[發(fā)明專利]單晶硅片堿拋清洗方法在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 201811077772.X | 申請日: | 2018-09-16 |
| 公開(公告)號: | CN109326683A | 公開(公告)日: | 2019-02-12 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 衣玉林 | 申請(專利權(quán))人: | 蘇州潤陽光伏科技有限公司 |
| 主分類號: | H01L31/18 | 分類號: | H01L31/18;H01L21/02 |
| 代理公司: | 暫無信息 | 代理人: | 暫無信息 |
| 地址: | 215300 江蘇省蘇州*** | 國省代碼: | 江蘇;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 單晶硅片 清洗 雙氧水 二氧化硅 硅片 鹽酸 水槽 除金屬離子 氫氟酸溶液 太陽能電池 槽式清洗 硅片表面 后清洗槽 混合溶液 清洗效果 氫氟酸 堿液 良率 絨面 酸槽 殘留 節(jié)約 | ||
本發(fā)明涉及太陽能電池槽式清洗領(lǐng)域,具體提供一種單晶硅片堿拋清洗方法,用于清洗一堿拋設(shè)備內(nèi)堿拋后的硅片,該方法包括:首先在該堿拋設(shè)備內(nèi)加入鹽酸和雙氧水的混合溶液,除金屬離子并生成二氧化硅;其次加入氫氟酸溶液除去二氧化硅及該硅片表面的殘留物質(zhì)。本發(fā)明單晶硅片堿拋后清洗方法,硅片在堿拋設(shè)備內(nèi)用鹽酸加雙氧水作為后清洗槽、水槽和氫氟酸的酸槽,不破壞絨面,節(jié)約堿液,清洗效果好,有效提升了良率。
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及太陽能電池槽式清洗領(lǐng)域,特別涉及單晶硅片清洗堿拋臟污和硅片表面殘留物的清洗方法。
背景技術(shù)
太陽能電池刻蝕拋光工藝是太陽能高效電池制造工藝中至關(guān)重要的一步,對成品電池片的電性能以及EL良率有著重大的影響,刻蝕后硅片背面反射率的均勻性決定了背鈍化鍍膜的均勻性,鍍膜的均勻性決定了激光開孔率及大小的均勻性。因此刻蝕在整個PERC電池(鈍化發(fā)射區(qū)背面電池,Passivated emitter rear contact solar cells)生產(chǎn)過程中起著舉足輕重的作用。
酸拋是另一種較為常見的技術(shù)手段,但采用這種處理方法存在三個問題:第一,酸拋產(chǎn)生的高濃度的酸霧難以處理,易導(dǎo)致環(huán)保不達(dá)標(biāo);第二,酸拋反射率很難提高,而且穩(wěn)定性差;第三,酸拋生產(chǎn)過程中難調(diào)節(jié),若排風(fēng)不暢造成酸霧排不出去,酸霧殘留在設(shè)備內(nèi),不但腐蝕設(shè)備而且造成硅片有酸殘留,做成成品電池片后EL黑斑嚴(yán)重,降低了成品的合格率,返工率高;第四,酸拋的成本非常大。
堿拋則是另一種技術(shù)手段,堿拋后清洗則避免了上述缺點,但堿拋添加劑難以清洗,會對絨面造成一定的破壞。
發(fā)明內(nèi)容
有鑒于此,本發(fā)明的目的是解決上述現(xiàn)有技術(shù)的不足,提供一種太陽能電池堿拋后清洗硅片上的添加劑而不破壞絨面的方法。
本發(fā)明解決上述現(xiàn)有技術(shù)的不足所采用的技術(shù)方案是:一種單晶硅片堿拋清洗方法,該方法包括:
步驟(1):在該堿拋設(shè)備內(nèi)加入鹽酸和雙氧水的混合溶液,除金屬離子并生成二氧化硅;
步驟(2):加入氫氟酸溶液除去二氧化硅及該硅片表面的殘留物質(zhì)。
相較于現(xiàn)有技術(shù),本發(fā)明的單晶硅片堿拋清洗方法,硅片在堿拋設(shè)備內(nèi)用鹽酸加雙氧水作為后清洗槽、水槽和氫氟酸的酸槽,替代現(xiàn)有技術(shù)中使用堿加雙氧水的后清洗、水槽和鹽酸與氫氟酸組成的混酸槽,實現(xiàn)對堿拋后硅片上的添加劑進行清洗,不破壞絨面,節(jié)約堿液,清洗效果好,有效提升了良率。
附圖說明
無。
具體實施方式
以下描述用于揭露本發(fā)明以使本領(lǐng)域技術(shù)人員能夠?qū)崿F(xiàn)本發(fā)明。以下描述中的優(yōu)選實施例只作為舉例,本領(lǐng)域技術(shù)人員可以想到其他顯而易見的變型。在以下描述中界定的本發(fā)明的基本原理可以應(yīng)用于其他實施方案、變形方案、改進方案、等同方案以及沒有背離本發(fā)明的精神和范圍的其他技術(shù)方案。
一種單晶硅片堿拋清洗方法,用于清洗一堿拋設(shè)備內(nèi)堿拋后的硅片,該方法為:
步驟(1):在該堿拋設(shè)備內(nèi)加入鹽酸和雙氧水的混合溶液,除金屬離子并生成二氧化硅;
步驟(2):加入氫氟酸溶液除去二氧化硅及該硅片表面的殘留物質(zhì)。
于本實施例中,硅片在堿拋設(shè)備內(nèi)用鹽酸加雙氧水作為后清洗槽、水槽和氫氟酸的酸槽,改變了溶液成分以酸液作為后清洗。
本領(lǐng)域的技術(shù)人員應(yīng)理解,上述描述的本發(fā)明的實施例只作為舉例而并不限制本發(fā)明。本發(fā)明的目的已經(jīng)完整并有效地實現(xiàn)。本發(fā)明的功能及結(jié)構(gòu)原理已在實施例中展示和說明,在沒有背離所述原理下,本發(fā)明的實施方式可以有任何變形或修改。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射,或微粒輻射敏感的,并且專門適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的,或者專門適用于通過這樣的輻射進行電能控制的半導(dǎo)體器件;專門適用于制造或處理這些半導(dǎo)體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導(dǎo)體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉(zhuǎn)換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的,例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內(nèi)或其上形成的,一個或多個電光源,如場致發(fā)光光源在結(jié)構(gòu)上相連的,并與其電光源在電氣上或光學(xué)上相耦合的





