[發明專利]單晶硅片堿拋清洗方法在審
| 申請號： | 201811077772.X | 申請日： | 2018-09-16 |
| 公開（公告）號： | CN109326683A | 公開（公告）日： | 2019-02-12 |
| 發明（設計）人： | 衣玉林 | 申請（專利權）人： | 蘇州潤陽光伏科技有限公司 |
| 主分類號： | H01L31/18 | 分類號： | H01L31/18;H01L21/02 |
| 代理公司： | 暫無信息 | 代理人： | 暫無信息 |
| 地址： | 215300 江蘇省蘇州*** | 國省代碼： | 江蘇;32 |
| 權利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 單晶硅片 清洗 雙氧水 二氧化硅 硅片 鹽酸 水槽 除金屬離子 氫氟酸溶液 太陽能電池 槽式清洗 硅片表面 后清洗槽 混合溶液 清洗效果 氫氟酸 堿液 良率 絨面 酸槽 殘留 節約 | ||
【權利要求書】：
1.一種單晶硅片堿拋清洗方法，用于清洗一堿拋設備內堿拋后的硅片，其特征在于，該方法包括：
步驟（1）：在該堿拋設備內加入鹽酸和雙氧水的混合溶液，除金屬離子并生成二氧化硅；
步驟（2）：加入氫氟酸溶液除去二氧化硅及該硅片表面的殘留物質。
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H01 基本電氣元件
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射，或微粒輻射敏感的，并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的，或者專門適用于通過這樣的輻射進行電能控制的半導體器件；專門適用于制造或處理這些半導體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的，例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內或其上形成的，一個或多個電光源，如場致發光光源在結構上相連的，并與其電光源在電氣上或光學上相耦合的
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
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H01L31-12 .與如在一個共用襯底內或其上形成的，一個或多個電光源，如場致發光光源在結構上相連的，并與其電光源在電氣上或光學上相耦合的
