[發明專利]襯底處理裝置及襯底處理方法有效
| 申請號: | 201811084085.0 | 申請日: | 2018-09-17 |
| 公開(公告)號: | CN109560012B | 公開(公告)日: | 2023-06-09 |
| 發明(設計)人: | 猶原英司;角間央章;沖田有史;增井達哉 | 申請(專利權)人: | 株式會社斯庫林集團 |
| 主分類號: | H01L21/67 | 分類號: | H01L21/67 |
| 代理公司: | 北京市金杜律師事務所 11256 | 代理人: | 楊宏軍;唐崢 |
| 地址: | 日本*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 襯底 處理 裝置 方法 | ||
1.襯底處理裝置,其具備:
襯底旋轉部,所述襯底旋轉部將襯底保持為水平并使其旋轉;
噴嘴,所述噴嘴向通過所述襯底旋轉部進行旋轉的所述襯底的被處理面供給處理液;
噴嘴基臺,所述噴嘴基臺使所述噴嘴在所述襯底的所述被處理面的上方搖動;
拍攝部,所述拍攝部對包含多個對象區域的拍攝區域進行拍攝,所述對象區域是在向所述襯底供給了所述處理液時所述被處理面的形成了液膜的區域;
檢測部,所述檢測部參照所述拍攝部的拍攝結果,基于所述多個對象區域的各自的亮度值的變化,來檢測所述多個對象區域的各自的處理結束時間點;和
調節部,所述調節部基于針對多片所述襯底而利用所述處理液進行處理時的所述檢測部的檢測結果,來調節包括所述噴嘴的搖動幅度、所述噴嘴的搖動速度以及自所述噴嘴噴出所述處理液的噴出流量中的至少一者的襯底處理的條件,以減小所述多個對象區域的所述處理結束時間點的差異,
其中,所述拍攝區域至少包含所述被處理面的中央側的區域和外周側的區域作為所述多個對象區域。
2.襯底處理裝置,其具備:
襯底旋轉部,所述襯底旋轉部將襯底保持為水平并使其旋轉;
噴嘴,所述噴嘴向通過所述襯底旋轉部進行旋轉的所述襯底的被處理面供給處理液;
拍攝部,所述拍攝部對包含多個對象區域的拍攝區域進行拍攝,所述對象區域是在向所述襯底供給了所述處理液時所述被處理面的形成了液膜的區域;和
檢測部,所述檢測部參照所述拍攝部的拍攝結果,基于所述多個對象區域的各自的亮度值的變化,來檢測所述多個對象區域的各自的處理結束時間點,
其中,所述拍攝區域至少包含所述被處理面的中央側的區域和外周側的區域作為所述多個對象區域,
所述檢測部對所述亮度值的微分值與閾值的大小關系進行比較,基于該比較結果來檢測所述處理結束時間點,
在所述微分值變得大于所述閾值之后又變得小于所述閾值的狀態、或所述微分值變得小于所述閾值之后又變得大于所述閾值的狀態下,所述微分值的變動幅度落入特定的范圍內的情況下,所述檢測部檢測所述變動幅度落入所述范圍內的時間點作為所述處理結束時間點。
3.如權利要求1或2所述的襯底處理裝置,其中,所述檢測部基于所述多個對象區域的各自的平均亮度值的變化,來檢測所述多個對象區域的各自的所述處理結束時間點,所述平均亮度值是在所述襯底旋轉一圈所需要的時間以上的時間范圍內進行平均化而得到的。
4.如權利要求3所述的襯底處理裝置,其中,所述拍攝部在所述時間范圍內取得多幅拍攝圖像,
所述平均亮度值為所述多幅拍攝圖像中的所述多個對象區域的各自的所述亮度值的平均值。
5.如權利要求3所述的襯底處理裝置,其中,所述拍攝部以所述時間范圍為曝光時間而取得一幅拍攝圖像,
所述平均亮度值為所述一幅拍攝圖像中的所述多個對象區域的各自的所述亮度值。
6.如權利要求1或2所述的襯底處理裝置,其中,在所述檢測部檢測到所述多個對象區域的各自的所述處理結束時間點的時間點,停止利用所述噴嘴供給所述處理液。
7.襯底處理裝置,其具備:
襯底旋轉部,所述襯底旋轉部將襯底保持為水平并使其旋轉;
噴嘴,所述噴嘴向通過所述襯底旋轉部進行旋轉的所述襯底的被處理面供給處理液;
拍攝部,所述拍攝部對包含多個對象區域的拍攝區域進行拍攝,所述對象區域是在向所述襯底供給了所述處理液時所述被處理面的形成了液膜的區域;
檢測部,所述檢測部參照所述拍攝部的拍攝結果,基于所述多個對象區域的各自的亮度值的變化,來檢測所述多個對象區域的各自的處理結束時間點;和
報警部,在停止利用所述噴嘴供給所述處理液的時間點、所述檢測部未檢測到所述多個對象區域的各自的所述處理結束時間點的情況下,所述報警部報告警報,
其中,所述拍攝區域至少包含所述被處理面的中央側的區域和外周側的區域作為所述多個對象區域。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





