[發明專利]陣列基板及其制作方法

在審

• 申請號: 201811084408.6
• 申請日: 2018-09-18
• 公開（公告）號: CN109148366A
• 公開（公告）日: 2019-01-04
• 發明（設計）人: 陳彩琴
• 申請（專利權）人: 武漢華星光電半導體顯示技術有限公司
• 主分類號: H01L21/77
• 分類號: H01L21/77;H01L27/12
• 代理公司: 深圳翼盛智成知識產權事務所(普通合伙) 44300
• 代理人: 黃威

1.一種陣列基板的制作方法，其特征在于，包括步驟：

S101、提供一基板；

S102、在所述基板上依次形成緩沖層、有源層、第一絕緣層、第一金屬層、第二絕緣層、第二金屬層以及第三絕緣層，

其中，所述第二金屬層的面積大于所述第一金屬層的面積；

S103、對部分所述有源層進行離子摻雜，使部分所述有源層形成第一摻雜區和第二摻雜區，

所述第二摻雜區為所述第一摻雜區經預定工藝而形成；

S104、在所述第三絕緣層上形成源漏極。

2.根據權利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述S103包括步驟：

S10311、利用第二金屬層和第一金屬層作為隔檔層，對部分所述有源層進行離子摻雜，使部分所述有源層形成第一摻雜區；

S10312、利用預定工藝對所述第一摻雜區進行處理，使所述第一摻雜區的部分離子向所述第一摻雜區的四周擴散，使部分所述有源層形成第二摻雜區，

其中，所述第一摻雜區的離子濃度大于所述第二摻雜區的離子濃度。

3.根據權利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述第二摻雜區包圍所述第一摻雜區。

4.根據權利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述第二摻雜區的面積大于或等于所述第二金屬層的面積與所述第一金屬層的面積的差值。

5.根據權利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述S103包括步驟：

S10321、在所述第三絕緣層上形成過孔，

其中，所述過孔貫穿所述第三絕緣層、第二絕緣層以及部分第一絕緣層，使部分所述有源層在所述過孔處裸露；

S10322、對所述有源層裸露的部分進行離子摻雜，以使部分所述有源層形成所述第一摻雜區；

S10323、利用預定工藝對所述第一摻雜區進行處理，使所述第一摻雜區的部分離子向所述第一摻雜區的四周擴散，使部分所述有源層形成所述第二摻雜區。

6.根據權利要求5所述的制作方法，其特征在于，所述第一摻雜區的形狀和所述過孔的形狀相同，所述第一摻雜區的形狀為多邊形或圓形。

7.根據權利要求1所述的制作方法，其特征在于，形成所述第一摻雜區和所述第二摻雜區包括步驟：

利用所述第一金屬層作為隔檔層，對部分所述有源層進行第一次離子摻雜，使部分所述有源層形成第二摻雜區；

利用所述第二金屬層作為隔檔層，對部分所述有源層進行第二次離子摻雜，使部分所述有源層形成第一摻雜區。

8.根據權利要求7所述的制作方法，其特征在于，利用所述第二金屬層作為隔檔層，對部分所述有源層進行第二次離子摻雜還包括步驟：

利用所述第二金屬層和使所述第二金屬層圖案化的光刻膠、所述第二金屬層和經圖案化的所述第二絕緣層、以及所述第二金屬層、使所述第二金屬層圖案化的光刻膠和經圖案化的所述第二絕緣作為隔檔層，對部分所述有源層進行第二次離子摻雜，使部分所述有源層形成第一摻雜區。

9.一種陣列基板，其特征在于，包括基板、位于所述基板上的有源層、位于所述有源層上的第一金屬層、及位于所述第一金屬層上的第二金屬層；

其中，所述有源層包括第一摻雜區和第二摻雜區，所述第二摻雜區的面積大于或等于所述第二金屬層的面積與所述第一金屬層的面積的差值。

10.根據權利要求9所述的陣列基板，其特征在于，所述第二金屬層的面積大于所述第一金屬層的面積。

11.根據權利要求9所述的陣列基板，其特征在于，所述陣列基板還包括至少兩個過孔和源漏極層；

所述源漏極層通過所述過孔與所述第二摻雜區電連接。

12.根據權利要求11所述的陣列基板，其特征在于，所述第一摻雜區的形狀和所述過孔的形狀相同，所述第一摻雜區的形狀為多邊形或圓形。