始；

步驟2、停止輸入沉積氣體，開始通入刻蝕氣體，以下電極功率P_起始進行物理轟擊；

步驟3、持續通入刻蝕氣體，對基片進行化學刻蝕，在刻蝕時間t_刻蝕后停止通入刻蝕氣體；

步驟4、判斷當前循環次數是否達到總循環次數，是則結束工藝，否則循環執行所述步驟1至所述步驟3，其中，在循環次數達到初始循環次數之后，在執行所述步驟1時，將當前沉積時間在上一次執行的沉積時間的基礎上增大，和在執行所述步驟2時，將當前下電極功率在上一次執行的下電極功率的基礎上增大；在執行所述步驟3時，保持刻蝕時間不變；

其中，所述步驟4中，在所述循環次數達到所述初始循環次數之后，所述步驟1的沉積時間自3.5s逐步增加至6s。

2.根據權利要求1所述的深硅刻蝕方法，其特征在于，所述步驟4中，

在循環次數達到初始循環次數之后，在執行所述步驟1時，將當前沉積時間在上一次執行的沉積時間的基礎上增大第一預設值，和在執行所述步驟2時，將當前下電極功率在上一次執行的下電極功率的基礎上增大第二預設值；

其中，所述第一預設值根據所述沉積時間t_起始、預設終止沉積時間t_終止以及預設總循環次數n_總之間的預設關系式計算獲得；

所述第二預設值根據所述下電極功率P_起始、預設終止下電極功率P_終止以及預設總循環次數n_總之間的預設關系式計算獲得。

3.根據權利要求1所述的深硅刻蝕方法，其特征在于，所述步驟2中，所述下電極功率P_起始不小于100W。

4.根據權利要求3所述的深硅刻蝕方法，其特征在于，所述步驟4中，在所述循環次數達到所述初始循環次數之后，所述步驟2的下電極功率自100W逐步增加至120W。

5.根據權利要求1所述的深硅刻蝕方法，其特征在于，所述步驟2的執行時間不大于2s。

6.根據權利要求1所述的深硅刻蝕方法，其特征在于，所述步驟3中的刻蝕時間t_刻蝕在1s～5s之間。

7.一種深硅槽結構，其特征在于，利用如權利要求1-6中任意一項所述的深硅刻蝕方法進行刻蝕。

8.一種半導體器件，其特征在于，包含如權利要求7所述的深硅槽結構。