[發(fā)明專利]沉積硅原料的方法、硅晶片、太陽能電池和光伏模塊在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 201811086362.1 | 申請日： | 2018-09-18 |
| 公開（公告）號： | CN109524500A | 公開（公告）日： | 2019-03-26 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 弗蘭克·阿斯貝克 | 申請（專利權(quán)）人： | 弗蘭克·阿斯貝克 |
| 主分類號： | H01L31/18 | 分類號： | H01L31/18;C23C16/455;C30B29/06;C30B11/00;C30B15/00 |
| 代理公司： | 上海勝康律師事務(wù)所 31263 | 代理人： | 李獻忠;張華 |
| 地址： | 德國*** | 國省代碼： | 德國;DE |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 硅原料 沉積 太陽能電池 硅晶片 光伏模塊 摻雜的 氣體引入反應(yīng)器 反應(yīng)器室 反應(yīng)器 摻雜 室內(nèi) 引入 | ||
本發(fā)明涉及沉積硅原料的方法、硅晶片、太陽能電池和光伏模塊。一種沉積經(jīng)摻雜的硅原料的方法可以包括：將包含硅的第一氣體引入反應(yīng)器室；以及將包含鎵或銦中的至少一種的第二氣體引入所述反應(yīng)器室；并且將摻雜有鎵或銦中的至少一種的硅原料沉積到反應(yīng)器室內(nèi)的表面上。可以通過該方法獲得的經(jīng)摻雜的硅原料可以用于獲得硅晶片、太陽能電池和/或PV模塊。
技術(shù)領(lǐng)域
多種實施方式總體上涉及一種用于制備硅原料的方法，通過一種方法獲得的硅晶片和通過一種方法獲得的PV模塊。
背景技術(shù)
硅原料，例如，經(jīng)摻雜的硅，用于光電學(xué)中以制備太陽能電池。大多數(shù)硅原料摻雜有硼。然而，硼可以與氧一起形成硼-氧絡(luò)合物，這可能降低太陽能電池的性能。
制備經(jīng)摻雜的硅原料的常用方法是向在坩堝中的熔融硅中添加摻雜劑。這種方法的可能問題出現(xiàn)在控制摻雜劑的量、以及因此在控制經(jīng)摻雜的硅中摻雜劑的濃度和經(jīng)摻雜的硅中摻雜劑的分布的誤差范圍內(nèi)。
發(fā)明內(nèi)容
根據(jù)一實施方式，一種沉積經(jīng)摻雜的硅原料的方法包括：將包含硅的第一氣體引入反應(yīng)器室；以及將包含鎵或銦中的至少一種的第二氣體引入所述反應(yīng)器室。該方法還包括將摻雜有鎵或銦中的至少一種的硅沉積到反應(yīng)器室內(nèi)的表面上。
根據(jù)一個實施方式，經(jīng)摻雜的硅原料可以通過一種方法獲得，該方法包含：將包含硅的第一氣體引入反應(yīng)器室中；以及將包含鎵或銦中的至少一種的第二氣體引入所述反應(yīng)器室；并且將摻雜有鎵或銦中的至少一種的硅原料沉積到所述反應(yīng)器室內(nèi)的表面上。
根據(jù)一個實施方式，一種硅晶片可以通過一種方法獲得，該方法包括制備摻雜有鎵或銦中的至少一種的硅原料。該方法可以包括：將包含硅的第一氣體引入反應(yīng)器室中；以及將包含鎵或銦中的至少一種的第二氣體引入所述反應(yīng)器室；并且將摻雜有鎵或銦中的至少一種的硅原料沉積到所述反應(yīng)器室內(nèi)的表面上。此外，該方法可以包括：至少部分地熔化所述摻雜有鎵或銦中的至少一種的硅原料；降低經(jīng)摻雜的硅熔體的溫度，以使經(jīng)摻雜的硅結(jié)晶成固體硅錠；以及將所述固體硅錠切割成一個或多個晶片。
根據(jù)一個實施方式，一種太陽能電池可以通過一種方法獲得的，該方法包括制備摻雜有鎵或銦中的至少一種的硅原料。該方法可以包括：將包含硅的第一氣體引入反應(yīng)器室中；以及將包含鎵或銦中的至少一種的第二氣體引入所述反應(yīng)器室；并且將摻雜有鎵或銦中的至少一種的硅原料沉積到所述反應(yīng)器室內(nèi)的表面上。此外，該方法可以包括：至少部分地熔化所述摻雜有鎵或銦中的至少一種的硅原料；降低經(jīng)摻雜的硅熔體的溫度，以使經(jīng)摻雜的硅結(jié)晶成固體硅錠；并且將所述固體硅錠切割成一個或多個晶片。該方法還可以包括：在所述一個或多個晶片上或內(nèi)形成發(fā)射極。
根據(jù)一個實施方式，一種光伏模塊(PV模塊)可以通過一種方法獲得，該方法包括制備摻雜有鎵或銦中的至少一種的硅原料。該方法可以包括：將包含硅的第一氣體引入反應(yīng)器室中；以及將包含鎵或銦中的至少一種的第二氣體引入所述反應(yīng)器室；并且將摻雜有鎵或銦中的至少一種的硅原料沉積到所述反應(yīng)器室內(nèi)的表面上。該方法還可以包括：至少部分地熔化所述摻雜有鎵或銦中的至少一種的硅原料；降低經(jīng)摻雜的硅熔體的溫度，以使經(jīng)摻雜的硅結(jié)晶成固體硅錠；并且將所述固體硅錠切割成一個或多個晶片。此外，該方法可以包括：在所述一個或多個晶片上或內(nèi)形成發(fā)射極以制備一個或多個太陽能電池；以及電接觸所述一個或多個太陽能電池。
具體而言，本發(fā)明的一些方面可以闡述如下：
1.一種沉積經(jīng)摻雜的硅原料的方法，所述方法包括：
將包含硅的第一氣體引入反應(yīng)器室；以及
將包含鎵或銦中的至少一種的第二氣體引入所述反應(yīng)器室；以及
將摻雜有鎵或銦中的至少一種的硅原料沉積到反應(yīng)器室內(nèi)的表面上。
2.根據(jù)條款1所述的方法，
其中所述第二氣體包含鎵；
該專利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息，商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于弗蘭克·阿斯貝克，未經(jīng)弗蘭克·阿斯貝克許可，擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購買此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作，請聯(lián)系【客服】
本文鏈接：http://www.szxzyx.cn/pat/books/201811086362.1/2.html，轉(zhuǎn)載請聲明來源鉆瓜專利網(wǎng)。
- 上一篇：可見光拓展的中波紅外探測器單元器件及其制備方法
- 下一篇：一種硅片的鈍化方法
- 同類專利
- 專利分類
H01L 半導(dǎo)體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射，或微粒輻射敏感的，并且專門適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的，或者專門適用于通過這樣的輻射進行電能控制的半導(dǎo)體器件；專門適用于制造或處理這些半導(dǎo)體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導(dǎo)體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉(zhuǎn)換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的，例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內(nèi)或其上形成的，一個或多個電光源，如場致發(fā)光光源在結(jié)構(gòu)上相連的，并與其電光源在電氣上或光學(xué)上相耦合的
