[發(fā)明專(zhuān)利]陣列基板及其制作方法

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201811084408.6
• 申請(qǐng)日: 2018-09-18
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN109148366A
• 公開(kāi)（公告）日: 2019-01-04
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 陳彩琴
• 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人: 武漢華星光電半導(dǎo)體顯示技術(shù)有限公司
• 主分類(lèi)號(hào): H01L21/77
• 分類(lèi)號(hào): H01L21/77;H01L27/12
• 代理公司: 深圳翼盛智成知識(shí)產(chǎn)權(quán)事務(wù)所(普通合伙) 44300
• 代理人: 黃威

本申請(qǐng)?zhí)岢隽艘环N陣列基板及其制作方法，所述制作方法為通過(guò)對(duì)所述有源層進(jìn)行一次離子摻雜，利用特定工藝使經(jīng)過(guò)摻雜的所述有源層形成第一摻雜區(qū)和第二摻雜區(qū)。本申請(qǐng)通過(guò)在現(xiàn)有工藝以及未增加光罩的基礎(chǔ)上，在AMOLED中增加PMOS的LDD結(jié)構(gòu)，有效的降低了面板陣列制造過(guò)程中的周期，節(jié)省了制作成本。

技術(shù)領(lǐng)域

本申請(qǐng)涉及顯示領(lǐng)域，特別涉及一種陣列基板及其制作方法。

背景技術(shù)

低溫多晶硅(Low temperature poly-silicon，LTPS)，由于其具有高的電子遷移率，可以有效的減小薄膜晶體管(Thin Film Transistor，TFT)的器件的面積，進(jìn)而提升像素的開(kāi)口率，增大面板顯示亮度的同時(shí)可以降低整體的功耗，使得面板的制造成本大幅度降低，目前已成為液晶顯示領(lǐng)域炙手可熱的技術(shù)。

在傳統(tǒng)LTPS LCD中，常常采用互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體(CMOS)器件來(lái)組成面板驅(qū)動(dòng)電路的基本單元；而為了平衡NMOS和PMOS的器件特性，往往只在NMOS器件中制作低摻雜漏區(qū)(Lightly Doped Drain，LDD)結(jié)構(gòu)。現(xiàn)有技術(shù)中，AMOLED常采用PMOS結(jié)構(gòu)，像素采用補(bǔ)償Vth的PMOS器件結(jié)構(gòu)，結(jié)構(gòu)復(fù)雜，對(duì)漏電流要求更高；故而，若能在節(jié)省結(jié)構(gòu)復(fù)雜程度的基礎(chǔ)上，增加PMOS的LDD結(jié)構(gòu)，對(duì)AMOLED光學(xué)性能具有較大的提升。

但是LTPS工藝復(fù)雜，在陣列工藝中，基板陣列成膜的的層別較多，需要較多的光罩?jǐn)?shù)量。而在AMOLED中增加PMOS的LDD結(jié)構(gòu)，將導(dǎo)致增加更多的光罩?jǐn)?shù)量，使得產(chǎn)品制作產(chǎn)能時(shí)間增長(zhǎng)，增加了光照成本以及運(yùn)營(yíng)成本。

發(fā)明內(nèi)容

本申請(qǐng)?zhí)峁┮环N陣列基板及其制作方法，以解決在AMOLED中增加PMOS的LDD結(jié)構(gòu)工藝復(fù)雜的技術(shù)問(wèn)題。

為解決上述問(wèn)題，本申請(qǐng)?zhí)峁┑募夹g(shù)方案如下：

本申請(qǐng)?zhí)峁┮环N陣列基板的制作方法，包括步驟：

S101、提供一基板；

S102、在所述基板上依次形成緩沖層、有源層、第一絕緣層、第一金屬層、第二絕緣層、第二金屬層以及第三絕緣層，

其中，所述第二金屬層的面積大于所述第一金屬層的面積；

S103、對(duì)部分所述有源層進(jìn)行離子摻雜，使部分所述有源層形成第一摻雜區(qū)，利用預(yù)定工藝對(duì)所述第一摻雜區(qū)進(jìn)行處理，使部分所述有源層形成第二摻雜區(qū)；

S104、在所述第三絕緣層上形成源漏極。

在本申請(qǐng)的制作方法中，所述S103包括步驟：

S10311、利用第二金屬層和第一金屬層作為隔檔層，對(duì)部分所述有源層進(jìn)行離子摻雜，使部分所述有源層形成第一摻雜區(qū)；

S10312、利用預(yù)定工藝對(duì)所述第一摻雜區(qū)進(jìn)行處理，使所述第一摻雜區(qū)的部分離子向所述第一摻雜區(qū)的四周擴(kuò)散，使部分所述有源層形成第二摻雜區(qū)，

其中，所述第一摻雜區(qū)的離子濃度大于所述第二摻雜區(qū)的離子濃度。

在本申請(qǐng)制作方法中，所述第二摻雜區(qū)包圍所述第一摻雜區(qū)。

在本申請(qǐng)的制作方法中，所述第二摻雜區(qū)的面積大于或等于所述第二金屬層的面積與所述第一金屬層的面積的差值。

根據(jù)本申請(qǐng)一優(yōu)選實(shí)施例，所述S103包括步驟：

S10321、在所述第三絕緣層上形成過(guò)孔，

其中，所述過(guò)孔貫穿所述第三絕緣層、第二絕緣層以及部分第一絕緣層，使部分所述有源層在所述過(guò)孔處裸露；

S10322、對(duì)所述有源層裸露的部分進(jìn)行離子摻雜，以使部分所述有源層形成所述第一摻雜區(qū)；