[發明專利]沉積硅原料的方法、硅晶片、太陽能電池和光伏模塊

在審

• 申請號: 201811086362.1
• 申請日: 2018-09-18
• 公開（公告）號: CN109524500A
• 公開（公告）日: 2019-03-26
• 發明（設計）人: 弗蘭克·阿斯貝克
• 申請（專利權）人: 弗蘭克·阿斯貝克
• 主分類號: H01L31/18
• 分類號: H01L31/18;C23C16/455;C30B29/06;C30B11/00;C30B15/00
• 代理公司: 上海勝康律師事務所 31263
• 代理人: 李獻忠;張華

1.一種沉積經摻雜的硅原料的方法，所述方法包括：

將包含硅的第一氣體引入反應器室；以及

將包含鎵或銦中的至少一種的第二氣體引入所述反應器室；以及

將摻雜有鎵或銦中的至少一種的硅原料沉積到反應器室內的表面上。

2.根據權利要求1所述的方法，

其中所述第二氣體包含鎵；

其中所述第二氣體以使得在所沉積的經摻雜的所述硅原料中的鎵的濃度大于3×10¹⁷原子/cm³這樣的量引入。

3.根據權利要求1所述的方法，

其中所述第二氣體包括一種或多種組分，所述一種或多種組分選自：三氯化鎵；三甲基鎵；三乙基鎵；三甲基銦；三乙基銦；及其組合。

4.根據權利要求1所述的方法，

其中在將所述第二氣體引入所述反應器室之前，將所述第二氣體加熱至高于200℃的溫度。

5.根據權利要求1所述的方法，

其中所述第一氣體和所述第二氣體作為混合物引入所述反應器室。

6.根據權利要求5所述的方法，

其中所述第一氣體中的至少一部分暴露于材料以在進入所述反應器室之前在另一反應器室中產生所述第二氣體。

7.通過一種方法獲得的經摻雜的硅原料，該方法包含：

將包含硅的第一氣體引入反應器室中；

將包含鎵或銦中的至少一種的第二氣體引入所述反應器室；以及

將摻雜有鎵或銦中的至少一種的硅原料沉積到所述反應器室內的表面上。

8.通過一種方法獲得的硅晶片，該方法包括：

根據一種方法制備摻雜有鎵或銦中的至少一種的硅原料，該方法包括：

將包含硅的第一氣體引入反應器室中；以及

將包含鎵或銦中的至少一種的第二氣體引入所述反應器室；以及

將摻雜有鎵或銦中的至少一種的硅原料沉積到所述反應器室內的表面上；

至少部分地熔化所述摻雜有鎵或銦中的至少一種的硅原料；

降低經摻雜的硅熔體的溫度，以使經摻雜的硅結晶成固體硅錠；以及

將所述固體硅錠切割成一個或多個晶片。

9.通過一種方法獲得的太陽能電池，該方法包括：

根據一種方法制備摻雜有鎵或銦中的至少一種的硅原料，該方法包括：

將包含硅的第一氣體引入反應器室中；以及

將包含鎵或銦中的至少一種的第二氣體引入所述反應器室；以及

將摻雜有鎵或銦中的至少一種的硅原料沉積到所述反應器室內的表面上；

至少部分地熔化所述摻雜有鎵或銦中的至少一種的硅原料；

降低經摻雜的硅熔體的溫度，以使經摻雜的硅結晶成固體硅錠；

將所述固體硅錠切割成一個或多個晶片；以及

在所述一個或多個晶片上或內形成發射極。

10.通過一種方法獲得的光伏模塊，該方法包括：

根據一種方法制備摻雜有鎵或銦中的至少一種的硅原料，該方法包括：

將包含硅的第一氣體引入反應器室中；以及

將包含鎵或銦中的至少一種的第二氣體引入所述反應器室；以及

將摻雜有鎵或銦中的至少一種的硅原料沉積到所述反應器室內的表面上；

至少部分地熔化所述摻雜有鎵或銦中的至少一種的硅原料；

降低經摻雜的硅熔體的溫度，以使經摻雜的硅結晶成固體硅錠；

將所述固體硅錠切割成一個或多個晶片；

在所述一個或多個晶片上或內形成發射極以制備一個或多個太陽能電池；以及

電接觸所述一個或多個太陽能電池。