[發明專利]鄰近垂直發射裝置的電絕緣

有效

• 申請號: 201811086210.1
• 申請日: 2018-09-18
• 公開（公告）號: CN109524880B
• 公開（公告）日: 2020-02-21
• 發明（設計）人: A.袁
• 申請（專利權）人: 朗美通經營有限責任公司
• 主分類號: H01S5/42
• 分類號: H01S5/42;H01S5/183;H01S5/02
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務所 11105
• 代理人: 賀紫秋

1.一種垂直腔表面發射激光器VCSEL陣列，包括：

摻雜基板層；

在摻雜基板層上的多個VCSEL；

在摻雜基板層和多個VCSEL之間的緩沖結構，

其中緩沖結構或緩沖結構與多個VCSEL的層的組合提供了多個VCSEL與摻雜基板層的電絕緣；和

在多個VCSEL的鄰近VCSEL之間的絕緣結構，

其中絕緣結構提供鄰近VCSEL中的第一VCSEL和鄰近VCSEL中的第二VCSEL之間的電絕緣，

第一VCSEL和第二VCSEL是不同VCSEL。

2.如權利要求1所述的VCSEL陣列，其中絕緣結構包括：

在鄰近VCSEL之間的絕緣區域，或

在鄰近VCSEL之間的絕緣溝槽。

3.如權利要求1所述的VCSEL陣列，進一步包括：

在鄰近VCSEL之間的溝槽，

其中絕緣結構從溝槽的底部延伸。

4.如權利要求1所述的VCSEL陣列，其中緩沖結構與多個VCSEL的層形成反向p-n結。

5.如權利要求1所述的VCSEL陣列，其中絕緣結構延伸到摻雜基板層中。

6.如權利要求1所述的VCSEL陣列，其中緩沖結構包括：

多個外延層，

其中多個外延層在緩沖結構中形成至少一個反向p-n結。

7.如權利要求1所述的VCSEL陣列，其中多個VCSEL的層形成至少一個反向p-n結且與緩沖結構形成反向p-n結。

8.一種形成發射器陣列的方法，包括：

在摻雜基板層上形成垂直發射裝置的發射器陣列，

其中發射器陣列包括在垂直發射裝置和摻雜基板層之間的緩沖結構，

其中緩沖結構或緩沖結構與垂直發射裝置的層的組合提供了垂直發射裝置與摻雜基板層的電絕緣；

在垂直發射裝置的鄰近垂直發射裝置之間形成絕緣結構，

其中絕緣結構在鄰近垂直發射裝置之間提供電絕緣；和

在發射器陣列上形成一組金屬互連部，以電連接鄰近垂直發射裝置。

9.如權利要求8所述的方法，其中形成絕緣結構包括：

在鄰近垂直發射裝置之間植入發射器陣列的一區域，以形成電阻區域，

該電阻區域延伸到摻雜基板層中。

10.如權利要求8所述的方法，其中形成絕緣結構包括：

在鄰近垂直發射裝置之間形成溝槽，

該溝槽延伸到摻雜基板層中。

11.如權利要求8所述的方法，進一步包括:

在鄰近垂直發射裝置之間形成溝槽，

絕緣結構從溝槽的底表面延伸到摻雜基板層。

12.如權利要求8所述的方法，進一步包括:

在形成絕緣結構之后在發射器陣列上形成鈍化層；和

其中形成該組金屬互連部包括：

在發射器陣列上形成鈍化層之后在鈍化層上形成該組金屬互連部。

13.如權利要求8所述的方法，其中形成發射器陣列包括：

在摻雜基板層上形成緩沖結構；和

在緩沖結構上形成垂直發射裝置的層，

其中層和緩沖結構的組合包括至少一個p-n結。