[發明專利]鄰近垂直發射裝置的電絕緣

有效

• 申請號: 201811086210.1
• 申請日: 2018-09-18
• 公開（公告）號: CN109524880B
• 公開（公告）日: 2020-02-21
• 發明（設計）人: A.袁
• 申請（專利權）人: 朗美通經營有限責任公司
• 主分類號: H01S5/42
• 分類號: H01S5/42;H01S5/183;H01S5/02
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務所 11105
• 代理人: 賀紫秋

一種垂直腔表面發射激光器(VCSEL)陣列可以包括摻雜基板層。VCSEL陣列可以包括在摻雜基板層上的多個VCSEL。VCSEL陣列可以包括在摻雜基板層和多個VCSEL之間的緩沖結構。緩沖結構或緩沖結構與多個VCSEL的層的組合可以提供多個VCSEL與摻雜基板層的電絕緣。VCSEL陣列可以包括在多個VCSEL的鄰近VCSEL之間的絕緣結構。絕緣結構可以提供鄰近VCSEL中的第一VCSEL和鄰近VCSEL的第二VCSEL之間的電絕緣，第一VCSEL和第二VCSEL可以是不同VCSEL。

技術領域

本發明涉及發射器陣列的鄰近垂直發射裝置的電絕緣，且更具體地涉及使用緩沖結構和絕緣結構以使得在形成在導電基板上時讓鄰近垂直發射裝置電絕緣。

背景技術

垂直發射裝置(例如垂直空腔表面發射激光器(VCSEL))是一種激光器，其中光束沿垂直于基體表面的方向發出(例如從半導體晶片的表面垂直地)。多個垂直發射裝置可以布置為具有共同基板的陣列。

發明內容

根據一些可行的實施方式，一種垂直腔表面發射激光器(VCSEL)陣列可以包括摻雜基板層。VCSEL陣列可以包括在摻雜基板層上的多個VCSEL。VCSEL陣列可以包括在摻雜基板層和多個VCSEL之間的緩沖結構。緩沖結構或緩沖結構與多個VCSEL的層的組合可以提供多個VCSEL與摻雜基板層的電絕緣。VCSEL陣列可以包括在多個VCSEL的鄰近VCSEL之間的絕緣結構。絕緣結構可以提供鄰近VCSEL中的第一VCSEL和鄰近VCSEL的第二VCSEL之間的電絕緣，第一VCSEL和第二VCSEL可以是不同VCSEL。

根據一些可行的實施方式，一種方法可以包括在摻雜基板層上形成垂直發射裝置的發射器陣列。發射器陣列可以包括在垂直發射裝置和摻雜基板層之間的緩沖結構。緩沖結構或緩沖結構與垂直發射裝置的層的組合可以提供垂直發射裝置與摻雜基板層的電絕緣。方法可以包括在垂直發射裝置的鄰近垂直發射裝置之間形成絕緣結構。絕緣結構可以提供鄰近垂直發射裝置之間的電絕緣。該方法可以包括在發射器陣列上形成一組金屬互連部，以電連接鄰近垂直發射裝置。

根據一些可行的實施方式，發射器陣列可以包括摻雜基板層。發射器陣列可以包括在摻雜基板層上的多個垂直發射激光器。發射器陣列可以包括在摻雜基板層和多個垂直發射激光器之間的緩沖結構。緩沖結構或緩沖結構與多個垂直發射激光器的層的組合可以包括多個反向p-n結，以提供多個垂直發射激光器與摻雜基板層的電絕緣。發射器陣列可以包括在多個垂直發射激光器的鄰近垂直發射激光器之間的絕緣結構。發射器陣列可以包括在鄰近垂直發射激光器之間的溝槽。絕緣結構可以從溝槽的底表面延伸。絕緣結構可以提供鄰近垂直發射激光器之間的電絕緣。

附圖說明

圖1是顯示了現有技術的發射器陣列的截面圖的示意圖，其包括讓形成在半絕緣基板上的鄰近垂直發射裝置電絕緣的溝槽(trench)；

圖2A-2B分別是示例性垂直發射裝置的俯視圖和示例性垂直發射裝置的示例性截面圖的示意圖；

圖3是示例性發射器陣列的截面示意圖，其包括緩沖結構和絕緣結構以讓鄰近垂直發射裝置電絕緣；

圖4是示例性發射器陣列的截面示意圖，其包括緩沖結構和另一絕緣結構，以讓鄰近垂直發射裝置電絕緣；和

圖5是用于讓鄰近垂直發射裝置電絕緣的示例性過程的流程圖。

具體實施方式

示例性實施方式的以下詳細描述參照了附隨的附圖。相同附圖標記在不同附圖中可以表示相同或相似的元件。