[發明專利]光罩缺陷的清潔裝置及清潔方法

在審

• 申請號: 201811076119.1
• 申請日: 2018-09-14
• 公開（公告）號: CN110899246A
• 公開（公告）日: 2020-03-24
• 發明（設計）人: 不公告發明人
• 申請（專利權）人: 長鑫存儲技術有限公司
• 主分類號: B08B6/00
• 分類號: B08B6/00
• 代理公司: 上海光華專利事務所(普通合伙) 31219
• 代理人: 佟婷婷

本發明提供一種光罩缺陷的清潔裝置及清潔方法，清潔裝置用于對待處理光罩上的待清潔缺陷進行清潔，待清潔缺陷形成于待處理光罩的待處理表面上，清潔裝置包括：缺陷吸附組件，缺陷吸附組件與待處理表面之間具有間距，且缺陷吸附組件基于靜電感應吸附待清潔缺陷，以實現待處理光罩的清潔。本發明在半導體光罩的缺陷移除過程當中，利用非破壞性的靜電吸附原理與裝備進行光罩缺陷的移除，從而達到光罩清潔的目的，采用本發明的方案，不僅可以實現光罩缺陷的去除，還可以在去除過程中防止光罩的保護薄膜受到皺折或破損，同時也可以防止保護薄膜受到刮傷，還可進一步實現光罩缺陷的全面性清潔，裝置簡便，清潔過程簡捷，清潔速度快。

技術領域

本發明涉及半導體制造技術領域，特別是涉及一種光罩缺陷的清潔裝置及清潔方法。

背景技術

在數字化的時代中，許多電器用具、物品都以高科技IC芯片進行操控，以達到自動化的目的，而IC芯片主要以極精密的半導體集成電路組成，其制造過程主要利用光罩在無塵的環境中，使用高精密度的機臺對晶圓進行高精密度的積層作業來完成，其廠房、機臺的制造成本相對較為昂貴，因此，在制造晶片的過程中，致力于提高光罩的良率成為本領域技術人員目前較為重要的課題。

在半導體生產制造中，因機臺因素或人為因素不可避免的會出現光罩被超出規格的微粒污染，特別是在光罩保護薄膜上形成顆粒缺陷(defect)，只有及時的對該些微粒進行處理才可以進行后續的產品生產。然而，目前業內對光罩覆膜上的污染顆粒很難去除，多數時候只能將光罩返廠清洗或修補，在一定程度上降低了產品的生產效率。

因此，如何提供一種光罩缺陷的清潔裝置及光罩缺陷清潔方法，以解決現有技術中存在的上述問題實屬必要。

發明內容

鑒于以上所述現有技術的缺點，本發明的目的在于提供一種光罩缺陷的清潔裝置及清潔方法，用于解決現有技術中光罩上的缺陷難以去除以及現有去除光罩缺陷的方式容易造成光罩保護薄膜損害、清潔速度慢等的問題。

為實現上述目的及其他相關目的，本發明提供一種光罩缺陷的清潔裝置，用于對待處理光罩上的待清潔缺陷進行清潔，所述待清潔缺陷形成于所述待處理光罩的待處理表面上，所述清潔裝置包括：

缺陷吸附組件，使用所述缺陷吸附組件對所述待處理表面上的所述待清潔缺陷進行清潔時，將所述缺陷吸附組件設置成與所述待處理表面之間具有間距，且所述缺陷吸附組件基于靜電感應吸附所述待清潔缺陷，以實現所述待處理光罩的清潔。

作為本發明的一種可選方案，所述缺陷吸附組件包括靜電吸盤，所述清潔裝置還包括電源裝置，其中，所述靜電吸盤設置于所述待處理表面上方，所述電源裝置與所述靜電吸盤電連接，以使得所述靜電吸盤上產生吸附電荷，所述靜電吸盤基于所述吸附電荷的靜電感應吸附所述待清潔缺陷。

作為本發明的一種可選方案，所述待處理光罩包括保護薄膜，所述待清潔缺陷形成于所述保護薄膜上，所述保護薄膜形成有所述待清潔缺陷的表面構成所述待處理表面，其中，所述靜電吸盤的形狀與所述保護薄膜的形狀概呈相同，所述靜電吸盤的尺寸超出對應方向上所述保護薄膜尺寸的5％-10％；所述靜電吸盤的材質包括金屬。

作為本發明的一種可選方案，所述待處理光罩還包括基板、掩膜圖形以及環形邊框，其中，所述掩膜圖形及所述環形邊框設置于所述基板表面，且所述環形邊框位于所述掩膜圖形外圍，所述保護薄膜設置于所述環形邊框遠離所述基板的一側且與所述環形邊框及所述基板形成一腔體。

作為本發明的一種可選方案，所述缺陷吸附組件與所述待處理表面之間的間距介于1mm-10mm之間。

作為本發明的一種可選方案，所述清潔裝置還包括靜電消除裝置，以消除所述待處理光罩上的靜電。

本發明還提供一種光罩缺陷的清潔方法，所述清潔方法包括如下步驟：

1)提供待處理光罩，且所述待處理光罩的待處理表面上形成有待清潔缺陷；以及